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“狼的速度”?SiC功率半导体模块动态测试挑战及应对

发布人:旺材芯片时间:2021-12-05来源:工程师

众所周知,碳化硅半导体带隙宽,用于 MOSFET 中时,开关损耗极低,因此相较于普通的硅器件,可允许更高的开关频率,被形象地称之为“狼的速度”,而宽禁带功率半导体器件测试,尤其是精准、全面、可靠的器件特性表征,对于器件本身的迭代以及各场景的应用都起着关键作用。


SiC MOSFET器件高频开关特性对器件测试系统寄生电感控制、测试带宽、连接方式等都提出了更高的挑战。如何驾驭狼的速度,跨越“测不准”、“测不全”、“不可靠”这三座大山,始终是第三代半导体行业关注的热点。


同时,与传统的硅半导体相比,碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。SiC 功率半导体具有关键的效率特性,能够降低成本,同时提高多种应用中的系统性能,如电动汽车充电器、太阳能逆变器、电动汽车电机驱动器等,预计其使用将呈指数级增长。


从碳化硅整个产业链来看,满足下游终端客户需求一方面是靠优异的碳化硅芯片性能,但模块封装设计及系统应用也尤为重要。作为国内碳化硅领域的先行者之一,忱芯科技已经研发出多款全碳化硅MOSFET模块,SiC MOSFET模块可以作为电力系统的主开关,更好地发挥SiC低损耗的特点,相较于SBD模块其应用范围更广且技术壁垒更高。


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关键词: SIC

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