TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND闪存控制器

　　【主要特性】

　　1. 主机接口

　　符合串行ATA 2.6标准，

　　兼容Gen1:1.5 Gbps和Gen2:3.0 Gbps。

　　支持高达95 MB/秒的读访问速度和高达50 MB/秒的写访问速度。

　　* 采用Crystal Disk Mark 2.2测量。实际速度取决于闪存连接结构和系统环境。

　　2. 支持的闪存

　　GBDriver RA2 控制器支持所有厂商最新的2KB/页和4KB/页结构的NAND闪存及其最新产品。与SLC和MLC闪存兼容。实现了128 MB到32 GB (SLC)

　　和256 MB到64GB(MLC)的SATA闪存存储容量。

　　3. 适用于所有存储块的静态负载平衡功能

　　TDK独造的静态负载平衡算法，可以计算出各内存块的擦写次数，并能均应地替换存储块。静态块(如OS/FAT)也能被定期均匀地替换，使安装的

　　闪存寿命实现最大化并极大地延长闪存存储器的寿命。可任意设置静态负载平衡范围(超出静态负载平衡范围内的区域采用动态负载平衡管理)。

　　4. 改进的断电耐受性

　　在写数据时如发生断电，独创的算法可全面预防并行数据错误，不让错乱的数据写入。

　　5. 纠错和恢复

　　闪存鉴别功能采用8 bit ECC或15 bit ECC来提供纠错能力，为适应未来NAND的发展预留了空间。自动恢复功能包括在重复读取数据时自动纠正位

　　错误(读干扰错误)。

　　6. 128 bit AES自动加密

　　128 bit AES加密功能自动加密数据并将其写入NAND闪存，以防个人数据和机密信息被泄露和篡改。

　　7. 其他功能

　　(a) 总簇数量设置功能(裁剪功能)

　　可按独立的簇单位调高或调低分配给数据区的逻辑块数量。例如，可通过减少数据区逻辑块的数量来提高可写入数据的次数。反之，如果应用不需

　　要长命，可通过增加数据区逻辑块的数量来加大存储容量。

　　(b) 保护功能

　　采用 ATA 标准保护功能。用户能够设置和取消密码以保护重要数据。

　　(c) SMART命令支持

　　可通过智能命令获得所有内存块数据的擦写次数，以便确定闪存状态和进行相应的寿命管理。

　　8. 解决方案支持

　　TDK自2000年开始自主研发和销售GBDriver系列NAND闪存控制器，依托其先进技术为日本和国外客户提供技术支持，包括派遣现场应用工程师和实施

　　可靠性监控工作，嵌入式系统市场对此有强烈需求。