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为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?

作者: 时间:2024-01-05 来源:电子工程师笔记 收藏

今天咱们来聊聊为啥mos管开关得快点儿,还有怎么才能快点开关。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/202401/454525.htm

mos管驱动有几种方法,我们知道,其中有一种是用专门的驱动芯片驱动,我们就以这个驱动设计为主。

说起mos管关断,通常电压会比开通时高,所以关断的损失也会比开通时大,所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。

那么,咱咋能让mos管快些开关呢?

咱们看看这张图



在mos管开通时,电阻R1和R4限制了电流,这样就能给mos管电容充电;

要注意的这儿,R1和R4的电阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。

当mos管关断时,R4电阻上的电压被限制在0.7V,一旦超过0.7V,电流就会通过二极管,然后与R1串联进行放电,这样驱动电阻就能减小,从而可以让mos管快速关断,进而减少关断损失。

这儿有个问题:要是芯片驱动能力不够咋弄?

答案就是:我们可以通过增加PNP三极管来实现。

当mos管开通时,还是让芯片直接驱动,但关断时可以通过三极管放电。


这时候,三极管的be电流能控制ec电流,进而释放mos管的栅极电容的电荷。只要三极管的ce电流满足特定条件,ec的电流就能通过be电流进行扩大,这样电源IC所需的关断能力就会小很多。

这样一来,不仅能解决mos管开关慢的问题,还能解决IC驱动能力不足的问题。




关键词: MOS管 电路设计

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