全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
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瑞萨 GaN FET SuperGaN
麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上，以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外，通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管，新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
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3D芯片 电子设备 GaN
类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约40个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源要求取决
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TI GaN FET 类人机器人
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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开关电源 SMPS 氮化镓 GaN ADI
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多
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纳芯微 高压半桥驱动 E-mode GaN
传统方法的局限性多年来，工程师们一直致力于解决单向开关的基本限制。当需要双向电压阻断时，设计人员必须使用多个分立元件实现背靠背配置，导致系统复杂性增加、尺寸增大和成本上升。这些配置还会引入额外的寄生元件，从而影响开关性能和效率。此外，传统的三端 UDS 设备无法独立控制双向电流流，限制了它们在高级电源转换拓扑中的应用。 图片由 Adobe Stock 提供 随着行业向更高功率密度、更高效率和更低系统成本发展，这些挑战变得越来越重要。传统的使用背靠背分立开关的方法，在
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Gan 电源开关
半导体行业正处于性能、效率和可靠性必须同步发展的阶段。AI 基础设施、电动汽车、电源转换和通信系统的需求正在将材料推向极限。氮化镓 （GaN） 越来越受到关注，因为它可以满足这些需求。该行业已经到了这样一个地步，人们的话题不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大规模地部署它。二十多年来，我专注于外延生长，见证了 GaN 从一种利基研究驱动型材料转变为电力电子领域的领先竞争者。进展是稳定的，不是一蹴而就的。现在倾向于 GaN 的公司和工程师是为下一代系统定位自己的公司。设备性能从外延开始对于 G
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GaN 可靠性 硅
高效率和高功率密度是为当今产品设计电源时的关键特性。为了实现这些目标，开发人员正在转向氮化镓 （GaN），这是一种可实现高开关频率的宽带隙半导体技术。与竞争对手的功率半导体技术相比，GaN 最大限度地减少了所需无源元件的尺寸，同时降低了栅极驱动和反向恢复损耗。此外，半导体制造商正在将其 GaN 器件封装在高度集成的行业标准封装中，从而缩小印刷电路板 （PCB） 的占地面积要求，同时简化供应链。GaN 应用在 650 V AC-DC 转换领域，变压器外形无铅 （TOLL） 封装是电源设计的有效选择。采用此封
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集成驱动器 高级保护 GaN 电源设计
引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约 40 个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源
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GaN FET 人形机器人
_____在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。黄文海教授的团队主要致力于氧化镓器件全链条的研究。在材料生长方面，聚焦优化晶体生长工艺，通过改进熔体生长技术，成
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香港科技大学 氧化镓器件 GaN
氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准结或 MOSFET。这些独特的器件在微波射频 （RF） 应用中表现出色。来自 n 型区域的电子穿过晶格，许多电子保持在异质结附近（异质结是指通过两个或多个半导体的接触耦合形成的界面区域）。这种只有一层厚的电子形成二维电子气体。650V GaN HEMT 的开关能量 （Esw） 是在硬开关条
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GaN HEMT 开关应用 低噪声功率
电动汽车 （EV） 越来越受欢迎，因为精明的消费者，尤其是在加利福尼亚州，认识到出色的加速性能的优势，例如，当红绿灯变绿时，汽油动力汽车可能会被尘土甩砸。这是因为电动机在驾驶员踩下油门的那一刻就会产生峰值扭矩。然而，与内燃机 （ICE） 汽车相比，电动汽车的主要动机是能源效率。EV 车载电池充电器EV1 的车载电池充电器 （OBC） 完全能够为来自交流电网的高压牵引电池充电（图 1）。停放的车辆插入 EV 1 级和 2 级交流充电站之一，这些充电站出现在停车场、家庭、公司、购
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GaN 汽车应用 OBC 高压 DC-DC转换器
了解如何将氮化镓（GaN）功率晶体管技术应用于D类音频放大器，可以提高信号保真度，降低功耗，并提供比硅更轻、更具成本效益的解决方案。在音频工程中，放大器是传递强大、沉浸式声音的核心设备。这些设备将低功率音频信号转换为丰富、高功率的输出，从而驱动从便携式扬声器到专业音响系统的一切设备。在过去十年中出现的各种放大器设计中，有一种脱颖而出：D类放大器。以其高效性和广泛使用而闻名，D类技术主导了现代音频领域。然而，即使是最受欢迎的放大器也有其局限性。当前的D类音频系统虽然效率很高，但在性能上仍面临挑战。D类放大器
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GaN 放大器
氮化镓 （GaN） 功率器件因其超快的开关速度和有限的寄生效应而成为 LiDAR 传感器的核心构建模块之一，从而在高总线电压和窄脉冲宽度下实现高峰值电流。为了迎来自动驾驶汽车的未来，必须在车辆系统内使用更先进的传感器。LiDAR 是检测自动驾驶汽车周围物体存在的更广泛使用的传感器之一，它是光检测和测距的缩写，它从激光射出光并测量场景中的反射，有点像基于光的雷达。车辆的车载计算机可以使用这些数据来解释汽车与周围环境的关系以及道路上是否存在其他汽车和物体。LiDAR 传感器必须基于一个非常快速的开关，该开关为
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GaN 功率FET 栅极驱动器 LiDAR 传感器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
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GaN HEMT GaN ROHM
gan介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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