集成电路RF噪声抑制能力测量技术

本文描述了一种通用的集成电路RF噪声抑制能力测量技术。RF抑制能力测试将电路板置于可控制的RF信号电平下，该RF电平代表电路工作时可能受到的干扰强度。这样就产生了一个标准化、结构化的测试方法，使用这种方法能够得到在质量分析中可重复的有用结果。这样的测试结果有助于IC选型，从而获得最能够抵抗RF噪声的电路。

　　可以将被测件(DUT)靠近正在工作的蜂窝电话，以测试其RF敏感度，但是，为了得到一个精确的、具有可重复性的试验结果，需要采用一个固定的测量方法，在可重复的RF场内测试DUT。解决方案是采用RF测试电波暗室，提供一个可精确控制的RF场，其相当于典型移动电话所产生的RF场。

　　下面，我们对Maxim的一款双运放(MAX4232)和一款竞争产品(X)进行RF抑制能力比较测试。

　　图1：双运放的RF噪声抑制能力测量电路(online)

　　RF抑制测试电路(图1)给出了连到待测双运放的电路板连接，每个运算放大器被配置成交流放大器，没有交流输入时，输出设置在1.5V直流电平(VCC = 3V)。反相输入通过1.5"环线(模拟输入端的PC引线)短路至地，该环路用来模拟实际引线的的效应，实际引线在工作频率下会作为天线，收集和解调RF信号。通过在输出端连接一个电压表，测量和量化运算放大器的RF噪声抑制能力。

图2：RF噪声抑制能力测量装置

　　Maxim的RF测试装置(图2)产生RF抑制能力测试所需的RF场，测试电波暗室具有一个屏蔽室，作用与法拉第腔的屏蔽室类似，它具有连接电源和输出监视器的端口。把下面列举的设备连接起来就可以组成测试装置：

　　1. 信号发生器:9kHz至3.3GHz(罗德与施瓦茨公司SML-03)

　　2. RF功率放大器(PA):800MHz至1GHz, 20W(OPHIR 5124)

　　3. 功率计:25MHz至1GHz(罗德与施瓦茨公司)

　　4. 平行线单元(电波暗室)