迎接先进通讯技术商机 Soitec宣布12吋晶圆大量制造RFeSI芯片
法国绝缘层上覆矽(SOI)晶圆制造和供应商Soitec宣布将以12吋晶圆制造先进的RFeSI产品,此举主要是为了扩大射频前端模组(RFFEM,或简称FEM),也就是处理无线电接收器和天线讯号的芯片产量。
本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/201604/289410.htmAdvancedSubstrateNews报导,采用先进SOI技术制造的FEM已经应运在所有智能型手机上,截至目前止,RFFEM都是以8吋SOI晶圆制造,但随着需求持续增加,以及4GLTE-A(以及之后的5G)逐渐普及,RF-SOI(射频绝缘层覆矽)未来展望看俏,因而需要更大型的晶圆来生产。
Soitec握有许多相关技术及8吋晶圆RF-SOI制造经验,量产12吋SOI晶圆对Soitec也非新鲜事。不过,最新加入产品线的先进RFeSI90晶圆要求更创新的技术,Soitec多年前与伦敦大学学院(UCL)合作找出突破瓶颈的方式,以便催生更高度整合的IC,为先进的4G/LTE通讯,乃至于新世代无线技术包括5G应用铺路。
Soitec现在迈入12吋晶圆制程,其SOI基板同时容纳了天线转换器、调整器和部分功率放大器,以及智能型手机和相关移动装置的Wi-Fi电路。事实上,Soitec的新技术已获多数主要RF半导体厂采用,借此来降低成本、提高效能和整合3G和4G/LTE。
Soitec旗下通讯和电力事业资深副总裁BernardAspar表示,最新12吋RF-SOI技术提升Soitec制造产能,客户不仅可改善效率,有了更大型晶圆的制造厂做后盾,生产线也多了更多的调整空间。
不过,8吋RF-SOI晶圆目前需求仍强劲,因此Soitec在投入更先进的12吋RF-SOI生产之际,也提高8吋晶圆产能。2015年秋季Soitec宣布决定与大陆上海新傲科技合作,利用Soitec的SmartCut技术为该公司在大陆客户,以及全球OEM客户制造SOI晶圆。
Soitec过去18个月以来已送出12吋RFeSI90样品进行产品认证,对于新的12吋RF-SOI产品达到新里程碑和杰出表现助益良多。事实上,为了确保客户得到想要的产品效能,Soitec工程师甚至开发出新的方式,以预测该公司晶圆产品效能。
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