DDR4、DDR5 现货交易激增：买家加速对冲价格风险，主流 DDR4 涨幅近一成

作者：时间：2025-10-23 来源：

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EEPW 产业观察｜2025 年 10 月 22 日

在全球存储芯片市场持续波动的背景下，本周 DRAM 现货交易量显著上升，买家情绪全面转向积极。EEPW 观察发现，主流 DDR4 与 DDR5 产品价格均出现明显上涨，其中 DDR4 1G×8 3200 MT/s 的平均成交价较上周上涨近 9.9%，成为今年下半年以来涨势最明显的一波行情。

市场交易热度骤升

近期现货市场的交易量与成交频率持续攀升，尤其是 DDR4 模块的报价几乎每日刷新高点。买家普遍反映，渠道低价库存已大幅消化，而供应商与模块厂的报价同步上调。与此同时，部分中下游厂商开始提前采购，意图对冲未来进一步的价格上行风险。

EEPW 了解到，虽然终端消费类电子（特别是 PC 与智能手机）需求仍处于温和恢复阶段，但市场情绪已经率先启动。“大家都担心明天会更贵”成为业内最直观的心态写照。一些中小型模组厂为了确保未来一个季度的供货稳定，已经重新调整采购节奏，将补货周期从季度级缩短为月度甚至周度。

DDR4 供应收缩，价格弹性放大

EEPW 分析认为，本轮现货上涨的根本原因仍在供需两端的结构性变化。

主流厂商持续转产 DDR5 与 HBM
过去一年，全球前几大 DRAM 厂商陆续将部分产线从 DDR4 转向 DDR5 或高带宽记忆体（HBM）产品，以迎合 AI 服务器与高性能计算的快速增长需求。这导致 DDR4 的有效供应量明显收缩，库存逐步减少。
模块厂与分销渠道的库存偏低
在上半年价格疲软期间，多数模块厂采取“以销定采”的保守策略，库存水位普遍偏低。如今需求端略有回暖，而上游供货周期延长，使得渠道补货压力上升。
价格传导链条顺畅
当前市场报价上行的过程几乎没有被中间层拦截——从晶圆厂到模组厂再到分销端，价格传递相对迅速。这意味着市场已经进入明显的买方追价阶段。

DDR5 交易同步活跃

虽然 DDR4 涨幅更为显著，但 DDR5 的成交量也呈现稳步攀升趋势。
EEPW 认为，DDR5 的价格变化体现出一种“双重逻辑”：

一方面，AI 服务器与新一代平台导入持续扩大，使得 DDR5 在中高端市场需求稳定；
另一方面，随着 DDR4 价格的抬升，部分整机厂商开始考虑更快地切换到 DDR5 平台，以在长期成本上获得可预测性。

目前 DDR5 仍处于快速渗透阶段，市场报价波动相对温和，但若 DDR4 现货继续拉高，不排除 DDR5 随后出现跟涨行情。

NAND Flash 同步走强

除 DRAM 外，EEPW 监测到 NAND Flash 现货价格也继续上扬，涨幅普遍在 15%–20% 之间。其中 512 Gb TLC 晶圆本周价格已接近 4.6 美元，环比上涨近 28%。
这种同步上行的现象，反映出存储全品类的市场信号趋于一致：买方普遍担心 2025 年第四季度及 2026 年初的供应偏紧，并通过提前备货来锁定成本。

EEPW 指出，这一行为将对 NAND 与 DRAM 价格形成联动效应。
DRAM 厂商在资本支出上维持谨慎，产能扩张有限；而 NAND 厂商虽积极推动 QLC 与 3D 堆叠技术，但短期仍难以显著增加出货量。两者叠加，使“库存低位 + 预期上行”成为价格的核心推手。

买家行为：从“观望”到“对冲”

EEPW 采访的多家渠道与模组厂均表示，自 9 月以来，买家采购策略发生明显转变：

上半年普遍采取 “按需采购、随用随买” 模式；
进入 10 月后，普遍改为 “提前锁量、分批入库”。

这表明，市场心态已从“防跌”转向“防涨”。
部分买家甚至采用金融化的对冲策略，通过期货合约或批量现货锁价，规避第四季度的价格波动风险。

EEPW 认为，这种现象意味着现货市场正在成为 DRAM 厂商价格调节的关键窗口：当合约价未能及时反映成本变化时，现货波动率便成为最直接的信号来源。

价格变化的连锁影响

从供应链层面看，DRAM 价格的上涨将带来以下三方面连锁反应：

整机成本抬升
对 PC、笔电及部分服务器制造商而言，存储器约占总 BOM 成本的 8%–15%。DDR4 报价上涨近一成，将直接推高整机成本约 1%–2%，对低价段产品利润形成挤压。
DDR5 渗透加速
随着 DDR4 价格上升、DDR5 差价收窄，OEM 厂商将更快地转向支持 DDR5 的平台。EEPW 预计 2026 年 DDR5 在 PC 端的渗透率将突破 70%。
模块厂盈利改善
模组组装与分销环节的毛利率有望阶段性回升，部分厂商已调高下季度报价目标。