通过集成式解决方案进一步简化PFC电路的设计
集成二极管的寄生电容和电感降低后,还能降低功率MOSFET上的电压应力。图6对在两个等效的350 W开关电源中所产生的MOSFET电压进行了比较,其中一个电源使用的是HiperPFS IC,另一个使用的是HiperPFS-2 IC。
本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/174378.htm
电源采用HiperPFS-2后,二极管的紧耦合可使VDS降低21 V。
元件数量少
除了性能可从集成升压二极管中获益外,还可以显著节省成本。对二极管进行独立封装的成本和将二极管安装到散热片的手工操作都能省去,而且所需的板空间也有所减小。
图7所示为采用HiperPFS-2器件的350 W PFC板的设计范例。

图7中的电路板可在90 – 264 VAC的输入电压范围内提供380 VDC的输出。图8和图9分别说明了PFC设计的效率和输入功率因数特性。

使用HiperPFC-2器件的350 W PFC评估板可在115 VAC下实现PF > 0.99,在230 VAC下实现PF > 0.98。在10%到100%的负载范围内效率> 95%,其中包括了在桥式整流器和EMI滤波级中的损耗,在20%负载下PF > 0.9。
更简单、更快、更轻松
HiperPFS-2 IC为65 W至450 W的PFC提供了高度集成的平台。控制器、MOSFET和Qspeed二极管集成在同一个eSIP“冷垫式”封装内,并在源极连接了一个散热垫。集成的非线性放大器有助于进一步减少元件数。HiperPFS-2 IC所具有的多项增强功能,如新增的电源正常信号、轻载下功率因数(PF)的提高、用户可编程功率限制以及PIXLS设计软件,能使系统工程师更轻松地开发出完全符合国际法规的高效率开关电源。
参考文献:
1, PFS704-729EG HiperPFS™ Family High Power PFC Controller with Integrated High-Voltage MOSFET. Power Integrations Inc. www.powerint.com August 2012
2, PFS7323-7329 HiperPFS-2 Family High Power PFC Controller with Integrated High-Voltage MOSFET and Qspeed™ Diode. Power Integrations Inc. www.powerint.com January 2012
3, Qspeed Family of Advanced Diodes. http://www.powerint.com/en/products/qspeed-family
4, Application Note AN-301 Qspeed™ Family Reverse Recovery Charge, Current and Time. Power Integrations Inc. www.powerint.com January 2011
评论