- 6月3日消息，据台湾媒体报道，全球DRAM模组龙头美国金士顿创办人孙大卫昨天在台表示，DRAM厂的制程转换技术门槛不低，再加上智能手机等新的应用产品，带动DRAM需求，他认为下半年的DRAM市况应该会好。
孙大卫表示，DRAM制造厂越来越少，各大厂多进入制程转换的阶段，总产出量恐比实际预期要低。而在智能手机、3D电视等多元化的新应用产品纷纷出线下，下半年的DRAM供需不仅趋于平衡，甚至可能出现供不应求的情况。
南韩三星电子大举提高资本支出的计划，让台系厂商非常紧张。孙大卫则认为，目前全球的
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DRAM NAND 智能手机
- NAND闪存的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存 设计 映射 适应 NAND
- 按IC Insight报告，在DRAM 及NAND市场高涨下，导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂，它们的排名至少前进了一位，其中 Elpida前进了6位，列于第10。
同时列于第2的三星电子，估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥，IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时，它将扩大今年半导体的投资达96亿美元， 也即表示
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- 才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics)，再度因南北韩政治对立情势升温，战事恐一触即发，而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业，三星在此两大产业中，DRAM市占率分别超过30%，NAND Flash市占率逼近40%，未来南北韩关系若持续紧绷，甚至有战事发生，将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。
全球DRAM和NAND Flash生产大厂：三星
根据DIGITIMES
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- 三星在DRAM及NAND中称霸，年产值达200亿美元。然而近期的几件事让人联想泛泛，三星拟再夺全球代工的宝座。
南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)日前提高资本支出，其中在系统LSI(System LSI)部门，资本支出亦增加逾50%，达2兆韩元(约18亿美元)，以满足手机等系统单芯片(SoC)需求，显示三星有意加强晶圆代工业务。业界对此解读，三星主要系着眼于最大客户高通(Qualcomm)手机芯片订单，未来是否会扩大分食高通在台积电订单，高通订单版图移转变化有待观察
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三星 DRAM NAND
- 南韩三星电子大张旗鼓扩充DRAM产能，引发各方关注。台塑集团总裁王文渊日前于内部会议表示，原先预期三星明年下半年启动扩产，其进度比预期快得多，惟集团与美光合作的30纳米制程已完成开发，今年将切入50、42纳米制程，技术超越台系厂商;对照先前65纳米，生产成本优势将提升约40%至50%，台塑集团已积极审慎应战。
三星大张旗鼓扩充DRAM、NAND产能，由于比原先预期将在明年下半年启动快的多，也使台湾厂商将被迫提前面临新产业淘汰赛，但也突显三星对DRAM后续产业前景，有偏多的立场。
南亚科董事
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三星电子 DRAM NAND 50纳米
- 据市场研究公司iSuppli发表的按美元统计的第一季度全球NAND闪存市场的销售收入数字显示，三星和东芝主宰了NAND闪存市场，仅给其它所有的公司留下了较少的市场份额。三星今年第一季度的市场份额是38.5%，紧随其后的东芝的市场份额是33.8%。其它每一个厂商争夺的市场份额只有27.7%。
按美元统计，今年第一季度全球NAND闪存市场的销售收入是43.6亿美元，比 2009年第四季度的43.3亿美元增长了0.6%。因此，你可以计算出供应商的实际销售收入。iSuppli称，这是一个好消息，因为历史
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- 继今年二月份宣布成功试制出25nm制程NAND闪存芯片产品之后，Intel与镁光的合资公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布开始正式对外销售量产的25nm制程NAND闪存芯片，这种新制程的芯片产品容量将比34nm制程产品提升一倍。
这次采用25nm制程技术制作的NAND闪存芯片产品主要是8GB容量的芯片产品，这种8GB芯片的面积仅为167平方毫米，其容量可容纳2000首歌曲，7000张照片或8小时时长的视频片段。
目前还不清楚首款配置这
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Intel 25nm NAND
- 据iSuppli市调公司2010年第一季度的NAND闪存市场调查报告显示，三星与东芝公司两家占据了NAND闪存市场的绝大部分份额，其中三星的营收 份额最高，达到了38.5%，东芝则位居第二为33.8%，两者合在一起占据了72.3%的NAND闪存市场营收份额。按美元计算，今年第一季度NAND 闪存的市场总值达到43.6亿美元，比去年第四季度NAND闪存市场总值43.3亿美元提升了0.6%。由于季节性因素的影响，每年的第一季度闪存市场一 般都会比上一年最后一季度有所萎缩，而今年则反其道而行，iSuppli
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- 英特尔今天开始出货25纳米NAND闪存，容量为8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存储能力却增加了一倍，这种芯片主要面向智能手机和多媒体播放器。
同时英特尔还暗示600GB的固态硬盘产品将在今年年末出现，使用的应该也就是这款闪存芯片。
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英特尔 25纳米 NAND
- 电路的功能以往一提到F-F转换器，往往选用混合集成组件，而本电路使用了单片V-F转换器，这是一种廉价的100KHZ V-F转换器标准电路，它把0~10V的输入电压转换成0~100KHZ的脉冲串。用光耦合器或光纤传输，可以把模拟信号
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V-F 转换器 100KHZ 廉价 IC 构成 单片
- 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。
NAND Flash产业2009年率先落底反弹，但2010年表现空间不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- Fudzilla消息，英特尔今年将有SSD方面的大计划，预计在今年第四季度，公司将展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD产品。
这种SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技术，容量包括160、300和600GB，属于第二代X25-M产品序列，包含1.8和2.5英寸版本。
其中1.8英寸版本最大容量300GB，将成为供应家庭娱乐和消费电子的主推产品。
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英特尔 SSD NAND
- 以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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海力士 NAND DRAM
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