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负载开关基本电路 功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件：导通时其导通电阻RDS(ON)很小；在关断时其漏电流IDSS很小。另外，它的耐压范围很宽，从几十V到几百V，漏极电源范围宽，从几A到几十A，所以非常适......
0 引言 SiGe基区异质结双极型晶体管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技术首次制作出SiGe基区HBT以来，SiGe集成电路的规模和电路的速度不断发展，电流增益和频率响......
合同制造商(CM)包括电子制造服务(EMS)与原始设计制造(ODM)公司，属于对经济不景气非常敏感的一类企业，因为这些厂商的可见度和计划有限，难以超越下一批客户订单。 尽管全球经济形势存在不确定性，但iSupp......
——IT经理世界 “你好，这里是中纬吗？”10月20日，当记者按照宁波中纬公司网站上提供的联系电话打过去，那头一位接听电话的男士说：“现在是比亚迪！&......
美国明尼阿波利斯 中国上海 2008年11月4日——全球领先的半导体制造晶圆工艺、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司（纳斯达克：FSII），今日在其再次于上海举办的“FSI......
0 引言 宽带微波扫频源和微波频率合成器是微波设备的核心部件，宽带、高性能、小型化、高可靠是现代装备系统的必然要求。集成压控振荡器(VCO)作为关键器件，其性能直接影响整机性能的优劣，宽带VCO的可靠性和稳定性在很......
日本有许多老字号的公司，其发展背景往往来自于传统工业，并在稳固的基础下走向电子产业，进而掌握举足轻重的关键技术。在这次参展的厂商中，有多家以石英晶体谐振器（resonator）/振荡器（oscillator）为核心技术的......
日本有许多老字号的公司，其发展背景往往来自於传统工业，并在稳固的基础下走向电子产业，进而掌握举足轻重的关键技术。在这次叁展的厂商中，有多家以石英晶体谐振器（resonator）/振荡器（oscillator）为核心技术的......
2008年11月4日 天相元器件行业跌至585.79，为年内最低，至此行业指数年内累计下跌幅度达66.91%。......
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同......
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北京航空航天大学 方佩敏 2008-11-12
王煊，徐碧野，何乐年 2008-11-10
Isaac Wang 2008-11-06
刘晓红，郭文胜，王合利，常青松 2008-11-05
