高集成度芯片需求激增 多核成趋势

　　据Marvell高层透露，其新一代TD双载波TD-HSPA+芯片已经研发出炉，采用了最新40纳米技术，并和多厂商做了一些设备上的兼容性测试。明年出样片的TD-SCDMA双核和单核芯片的主频都将在1GHz以上。

　　LTE提出多样化应用支撑需求

　　随着单芯片的不断涌现、多模多频终端的需求加大、越来越多的芯片公司进入LTE市场，终端产业链将更多的精力瞄向了为无线宽带杀手级“体验”做支撑的新方案和新技术。在LTE的刺激下，下一代网络对芯片的集成能力、多样化应用支撑能力的需求也在不断提高。

　　包括高通在内的实力芯片厂商正在快马加鞭开发整合2G、3G、LTE(TDD/FDD)标准的多模多频芯片。在LTE产品线上，芯片的高集成度、多模、跨操作系统以及高处理能力和多媒体性能得到更多重视。

　　ST-Ericsson继去年推出了TD-LTE芯片组，并和Sagem Wireless合作开发了多模 LTE/HSPA+ 参考设计、设备和模块后，今年也推出了支持LTE双制式FDD、TDD以及 HSPA+、TD-SCDMA、EDGE的多模芯片平台。而近期其芯片产品应用于诺基亚推出搭载微软Windows Phone操作系统的新款智能手机，又一举打破了Windows Phone手机一直使用高通芯片的局面。

　　在TD-LTE规模试验中，芯片的成熟能力得到最多关注，目前已有十多家芯片公司加入，除了已经通过互操作测试、进入新一阶段试验的海思半导体与创毅视讯，联芯科技、高通、展讯、ST-Ericsson、Marvell、Sequace、联发科技等表现积极。

　　ST Ericsson(意法·爱立信)中国区总裁张代君称，目前业界已经有支持LTE的智能手机、平板电脑以及支持数据业务的设备(比如内嵌式模块)，未来还将看到LTE技术被用在M2M领域等其他连接性设备当中。LTE将会取代固网宽带连接并被用在连接消费型电子产品中，比如照相机以及游戏设备等，而移动平台则是实现这一切的核心。