- 在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断提高，这一挑战不容忽视。在常嵌入闪存存储器的微控制器 (MCU) 中，存储器的容量也在快速增加。除了宏观趋势外，MCU 中的一些特定发展趋势（包括更高的计算带宽、功能集成以及包含额外的大型通信栈）也决定了需要更大容量的闪存。当出现无线更新的需求时，由于原始图像和备份图像都需要存储，上述的这
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- 在过去很长时间里，存储卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出现以后，市场上就出现了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非标准规格”。这背后的原因是什么？正式动笔后，我发现这件事情并不是三言两语能够讲清楚的……ET 会尽量剥离掉与大家关系不大的知识点，大家在阅读时也可以忽略括号和 * 内的部分。科普存储卡、固态硬盘都以闪存颗粒（NAND Flash）作为存储介质，而闪存颗粒本身是有擦写次数限制的（即写
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- 前言 多年来，全球的非易失存储功能都仰仗于 NAND 闪存技术。其用途已经从单纯的闪存驱动器扩展到笔记本电脑、智能手机和平板电脑，如今又扩展至云端存储操作所需固态存储记忆体。随着时间的推移，结构上的逐渐演进已满足对存储容量增加、尺寸缩小和可靠度提升上的不断需求，而且此技术已经验证，可提供高性能，低功耗，并和以前的固态存储技术相比，每存储单位比特成本更低，其价值不言而喻。 最初，NAND 闪存制造商使用多重图案化技术来缩小尺寸，从而增加存储密度，降低相对应成本。遗憾的是，2D 或平面 NAND 闪存
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NAND 闪存
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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- 什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;组成rdquo;均研究的透彻底底的。闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同
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Flash存储器 闪存
- Flash存储器闪存工作原理及具体步骤-什么是闪存？闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。
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- 内存颗粒涨价狂潮，来了解一下MLC NAND闪存下的技术细节-2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司（IMFT）在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元（MLC）闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的IP库支持下，IMFT在同一年推出的第一个产品就让市场深受震动。
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- 在过去几年里，汽车应用对 NOR 闪存的需求不断增加。NOR 闪存最初应用在信息娱乐和引擎控制等方面。然而，随着汽车电脑化进程的步伐不断加快，NOR 闪存在汽车领域中的应用越来越广泛。尤其是在高级驾驶辅助系统 (ADAS)、数字仪表盘和信息娱乐等系统对NOR 闪存的市场需求迅猛增长。 高级驾驶辅助系统 针对提高驾驶安全性的高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的市场发展快速增长。目前，大部分ADAS 应用主要是基于
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- NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
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- 闪存存储器是嵌入系统中经常使用的非易失性存储器。在基于FPGA的嵌入系统中，由于FPGA没有包括闪存，所以闪存始终是外置设备。由于闪存存储器能够在断电后保持数据内容，它经常用于存储微处理器启动代码及其它需要在无电情况下继续保持的数据。闪存存储器既适用于并行接口又适用于串行接口。并行闪存设备与串行闪存设备的基本存储技术是相同的。
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- 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
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- 多年来，汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知，汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元，而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，这一数字还将不断上升。目前，每辆豪华车内部半导体元件的总价值约为1000美元，而中档车内部半导体元件的总价值约为350美元，汽车MCU是其中的重要组成部分。大多数汽车MCU具有片上嵌入式闪存，其中包含复杂而详尽的指令代码。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中，并且是非易失性存储器技术的
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- SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Ce
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- 2013年 08 月 15 日，中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码：CODE)今日宣布起诉台湾旺宏电子股份有限
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闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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