基于DSP开发系统设计与实现
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TPS767D301的输出端1OUT的电压由式(1)确定：
Vo=Vref(1+R1／R2) (1)
式中：Vref=1．183 4 V为电压调整器的内部参考电压；R1和R2的取值应保证驱动电流近似为50μA。如果电阻过小，会使电流过大，消耗电力；如果电阻过大，FB引脚会出现电流脉冲尖峰，会使输出电压波动。典型电压输出时，R1和R2的取值如表1所示。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/149182.htm
为了提高输出电压的稳定性，模拟电源与数字电源之间通过铁氧体磁珠和电容进行滤波，铁氧体磁珠具有可以忽略的寄生电容，电气特性和一般的电感相似，这样可以减少来自模拟电源或其他并联电路所产生的噪声生干扰。
2 系统RAM扩展
在TMS320F28335的片上已经集成了34 K×16 b的RAM，且内部RAM的访问速度可达150 MIPS，通常用于放置系统对运算速度要求较高的程序。F28335的片上还集成了256 K×16 b的FLASH，但由于FLASH烧写次数有限，而且烧写速度慢，操作麻烦。使用外扩RAM后，仿真时程序可以放入外扩RAM中运行，程序长度不受限制，这样程序的设计和调试就非常方便。在调试完成后通过修改．cmd文件等方法将程序烧进FLASH中运行。同时，外扩RAM还可以开放给其他任务。外扩RAM选用ISSI公司的IS61LV25616，存储容量为256 K×16 b，3．3 V的供电电压。使用区间6作为外扩存储区间，存储地址范围为0x100000～0x13FFFF。由于IS61LV25616的访问速度有8 ns，10 ns，12 ns，15 ns可选择，而当CPU运行在150 MHz时，地址和数据的最小有效时间为3个时钟周期，即20 ns，所以不用考虑时序问题。存储器的地址线和数据线分别对应DSP的地址线和数据线，片选端CS和DSP的GPIO28连接，存储器的读／写端口分和DSP的读／写端口连接，具体电路图如2所示。
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