过去十年中国芯片补贴支出达美国3.6倍 远超美国《芯片法案》

战略与国际研究中心（CSIS）3 月初发布的报告显示，2014 至 2023 年间，中国半导体产业政策投入总额约1420 亿美元，约为美国同期承诺的390 亿美元的3.6 倍People's Daily Online。报告认为，中国巨额科技投入使其在国际舞台上的影响力与实力地位提升，并建议 “其他政府需务实应对，以降低负面成本”。

数据源自波士顿咨询集团（BCG）与美国半导体产业协会（SIA）编制的图表。报告作者、CSIS 高级顾问兼中国商务与经济信托基金主席斯科特・肯尼迪称，北京的芯片攻势在先进制程领域仍属他所说的 “破坏性失败”。

该统计覆盖半导体全价值链的直接产业政策支持。韩国以 550 亿美元位居第二，欧盟 470 亿美元、日本 175 亿美元、中国台湾 160 亿美元紧随其后。不过，报告统计区间 2014–2023 年早于美国 2022 年 8 月签署的《芯片与科学法案》大部分资金拨付时间，也未计入中国 2024 年 5 月启动、规模约 475 亿美元的国家集成电路产业投资基金三期（大基金三期）。

报告援引 2025 年 SIA 数据称，巨额投入并未带来先进制程突破。按总部所在地统计，美国芯片企业全球出货占比仍超 50%，中国企业仅 4.5%。

报告称，截至 2025 年年中，中芯国际全球晶圆代工份额约 6%，位列台积电、三星之后排名第三。分析师评估，中芯国际至少落后台积电 2–3 代工艺：其 5nm 良率仅约 20%，7nm 为 25%–46%；而英特尔、三星、台积电已推进至 2nm，良率最高可达 90%。

报告指出，若无法获得阿斯麦（ASML）的 EUV（未来可能还包括 DUV）光刻设备，中芯国际实际上无法突破 7nm 以下节点；肯尼迪认为，与顶尖水平的差距可能扩大而非缩小。中国实验室尝试拼凑逆向工程 EUV 设备，但尚未产出一颗芯片。设计端，英伟达全球 GPU 市占率超 90%，华为昇腾、阿里平头哥、寒武纪、摩尔线程等中国厂商在算力性能上均落后。肯尼迪还提到，研发强度是另一制约因素：美国芯片企业平均将17.7%销售额投入研发，中国同行仅9.2%。

2024 年启动的中国大基金三期，旨在补齐晶圆设备、EDA 软件、AI 加速器等短板。报告引述分析师吉米・古德里奇观点称，在可预见未来，中国大概率仍将是 “最快速跟随者”，难以持续跟上全球领先者步伐。面对美国对先进光刻的出口管制与持续扩大的研发投入差距，肯尼迪认同这一结论。