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闪存 文章 进入闪存技术社区

长江存储128层QLC闪存今年量产 2021逼迫闪存降价

  • 从去年下半年到现在,内存闪存的涨价让存储厂商重新过上了好日子,想降价只能靠中国厂商了。上周国内的长江存储宣布攻克128层堆栈的QLC闪存,性能、容量、密度三项世界第一,预计今年底量产。据介绍,长江存储的128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(
  • 关键字: 闪存  QLC闪存  长江存储  

瑞萨电子推出全新32位RX72N和RX66N MCU, 可同时实现设备控制与网络连接,适用于工业自动化设备

  • 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社近日宣布推出RX产品家族新成员——32位RX72N产品组和RX66N产品组,其单个芯片集成了设备控制与网络连接。RX72N基于瑞萨专有的RXv3 CPU内核,具备240MHz最大工作频率及双以太网通道;RX66N具备120MHz最大工作频率及单个以太网通道。在工业设备领域,性能与功能的不断升级导致程序代码愈加庞大。因此,存储容量和读取速度是决定实时性能的关键因素。全新RX72N和RX66N提供高达4MB片上闪存,可达到业界最高的120MHz读取频率,同时具备1
  • 关键字: 闪存  芯片  

国产38nm SLC闪存已量产 兆易创新:推进24nm闪存研发

  • 在NAND闪存市场,三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能,留给其他厂商的空间并不多。国内公司中,兆易创新表示能做38nm的SLC闪存,还在推进24nm闪存研发。前不久兆易创新发布了2019年报,去年营收32亿元,同比增长42%,净利润6.07亿元,同比大涨50%。兆易创新的主要有三大业务,最主要的是NOR闪存,全球市场份额在去年Q3季度上升到了第三,主要生产工艺为65nm节点,另有部分55nm工艺产品。兆易创新的NOR闪存累计出货量超过100亿颗,目前依然供不应求
  • 关键字: 国产  闪存  SLC  

紫光存储解散?国产闪存、内存市场人事地震:长江存储、紫光存储发声

  • 今天国产的存储芯片行业发生异动,传闻紫光旗下的紫光存储解散,相关人员要合并到长江存储中。随后这两家公司分别发表声明,辟谣相关报道。存储芯片是近年来国产半导体发展的重中之重,毕竟一年进口的内存及闪存芯片超过1000亿美元,份量极大,而紫光主导的几家存储公司是重点,尤其是长江存储,去年首发量产了国产3D闪存。最新的爆料称,紫光存储公司解散,未来重点转向DRAM内存,大部分员工正等着长江存储挑选,没有挑中的就要自谋生路。针对这一消息,紫光存储方面已经发表了声明,否认公司解散,但承认公司业务有所调整。紫光存储表示
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三星量产512GB UFS 3.1手机闪存

  • 三星近日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片,其连续写入速度超过1.2GB/s,是其前代产品写入速度的3倍。
  • 关键字: 三星  512GB  闪存  

2000亿大基金二期3月底开始投资 国产3D闪存仍是重点

  • 为了扶植半导体发展,多部门推动成立了“国家集成电路产业投资基金”,也就是大基金,一期已经完成,二期大基金规模高达2041亿元,今年3月份将开始实质投资。此前,国家集成电路产业投资基金(2014.09-2018.05)已经投资完毕,共募得普通股987.2亿元,同时发行优先股400亿元,总投资额为1387亿元(相比于原先计划的1200亿元超募15.6%),公开投资公司为23家,累计有效投资项目达到70个左右。据报道,大基金一期投资范围涵盖集成电路产业上、中、下游各个环节,其中67%的投资投向了半导体制造,包括
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美光3D XPoint存储芯片量产 分析师:不影响Intel

  • 3D闪存在2020年将全面升级到100+层堆栈,128层会是很多厂商的选择,再加上QLC闪存的普及,闪存及SSD硬盘的容量会进一步增加,同时降低成本。不过新一代闪存的问题在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC闪存,就像当年反感TLC闪存一样。有没有性能更强、可靠性更高的存储芯片?这也是有的,美光、Intel在2015年联合宣布的3D XPoint就是一种革命性的存储芯片,基于PCM相变存储技术,原理跟NAND闪存就不同,所以当时Intel、美光宣称它具备1000倍于闪存的性能、1000倍
  • 关键字: 闪存  QLC闪存  

要涨价吗?内存、闪存上游成交价持续上涨

  • 半导体行业因为种种原因,非常容易收到外来因素的影响。近日根据调查数据显示,在刚过去的1月份,内存和闪存芯片在上游的交易价均有一定幅度的上涨。其中,8Gb(1GB)DDR4-2133 PC内存内存环比上涨1.07%,均价来到2.84美元,128Gb MLC闪存颗粒价格环比上涨3.17%,均价来到4.56美元。
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国内内存、闪存工厂生产正常Q1合约价小幅上涨

  • 集邦科技旗下下半导体研究中心DRAMeXchange今天发表报告,称国内的内存及闪存工厂并没有受到疫情的影响,目前没有部分或者全面停产的迹象,生产情况正常,而且Q1季度的合约价已经谈完了,预计会小幅上涨。国内的存储芯片工厂主要分为海外投资及自主国产两部分,其中海外投资的主要是无锡的SK海力士内存工厂、大连的Intel闪存工厂、西安的三星闪存工厂,这些地方都远离武汉,正常生产没有受到影响。国产的存储芯片工厂中,合肥长鑫的内存工厂、福建晋华的内存工厂也同样没受到什么影响,只有紫光旗下的长江存储是在武汉的,不过
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长江存储:保障员工健康第一 国产闪存生产有序进行

  • 武汉的疫情不仅影响了很多人的正常生活,也对武汉的一些企业带来考验,国内有60多家上市公司位于武汉,小米、京东方、天马等公司都在武汉有生产基地。关心国产闪存的玩家也应该知道长江存储总部也在武汉,该公司日前回应称国产闪存生产有序进行,公司会将员工健康作为第一事项考虑。长江存储表示,始终坚持“人员安全第一”原则,严格按照政府规定保障员工的安全,延缓外地员工的返岗时间,并在条件允许的情况下鼓励远程办公,对在岗员工做好防疫宣传,发放口罩,体温检测,加强消毒,动线隔离等工作。对于原材料供应和物流方面,目前长江存储公司
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内存闪存涨价预警,微软索尼新主机用上16GB内存、TB级SSD

  • 最近一段时间来,内存、闪存涨价的消息搞的玩家心慌慌,2020年5G智能手机、数据中心、AI等市场对存储芯片的要求更高了。值得注意的是,今年微软、索尼还会推出新一代主机PS5、Xbox Series X,它们也会用上16GB内存及TB级SSD,也会争抢内存闪存份额。
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内存闪存涨价预警 微软索尼新主机用上16GB内存、TB级SSD

  • 最近一段时间来,内存、闪存涨价的消息搞的玩家心慌慌,2020年5G智能手机、数据中心、AI等市场对存储芯片的要求更高了。值得注意的是,今年微软、索尼还会推出新一代主机PS5、Xbox Series X,它们也会用上16GB内存及TB级SSD,也会争抢内存闪存份额。微软的Xbox One X、索尼的PS4系列主机用的还是8GB内存,硬盘倒是HDD机械盘,但是今年推出的PS5、Xbox Series X主机配置就会全面升级了,PS5的内存是16GB,Xbox Series X有两个版本,少则12GB,多则16
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SK海力士展示高端新SSD:128层4D闪存

  • 去年8月份,闪存巨头SK海力士重返消费级SSD市场,首发产品Gold S31只是个试水之作,常规的2.5英寸SATA形态,最大容量1TB。CES 2020展会上,SK海力士展出了两款新的高端SSD,分别是Gold P31、Platinum P31,最大特点采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND闪存。其实这里所谓的4D闪存,本质上还是3D堆叠闪存,依然基于3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Unde,只不过SK海力士在存储单元阵列之下增加了一个电路层。SK海力士已在半年前开始量产这
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中微中标9台长江存储蚀刻机 国产闪存用上国产半导体装备

  • 紫光旗下的长江存储在2019年9月份正式量产了国内首个64层堆栈的3D闪存,容量256Gb,TLC芯片,2020年长江存储还会进一步提升产能,年底将达到每月6万片晶圆的水平,是初期产能的10倍。扩大产能就意味着要购买更多的半导体生产设备,其中光刻机还只能依赖进口,但是其他设备有望加大国产采购力度。1月2日,上海中微半导体宣布中标了9台蚀刻机,而2019全年他们中标的也不过13台。蚀刻机是芯片制造中的一种设备,与光刻机、MOCVD并称为三大关键性半导体生产设备,它主要用来在芯片上进行微观雕刻,每个线条和深孔
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2020年3D闪存全面升级到1XX层堆栈 国产闪存全速追赶中

  • 在CES展会上,SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存(本质还是3D闪存,4D只是商业名称),已经用于自家的PCIe硬盘中,这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的,预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。3D闪存到底能堆栈多少层?就好像摩天大楼也不能无限堆高一样,3D闪存的层数也是有限制的,之前厂商的研究显示最多能堆栈到500多层,不过这是极限值,实际上并没有这么高。根据Techinsights最新的NAND闪存路线图,相比此前几年动不动就翻倍的堆栈层数,2022年大部分闪存厂商在
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闪存介绍

【闪存的概念】 闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [ 查看详细 ]

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