Panasonic 电工PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的概要
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“PhotoMOS”的特点:
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/111652.htm“PhotoMOS”兼具了EMR(有触点的机械继电器)以及SSD(可控硅输出光电耦合器)两者的功能，具有以下特点。
- 可对微小的模拟信号进行控制(参照图4)
晶闸管或光电耦合器及一般的SSD，不能控制数百mV以下的信号，但PhotoMOS闭路时的偏置电压极低，因此，即使是对微小电压信号或模拟信号也可进行不变形的控制。
- 电路构成简单，因此可实现电路板的小型化以及设计的简便化
可将发光元件、光电元件、功率MOSFET集中到一个封装中，而且MOSFET的电路门极也在封装中，因此具有较强的抗干扰或抗静电能力。此外，内置具有自身发电功能的光电元件，所以不需要外部电源来驱动功率MOSFET。
- 可实现小输入信号控制大负载(参照表1)
与光电耦合器相比，因增幅率较大，所以可实现EMR所不具备的高灵敏度。
- 开路时的漏电流极(参照图5)
一般的SSD开路时的漏电电流大到数mA，但PhotoMOS即使施加负载电压400V时，其漏出电流也仅有1μA以下。
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