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尔必达与联电力成合作开发TSV产品

作者: 时间:2011-06-01 来源:联合新闻网 收藏

  看好3D市场,DRAM大厂日前宣布,将与台湾力成科技、联华电子正式签约,携手展开TSV产品的共同开发;表示,三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)进行开发与商务合作。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/119995.htm


关键词: 尔必达 3D芯片

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