手把手教你读懂FET选取合适器件
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由于Cgd在承受正压时，电容量非常小（Cgd虽然小；但是Qgd=Cgd*Ugd，Qgd仍然是很大的），Cgs远大于Cgd。因此；脉冲初期，驱动脉冲主要为Cgs充电，直到FET开始开启为止。开启时；FET的栅电压就是门槛电压Vth。
大多数情况下；栅电压达到Vth前，只有很小的电流流过FET。FET一直处于关断状态。
当FET栅电压达到Vth，FET开始导电。无论负载在漏极还是在源极，都将因有电流流过而承受部分或全部电压。这样FET将经历由阻断状态时承受全部电压逐渐变到短路而几乎没有电压降落为止的过程。
这个过程中，Cgd同步经历了放电过程。放电电流为I=Qgd/ton。
Igd——密勒电流分流了FET的驱动电流！使得FET的栅电压上升变缓。
弥勒电荷越大；这个斜坡越长。
弥勒电荷不仅和器件有关还和漏极电压有关。一般；电压越高；电荷量越大。
FET的栅电压达到Vth后；电流流过FET的沟道，此时；FET工作在线性区。FET视在斜率随Id大小变化而变。但；从Vg、Id的变化量看，两者之比就是FET跨到S。即S=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)。
其中；同样粗细的亮色线为一组；代表各自的Vg和Id的关系。
由于在FET开的过程中，栅电压变缓，是弥勒电容分流引起的，所以；也叫弥勒效应区。
因此；在断续反激电源里，弥勒效应区的栅电压斜率基本不变。而正激、半/全桥等；斜率随负载而变。
弥勒效应时间（开关时间）ton/off=Qgd/Ig
注：1）Ig指FET的栅驱动电流。
FET “ON” Ig=（Vb-Vth）/Rg
2）Vb：稳态栅驱动电压
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