IR智能整流IC节省75%的元件数量
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IR中国及香港销售总监严国富指出:“在100W到300W的回扫电路中,传统的变压器控制电路既复杂又笨重,还浪费能量,因为SR MOSFET的极性转换感应需要很高的反向电流。相比之下,IR全新的智能整流IC凭借新的技术标准和直接感测SR MOSFET的电压门限值,实现了快速、准确的控制,使功耗降至最低。”
严国富还补充道:“IR1167能提升1%的整体系统效率,减少MOSFET温升10度,并使得电路元件数减少为过去的1/4。”
IR1167智能整流IC采用IR专有的HVIC技术,能够与各种MOSFET栅极兼容,还可以直接连接IR各种30V至200V 的SR MOSFET。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的IR MOSFET产品共同使用时,IR1167智能整流IC的优势将更加突出,具有这些特性的产品有:IRF7853、IRFB4110和IRFB4227等。这些优化的MOSFET能与IR1167 SmartRectifier IC融合在一起,成为“整体芯片组解决方案”,进一步提升SR电路的效率和功率密度。
由于新的IC能脱离主控独立运行,所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立,意味着IR1167在低功率的“跳频模式”下运作,使产品符合“待机功率小于1W”以及加州能源委员会的80Plus规定。
严国富还指出:“以往在共振半桥拓扑结构中,同步整流在商业上并不可行,因为变化的系统频率和低待机功率要求使整体架构变得非常复杂。如今,IR1167提供的简单SR为提升系统效率提供了重要动力。”
智能整流技术使 SR MOSFET的损耗减半,因此也减少了所需的MOSFET数量,还有助于将大型TO-220封装改为小型、表面贴装的SO-8器件。
设计工具
除了数据资料、应用说明书和技术论文,用户还可以登录IR的myPower 网站http://www.irf.com/design-center/mypower/,使用全新的SmartRectifier在线设计软件。设计人员只要输入应用条件和性能要求,就能获取按照性能和系统成本排列的IC和MOSFET芯片使用建议。此外,IR还提供一种子卡,可将IR SmartRectifier的效率和简便性与二极管设计和复杂的SR方案进行比较。
样品现已通过产品市场部供货。
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