性能优良的混合双路驱动器集成电路

主要参数选择如下。

1）RTD的选择 在一些特定电路中，需要更长的内部互锁时间，可通过在脚R_TD外接电阻来实现。由两个外接电阻R_TD设置信号延迟时间，电阻接在引脚R_TD和V_S之间，其典型时间t_TD=2.7＋0.13R_TD，R_TD100kΩ。式中，R_TD单位为kΩ。

2）RCE、CCE的选择

V_CEstat的选择如图5所示。

图 5 V_CEstat与R_CE的 关 系 曲 线

计算R_CE（R_CE>10kΩ）的公式为

V_CEstat=[9R_CE(kΩ)－25]/[10＋R_CE(kΩ)]

式中：V_CEstat的单位为V。

t_min(t_min10μs)的选择

根据公式计算C_CE(C_CEmax=2.7nF)

t_min=C_CE(nF)[10R_CE(kΩ)/(10＋R_CE)]×ln[(15－V_CEstat(V))/(10－V_CEstat)]

典型参数：R_TD=0，R_CE=24kΩ，C_CE=330pF，V_CEstat=5.6V，t_min=1.75μs。

3）R_ON、R_OFF的选择 外接电阻RON用于设置IGBT开启速度，R_ON越大，开启速度越低，且续流二极管反向恢复峰值电流减小；外接电阻R_OFF用于设置IGBT关断速度，R_OFF越大，关断越慢，且寄生电感两端电压也下降。典型值：R_ONmin=3.3Ω，R_OFFmin=3.3Ω。

4）IGBT模块过温保护电路的连接模块温度监控可由ERROR端与GND端连接双金属热保护器来实现。超过标定温度时，保护器触点打开，使ERROR端有错误信号输出。

5 结语

实践证明，SKHI21/SKHI22确实是一款性能优良的混合双路IGBT或MOSFET驱动器集成电路。