英飞凌PCIM Asia 2025展会：创新引领功率半导体新纪元
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全球功率半导体技术的领军者英飞凌科技重磅亮相上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia 2025），现场展示了一系列创新产品和技术解决方案，特别是在最受关注的AI服务器电源新架构和汽车功率器件领域的先进产品和解决方案成为全场瞩目的焦点。
此次展会，英飞凌不仅展示了其在绿色能源、电动化出行、AI算力电源等关键领域的最新突破，更以实际行动诠释了其在推动能源转型与智能化发展方面的技术引领作用。
800V SiC主驱逆变器系统：系统级解决方案驱动未来电动出行
首先，英飞凌展示了800V SiC主驱逆变器一站式系统级解决方案，使用了31种不同类型的英飞凌芯片，展现了其在功率半导体领域的综合技术实力。该系统可工作在800V高压平台下，输出高达750Arms的相电流，采用英飞凌HybridPACK™ Drive Gen2 1200V SiC功率模块，具备优异的效率与可靠性，可耐受的最高结温达200°C，满足电动汽车主驱系统对高功率密度与高温稳定性的严苛要求。
英飞凌800V SiC主驱逆变器系统
在控制与系统管理方面，该方案集成AURIX™ TC49X系列高性能单片机作为主控，内置PPU、CDSP及Hypervisor等功能模块，实现了高效运算控制与功能安全分区。同时，方案搭载了专为逆变器应用设计的OPTIREG™I-PMIC TLE9744电源管理芯片，符合ASIL D功能安全等级，集成了功能安全逻辑配置模块与旋转变压器供电与励磁激励触发功能。电流检测部分采用XENSIV™TLE4973系列无磁芯电流传感器，不仅精度高、集成度高，还避免了传统传感器的磁饱和问题，满足ASIL B功能安全要求。驱动芯片支持原副边安全信号输入，符合高压加强绝缘标准。
据英飞凌现场工程师介绍，得益于其中1200V SiC MOSFET的使用，系统能够在输出大电流的同时保持高温运行稳定性，有效助力客户加速样品测试与系统验证。
嵌入式碳化硅PCB方案：突破传统模块封装，重构系统性能上限
英飞凌工程师介绍，该方案采用新一代1200V G2p SiC技术，基于S-cell结构，通过特殊PCB工艺，嵌入到PCB板材中，相比传统模块方案，能有效降低系统杂散电感，提升开关速度，从而提升电流出力和工况效率，并优化系统成本。
英飞凌新一代嵌入式碳化硅解决方案
CoolSiC™ MOSFET 750V G2：开启高效功率转换新篇章
展会期间，英飞凌重点展示的CoolSiC™ MOSFET 750V G2，无疑是最受瞩目的明星产品之一。
该技术专为提升汽车和工业电源转换应用的系统效率和功率密度而设计。据英飞凌专家介绍，CoolSiC™ MOSFET 750V G2在导通电阻（R DS(on)）上实现了显著降低，最低可达4mΩ，这一数据在业界处于领先地位。
同时，该系列产品的性能参数和品质因数（FOM值）相比第一代产品提升了30%到40%，意味着客户在使用过程中能够体验到更低的开关损耗和更高的系统效率。
“CoolSiC™ MOSFET 750V G2技术的推出，是我们对高效、高功率密度电源转换解决方案的一次重要升级。” 英飞凌专家表示，“其极低的导通电阻和优化的封装设计，使得该系列产品在车载充电器、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备以及光伏逆变器、储能系统等领域具有广泛的应用前景。”
尤为值得一提的是，CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列采用的Q-DPAK顶部散热封装，厚度仅为2.3毫米，散热面积更大，非常适合空间受限但对散热要求极高的应用场景。
例如，在家用固态断路器中，该系列产品能够作为电子开关使用，替代传统的机械触点，从而大大提高系统的可靠性和使用寿命。
宽禁带半导体：英飞凌的全面布局与未来展望
随着硅基半导体性能逐渐接近理论极限，宽禁带半导体（碳化硅和氮化镓）成为了行业发展的新方向。
英飞凌持续持续深耕碳化硅技术多年，今年重点推出了CoolSiC™ MOSFET 2025年度最新产品，包括CoolSiC™ MOSFET G2 1200V和1400V单管多种封装组合以及CoolSiC™ MOSFET 碳化硅模块。其中，1200V产品采用Q-DPAK TSC顶部散热封装，能提供更出色的热性能、系统效率和功率密度；新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V经过优化设计，适配1000V以上母线电压，电流承载能力显著提升，产品最低导通电阻可低至6mΩ，性能指标行业领先，适用于光储等高功率场景。CoolSiC™ MOSFET 碳化硅模块运用到了多种先进封装，从最新的Easy 2C到标准的Econo PACK，再到高压2300V/3300V XHP，覆盖从光储到工业、及大功率风电多种应用领域。
英飞凌在此领域有着全面的布局和深厚的积累。除了CoolSiC™ MOSFET 系列外，英飞凌还展示了其CoolGaN™氮化镓系列产品，电压覆盖从60V到800V，提供了多种封装选择，以满足不同客户的需求。
英飞凌氮化镓CoolGaN™系列
“英飞凌在宽禁带半导体领域的技术路线是多元化的。” 英飞凌专家介绍道，“我们不仅在碳化硅方面持续投入研发，推动技术迭代和产品升级；同时也在氮化镓方面积极探索，通过高度集成的模块设计，为客户提供更加高效、高频的电源解决方案。”
在技术细节上，英飞凌通过优化沟槽形状、掺杂工艺等内部结构，不断提升器件的性能和可靠性。例如，在CoolSiC™ MOSFET 750V G2中，通过调整沟槽的形状和位置，英飞凌成功地在保持甚至提升器件性能的同时，减小了晶圆尺寸，从而降低了制造成本。
光储与电动汽车充电：创新解决方案助力绿色能源转型
在光储和电动汽车充电领域，英飞凌同样展示了其创新实力。基于CoolSiC™ MOSFET的光伏混合逆变器等参考设计，充分利用了碳化硅器件的高效率和高功率密度特性，帮助客户提升系统性能并降低成本。
“在光储领域，我们不仅提供了高性能的功率器件，还为客户提供了完整的系统解决方案。” 英飞凌专家表示，“通过优化拓扑结构和散热设计，我们的逆变器产品能够实现更高的转换效率和更长的使用寿命，从而满足客户对高效、可靠光储系统的需求。”
在电动汽车充电领域，英飞凌推出的新款CoolSiC™ MOSFET G2 Easy 2C系列1200V碳化硅模块同样引人注目。
新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V Easy 2C 系列
该模块采用创新的耐高温材料和PressFIT引脚技术，支持更高电流承载能力并有效降低PCB温度，满足电动汽车充电桩对高效、可靠充电解决方案的需求。
AI服务器电源管理：高效、供电解决方案
英飞凌为AI与数据中心电源架构提供的全链路高性能解决方案
随着AI算力的激增，电源管理成为了AI服务器设计的关键挑战之一。
英飞凌在此领域同样展示了其创新实力，推出了从电网到AI芯片核心的全价值链高能效电源解决方案。这些解决方案包括电源供应单元（PSU）、电池备份单元（BBU）、中间母线转换器（IBC）及负载点（POL）模块等，为AI服务器提供了高效、可靠的供电保障。
“AI服务器对电源的要求极高，不仅需要高功率密度，还需要极高的效率和可靠性。” 英飞凌专家介绍道，“我们的8kW PSU评估板采用了最新的硅、碳化硅和氮化镓功率器件，实现了高频、高效、高功率密度的电源转换。同时，英飞凌的4kW BBU评估板创新地采用了部分功率转换架构，大幅降低了BOM成本并提升了系统备份时长。”
针对AI板卡热插拔过程中可能产生的冲击电流问题，英飞凌还推出了XDP710数字热插拔控制器。该控制器通过精确控制MOS管的开关过程，有效抑制了插拔瞬态电流，提升了系统可靠性。
结语：携手共创可持续发展未来
此次PCIM Asia 2025展会，英飞凌以其卓越的技术实力和创新能力，再次巩固了其在功率半导体技术领域的领导地位。
通过此次专访，我们深入了解了英飞凌在功率半导体领域的最新创新成果和技术路线。从CoolSiC™ MOSFET 750V G2技术到宽禁带半导体的全面布局，再到光储、电动汽车充电和AI服务器电源管理领域的创新解决方案，英飞凌正以其实际行动引领着功率半导体行业的未来发展。
“未来，英飞凌将继续携手行业伙伴，探索更高效、更智能的半导体解决方案。” 英飞凌专家表示，“我们将以技术赋能低碳化与数字化发展，为绿色低碳转型和可持续发展注入新动能，共同创造更加美好的未来。”
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