Flash单片机自编程技术
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程序2：用同一模块软件将一个字写入Flash存储器
Fxkey .set 03300h
Fwkey .set 0A500h
…… ；禁止所有中断
MOV #(Fwkey + WRT), FCTL1 ；允许对Flash编程
MOV #123h, 0FE1Eh ；编程一个字
MOV #Fwkey, FCTL1 ；编程位复位
XOR #(Fxkey + Lock), FCTL3 ；LOCK位置位
…… ；允许中断
2.2 通过RAM程序调用实现Flash自编程
在Flash进行擦除和编程期间，CPU只能访问存于片上RAM的程序指令。将Flash中的程序复制进堆栈中，如程序3所示。当对Flash进行擦写时，CPU就可以从RAM中执行程序。Flash的擦写操作完成后，Flash就可以重新被访问，程序指针PC就会再次指向Flash存储器，堆栈指针SP也会恢复。
从RAM中执行程序，可以使CPU在Flash被改写时依然保持运行。因此，MSP430系列芯片在Flash编程期间仍然可以通过UART模块接收数据。不过，在这种模式下是否接收到数据，只能通过查询UART的接收标志位来进行判断。
程序3：将Flash中的程序指令拷贝进堆栈的程序
Flash_ww
DINT ；禁止所有中断
CLR.B IE1 ；禁止NMI、ACCV和OP中断
MOV #5A80h, WDTCTL ；关闭Watchdog
MOV #Flash_ww_end, R13 ；定义拷贝进RAM程序的
；结束地址和长度
MOV #Flash_ww_length, R15
MOV #0A500h, FCTL3 ；清除LOCK位
Copy
PUSH @R13 ；将程序拷贝进RAM
DECD R13
DEC R15
JNZ Copy
MOV SP, R15
MOV #0A54oh, FCTL1 ；WRT ＝ 1
CALL R15 ；调用RAM中的Flash写程序
MOV #0A500h, FCTL1 ；WRT ＝ 0
MOV #0A510h, FCTL3 ；LOCK ＝ 1
ADD #2*Flash_ww_length, SP
RET
Flash_ww_start
MOV R14, 0(R12) ；向Flash写1字节
Wait_bf
BIT #1, FCTL3 ；检测BUSY位
JNZ Wait_bf
Flash_ww_end
RET
Flash_ww_length EQU(Flash_ww_end ?Flash_ww_start + 2)/2
ENDMOD
3 结 语
本文提出的两种Flash自编程方法各有利弊。当CPU必须对事件作出快速反应时，如通过UART进行的数据通信，采用Flash自编程开始时将Flash中的程序代码复制进RAM再执行的方法。如果对实时性要求不高，在Flash自编程过程中，将CPU置于空闲状态的办法更为简单、直接。可以相信，随着Flash型芯片的广泛应用和技术的不断发展，Flash的自编程技术也将会有新的突破。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/173090.htm
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