首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 闪存

闪存 文章

Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

  • Flash存储器闪存工作原理及具体步骤-什么是闪存?闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。
  • 关键字: flash存储器  闪存  

内存颗粒涨价狂潮,来了解一下MLC NAND闪存下的技术细节

  • 内存颗粒涨价狂潮,来了解一下MLC NAND闪存下的技术细节-2006年初,美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司(IMFT)在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性,并且在两个母公司强大的IP库支持下,IMFT在同一年推出的第一个产品就让市场深受震动。
  • 关键字: NAND闪存  闪存  

如何选择最佳汽车应用闪存

  •   在过去几年里,汽车应用对 NOR 闪存的需求不断增加。NOR 闪存最初应用在信息娱乐和引擎控制等方面。然而,随着汽车电脑化进程的步伐不断加快,NOR 闪存在汽车领域中的应用越来越广泛。尤其是在高级驾驶辅助系统 (ADAS)、数字仪表盘和信息娱乐等系统对NOR 闪存的市场需求迅猛增长。  高级驾驶辅助系统  针对提高驾驶安全性的高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的市场发展快速增长。目前,大部分ADAS 应用主要是基于
  • 关键字: 闪存  ADAS  

NAND闪存的三种架构:MLC、SLC、MBC

  • NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构,即:单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中,MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构,由英飞凌与Saifun合作开发,但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息,以达到其稳定、读写速度快等特点,Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构,其也有很大的缺点,就是面积容量相对比较小,并且由于技术限制,基本上很难再向前发展了。
  • 关键字: MLC  闪存  NAND  英特尔  

基于FPGA的存储解决方案——闪存

  • 闪存存储器是嵌入系统中经常使用的非易失性存储器。在基于FPGA的嵌入系统中,由于FPGA没有包括闪存,所以闪存始终是外置设备。由于闪存存储器能够在断电后保持数据内容,它经常用于存储微处理器启动代码及其它需要在无电情况下继续保持的数据。闪存存储器既适用于并行接口又适用于串行接口。并行闪存设备与串行闪存设备的基本存储技术是相同的。
  • 关键字: 存储器  闪存  串行接口  

3D NAND这么火,比2D NAND到底优秀在哪?

  • 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪存颗粒的量产引发固态涨价,闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争,以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
  • 关键字: 闪存  3DNAND  2DNAND  

关于嵌入式闪存,你所不了解的那些事儿

  •   多年来,汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知,汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元,而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升,这一数字还将不断上升。目前,每辆豪华车内部半导体元件的总价值约为1000美元,而中档车内部半导体元件的总价值约为350美元,汽车MCU是其中的重要组成部分。大多数汽车MCU具有片上嵌入式闪存,其中包含复杂而详尽的指令代码。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中,并且是非易失性存储器技术的
  • 关键字: 嵌入式  闪存  

SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Ce
  • 关键字: SLC  MLC  TLC  闪存  

Spansion 起诉旺宏电子侵犯其专利权

  • 2013年 08 月 15 日,中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码:CODE)今日宣布起诉台湾旺宏电子股份有限
  • 关键字: Spansion  旺宏电子  闪存   

LSI SandForce揭幕SHIELD闪存纠错技术

  • LSI SandForce详细介绍了其下一代固态硬盘(SSD)控制器内置的全新纠错方法,称为SHIELD。SandForce在在加利福尼亚州圣克拉拉召开的Flash Memory Summit峰会上披
  • 关键字: LSI  闪存  SSD   

Spansion完成对富士通微控制器和模拟业务部门收购

  • 2013年 08月02日,中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码:CODE)今天宣布已经完成对富士通半导体有限
  • 关键字: 富士通  嵌入式  闪存   

LSI闪存解决方案提升虚拟机密度和性能

  • LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出集成VMware虚拟化软件支持的LSI® Nytro™ XD应用加速存储解决方案。该款带VMware支持的Nytro XD解决方案可将PCIe®闪存
  • 关键字: LSI  闪存  虚拟机   

四种闪存设计优劣点分析

  • 由于闪存比传统媒介有着更为明显的优势,在过去一年里,闪存的普及率开始飙升。不过,我们总是很难判断不同闪存产品之间的区别。在本文中,我
  • 关键字: NFS  PCIe  NAS  DRAM  闪存  

最快NOR闪存+突破性接口,Spansion带用户体验“极

  • 新春过后不久,Spansion又带来了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于该新接口的产品家族HyperFlash™ NOR闪存设备。据悉,搭载了
  • 关键字: 最快  闪存  突破  接口  

一种采用分离栅极闪存单元实现可编程逻辑阵列的新型测试结构

  •   大多数可编程阵列使用易失性存储器SRAM作为配置数据存储元件。最近,有人尝试使用非易失性存储器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP应用的理想选择,其架构和许多增强功能可改善芯片集成度、IP使用率和测试时间。Robert Lipp等人提出了一种采用浅沟槽隔离(STI)工艺的高压三阱EEPROM检测方案。
  • 关键字: 可编程  闪存  SRAM  SST  SCE  
共77条 1/6 1 2 3 4 5 6 »

闪存介绍

【闪存的概念】 闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [ 查看详细 ]

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473