手把手教你读懂FET选取合适器件
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仔细看看FET沟道部分结构，大家看；是否可以拼出这来：
如ZVS/同步整流。反向回复时间和电荷量决定了电源的效率和电磁噪音。
看trr和Qrr
trr是二极管恢复时间；Qrr是恢复电荷量。在电路里；类似在FET的DS间并联电容。这两个值越大；电容量也越大。这个电容值还和温度和实际流过二极管的电流大小有关。电流越大；温度越高，等效电容越大。
因此；在对比不同数据表时；一定要看清测试条件。否则；劣管也能标出好参数的。
这里；二极管流过电流时间基本和Qrrtrr无关。
AR/EAS这两个量描述的是FET抗雪崩击穿的能力。
EAR描述的是可重复的雪崩耐量。EAS描述的是单次耐量。
如在小功率反激里；取消RCD吸收后，大电流负载时的漏极电压就需要EAR这个量来考核安全。再如大电流半/全桥电路里，桥短路时电流非常大；即便在安全工作区能关断FET；仍会因引线等杂散寄生电感的作用而产生过压，当关的比较快时；过压就会超过FET耐压极限而击穿。EAS是衡量FET此时是否安全的参量...这里只列举了这两个量的概念了两个实际工程中的应用实例。它们的意义远非这些。
这是这两个量的典型图表：
安全工作区SOA
先看这两张图：
这是两个同为600V的MOSFET，都能在600V下承受最大饱和电流。即在15V栅压时；MOSFET能流过的最大电流（MOSFET进入了线性区；呈恒流状态），此时的电流不随电压增高而增加！
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