去年10月份，Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批，日前通过了欧盟的审批，中国的审批会是未来的关键之一。 上周末欧盟委员会正式批准了SK海力士收购Intel闪存业务的交易，没有任何条件限制，也无需任何进一步审查。 在扫清美国及欧盟的审批之后，SK海力士、Intel希望在2021年内获得其他国家的批准，其中中国监管部门的审批将是关键。 Intel及SK海力士在国内闪存市场上都占有相当多的份额，其中Intel在大连还有3D闪存厂，S
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SK海力士 英特尔 闪存
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存· 新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社（TSE:6762）将于2020年12月推出新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 闪存 SSD
一度把存储芯片业务视为六大支柱技术之一的Intel，日前突然宣布将闪存业务卖给了SK海力士，让外界颇感意外，毕竟这几年都是Intel收购别的芯片业务。根据协议，SK海力士将收购包括IntelNAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及Intel在中国大连的NAND闪存制造工厂。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从Intel收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。剩下的20亿美元要等到2025年完成最终交割时才会支付，届时SK海力士将从I
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闪存 Intel
根据科创板日报的消息，长江存储刚刚发布子品牌，命名 “致钛 •ZHITAI”，面向 3D NAND 闪存产品及解决方案市场。致钛 •ZHITAI 官方微博已经上线，这意味着未来长江存储将会推出致钛 •ZHITAI 的 SSD 产品。8 月 20 日，长江存储在武汉召开 “融合创新 · 长存之道”Xtacking 合作伙伴生态大会，正式宣布 Xtacking 生态联盟成立。据介绍，Xtacking 生态联盟旨在建立一个以合作伙伴为基础，以 Xtacking 品牌为标识，以长江存储 NAND 为载体的存储产品
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长江存储 闪存
Q3季度闪存价格又要跌10%，今年6大原厂将会把重点转向128层堆栈的3D闪存生产上来。国产的长江存储也赶上来了，4月份推出了128层QLC闪存，在中国电子信息博览会首次亮相。长江存储这次展示了64层、128层堆栈的闪存，其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存，基于Xtacking堆叠架构，单位面积的存储密度是同类产品中最大的。目前长江存储的量产主力就是64层TLC闪存，已经随光威、国科微、金泰克、七彩虹等厂商的SSD硬盘上市。长江存储展示的另一个重点是128层QLC闪存，这是今年4月13日才
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长江存储 128 QLC 闪存
Q3季度本来应该是闪存市场的旺季，但是现在闪存价格不仅没涨，反而逆势跌了10%，预计Q4季度还会继续跌，竞争更加激烈。闪存跌价有多方面因素，主要原因无疑是今年全球经济都会大幅下滑，闪存的主要市场——智能手机行业更是大跌。其他因素还有几大闪存原厂的96层及128层3D闪存良率增加，产能大增，进一步导致了市场供过于求，价格开始下滑。还有一个因素目前的影响比较小，但是海外厂商一点也不敢轻视，那就是国内的闪存厂商开始崛起，而且速度非常快。目前国内闪存主要是长江存储在做，它们2016年才由紫光集团整合武汉新芯才成立
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闪存 Q3
西数今天发布了2020财年Q4季度财报，营收42.87亿美元，同比增加18%，净利润1.48亿美元，上一年同期亏损1.97亿美元。这次的财报业绩确实光鲜了不少，营收大涨，扭亏为盈，非GAAP规则下净利润达到了3.69亿美元，大涨6.4倍，表现倒是很惊人。不过细看之下，西数这个财季的变化还真不小，HDD硬盘出货量为2310万部，创造了历史新低，与上一年同期的2770万部相比大幅下滑。HDD硬盘市场的情况也就这样了，出货量不断下滑是可以预期的，唯一的好处就是大容量HDD硬盘还不能少，所以西数的HDD硬盘均价还
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西数 闪存
据国外媒体报道，研究机构预计，销售额在去年大幅下滑的NAND闪存，在今年将大幅增长，同比增长率将达到27.2%，销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看，在集成电路的33个产品类别中，NAND闪存今年销售额的同比增长率，将是最高的，是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言，NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场，仅次于DRAM，后者的销售额预计为645.55亿美元，较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中，在全球集成电路市场，NAND闪存今年的销售额将占到15.2%，仅次于
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NAND 闪存
2020年7月28日上午，晟碟半导体（上海）有限公司举行了其上海工厂三期厂房扩建项目的开工仪式。作为西部数据公司除深圳工厂之外在华的另一大型工厂，此次晟碟半导体三期厂房扩建项目约为11,800平方米，预计于2021年完工；旨在扩充先进的产品制造设施和以产品为中心的技术研发，以支持潜在产能扩张，并为员工建立温暖如家的工作环境，提升团队凝聚力和集体归属感。晟碟半导体（上海）有限公司是美国西部数据公司下属全资子公司，主要从事先进闪存存储产品的研发、封装和测试，自2006年落户紫竹高新区以来，注册资本从3200万
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晟碟半导体，闪存
作为NAND闪存的最大市场，智能手机市场今年还会下滑，苹果、三星及华为的手机业务都遭受了压力，闪存市场也应声而跌，3个月来价格跌了20%，这一个月来就跌了8%。全球每年将近15亿台的智能手机是NAND闪存厂商的最大客户，如今手机的存储容量都是64-128GB起了，256GB及512GB也不少见，比很多人的SSD硬盘容量都大，结果这个最大动力今年也熄火了。今年全球经济都在下滑，第一大品牌三星最近调整了手机出货量目标，至少砍了15%，全年预期只有2.4亿部，接下来要发布的Note 20系列也在砍单，三星要求供
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华为 三星 苹果 闪存
6月27日，SEMICON China 2020大会于上海拉开帷幕。会上，长江存储联席首席技术官程卫华发表《探索闪存发展可能，共同迎接未来挑战》主题演讲，谈及了疫情下闪存产业发展、长江存储3D NAND技术进展等内容。程卫华认为，2020年不平凡的一年，这一年经历了新冠疫情的全球蔓延，国际局势的变幻莫测，全球产业链合作受到了极大的冲击。与此同时，疫情给人们的生活方式与半导体技术带来了改变。程卫华指出，消费市场的变化驱动了SSD的需求，以及云上业务驱动企业级SSD需求增长。从全球市场综合发展来看，企业级SS
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长江存储 闪存
4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。赵伟国表示，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND
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国产 128层 QLC 闪存
据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条
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三星 NAND 闪存
来自统计机构TrendForce的最新统计显示,刚过去的一季度,主要NAND闪存厂商的营收均有所增长,整体规模达到135亿美元,环比增加8.3%。品牌排名方面,三星依旧领衔,营收45亿美元,环比增加1.1个百分点,市场份额33.3%。KIOXIA(铠侠,原东芝存储)紧随其后,营收25.66亿美元,环比增加9.7%。市场份额19%。3~6名分别是西数、美光、SK海力士和Intel,营收20亿美元(份额15.3%)、15亿美元(11.2%)、14.4亿美元(10.7%)和13亿美元(9.9%)。报告称,一季度
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固态硬盘 闪存 SSD
长江存储近日宣布,已经攻克128层堆叠3D QLC闪存技术,单颗容量做到1.33Tb,创造单位面积存储密度、I/O传输速度、单颗芯片容量三个世界第一,首次跻身全球第一队列水平。当前,整个闪存行业都在全面转向100+层堆叠,其中东芝、西部数据是112层,美光、SK海力士是128层,三星是136层,Intel则做到了144层。中国的突破显然让国际巨头们有些不安,纷纷开始提速。三星日前就宣布,正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。在今天的第一季度财务会议期间,同样来自韩国的SK海
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闪存 SK海力士 长江存储
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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