基于CMOS工艺的锂聚合物电池保护电路设计
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同时，还必须考虑诸如传输时延、输出电压摆率、输入共模范围等性能。鉴于大的偏置电流和小的电容可使摆率得到改善，缩短延迟时间，因此可通过加大偏置电流而达到高速。但是，一般而言，高速比较器也会有较高的功耗。因此在设计时必须在功耗与速度之间进行折衷。相对于处于饱和区的比较器而言，工作在亚阈值区的比较器的延迟时间显着增长，这主要是由于工作在亚阈值区的偏置电流较小，电容充放电需要更长的时间，从而使得延迟时间变长。该比较器具有与差动放大器类似的ICMR(输入共模范围)，其最低输入电压应小于过放电检测基准电压。
3.2 偏置电路设计
偏置电路用于为检测电路提供稳定、高精度的基准电压，从而检测过充电、过放电、放电过电流等状态。本论文中设计了一种低功耗基准电路，示于图3。
图3 低功耗基准电路
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