基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器，具有14V~65V的宽输入直流电压范围和两种配置，分别为标准和高电流版本：● EPC9193 是标准参考设计，在每个开关位置使用单个FET，可提供高达30ARMS 的最大输出电流。● EPC91
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氮化镓器件 电动自行车 无人机 机器人 EPC GaN 宜普
Qorvo是一家在射频解决方案领域具有显著影响力的美国公司。它通过提供创新的射频技术，为移动、基础设施与国防/航空航天市场提供核心技术及解决方案，致力于实现全球互联。Qorvo在射频前端模块、滤波器、功率放大器、开关、调谐器等领域都展现出了强大的技术实力和市场地位。它是全球主要的功频放大器供货商，其产品在市场上具有较高的认可度和广泛的应用。这使得Qorvo在推动5G网络、云计算、物联网等新兴应用市场的发展方面发挥了重要作用。在Qorvo所擅长的宽带功率放大器领域之中，GaN材料展露出了重要的应用潜力。由于
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Qorvo GaN 宽带功率放大器
激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求，同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲，重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性，因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管，但又不能直接驱动它，这样就必须增加一个栅极
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自主驾驶 LiDAR GaN FET
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。在设计现代消费级 USB Type-C 移动充电器、PC 电源和电视电源时，面临的挑战是如何在缩小解决方案尺寸的同时保持甚至提高功率水平。德州仪器的低功耗氮化镓 (GaN) 器件有助于在各种最流行的拓扑中解决这一问题，同时提供散热、尺寸和集成方面的优势。在过去的几十年里，随着 GaN 等宽带隙技术的发展，交流/直流拓扑
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TI GaN 电源拓扑
尽管电池技术和低功耗电路不断取得进步，但对于许多应用来说，完全不依赖纯电池设计可能是不可行、不适用和无法接受的。医疗系统就属于这类应用。相反，设备通常必须直接通过 AC 线路运行，或至少在电池电量不足时连接 AC 插座即可运行。除了满足基本的 AC/DC 电源性能规范外，医用电源产品还必须符合监管要求，即满足电隔离、额定电压、泄漏电流和保护措施 (MOP) 等不那么明显的性能要求。制定这些标准是为了确保用电设备即使在电源或负载出现故障时，也不会给操作员或病人带来危险。与此同时，医疗电源的设计者必须不断提地
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DigiKey GaN AC/DC
RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术，有时设计具有一定挑战性；但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文，了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天，有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天，我们拥有电源管理集成电路（PMIC）器件，可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电，以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下
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Qorvo GaN 功率放大器
紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加，从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电(QC) 适配器，到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说，面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性，同时继续降低成本，提高效率，缩小外形尺寸以提高功率密度。为了解决其中的许多问题，设计者可以用基于宽带隙 (WBG) 技术的器件 (GaN) 来取代硅 (Si) 功率开关。这样做直接转化为提高电源效率和减少对散热器的需求，从而实现更高的功率密度。然
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电源效率 氮化镓 GaN 电源转换器设计
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化镓 GaN Transphorm
1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
过往产品的充电装置多由各家厂牌使用各自的接口，导致装置汰换时将造成许多浪费。由于USB的普及，市面大部分的产品都透过此接口传输数据，进而促使人们欲提升USB供电能力的想法。过去即使透过USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，则电子产品需要较长的时间来充电。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年发表第一版USB Power Delivery规范 (USB Power Delivery Specifi
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ST 意法半导体 GAN 第三代半导体 Power and energy PD 协议 快充
_____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快
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宽禁带 SiC GaN 双脉冲测试
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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ti GaN 图腾柱 PFC 电源
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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TI GaN PFC
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。传统氮化镓器件多用于消费类电子市场，研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子、新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市场上具有标志性意义，传统的氮化镓功率器件最高电压普
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GaN HEMT 功率器件 动态特性测试
作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。 了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限 德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是提高功率密
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氮化镓 GaN 电源管理
gan介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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