- 据外电报道，三星电子表示，该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。
20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性，比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。
三星电子相关负责人表示，公司同时开发20纳米制程32GB多层单元专用controller，确保了与30纳米级NAND闪存相同的稳定性。
三星电子的20纳米制程NAND闪存将先用于手机存储卡SD卡。
此外，今年2月公布开发20纳米制程64GB NAND闪存
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- Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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- 据国外媒体报道，三星电子今天发布的财报显示，受益于PC需求增加以及电视价格上涨，该公司第一季度营业利润同比猛增7倍。
利润增长
三星的初步财报显示，该公司第一季度营业利润约为4.3万亿韩元(约合38亿美元)，上下浮动区间为2000亿韩元，去年同期调整后营业利润仅为 5900亿韩元。根据彭博社的调查，15名分析师此前对三星营业利润的中位数预期为4.27万亿韩元。
外界预计，受到存储芯片以及平板显示器价格上涨的刺激，三星第一季度将创下今年最好业绩。受此影响，三星股价周一创下历史新高。分析
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- 按Benchmark Euqity研究公司报道, 紧接着2009年未的迅速地复苏, 进入2010年时全球半导体业在数量上仍有15-20%的增长。
按Benchmark的分析师Gary Mobley的看法, 从2009年1月的谷底算起,全球芯片出货量己经增长大於75%。在相同的期间美国费城半导体指数也增长相近的量。
当大部分工业分析师都认为今年半导体市场有20%的增长时,Benchmark分析师相信今年非
常可能有22%-24%的增长。
其中某些芯片的库存包括存储器，部分模拟电路
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- 嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用,当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程
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- 市场研究机构Web-Feet Research公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子(Samsung Electronics)仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝(Toshiba)与SanDisk;SanDisk的表现意外亮眼，领先美光(Micron)、海力士(Hynix)与英特尔(Intel)。
在其它市场研究机构的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因为在某些情况下该公司是与合作伙伴东芝视为一体。Web-Feet Research报告中列出了17家闪存制造商的出货成绩，东芝与
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- 来自调研公司 iSuppli的统计显示，2009年半导体产业整体处于下滑状态，但总部在亚太地区的半导体供应商却实现了逆势上涨。
亚太区供应商专注热门产品
iSuppli调研结果显示，2009年总部位于亚太地区的半导体供应商合计营业收入实际增长2.3%，从2008年的435亿美元上升到445亿美元。相比之下，2009年全球半导体营业收入锐减11.7%，从2008年的2602亿美元降至2299亿美元。
“去年芯片产业形势黯淡，而亚太地区的供应商却设法实现了增长，因为他们专注于
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- 东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。
目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术，主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制程以下的芯片，需使用较短光波的极紫外光微影(EUV lithography)技术，因此，东芝也将进行相应的技术升级。目前，东芝已向荷兰半导体微影系统大厂ASML订购设备，预计在今年夏天试验投产。消息一经公布，东芝在股市中涨幅达3.5%，远远超过同类电气机器指数0.8%的涨幅
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- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010财年第二季度的运营成果。对于2010财年的第二季度，该公司取得了可归属于其股东的3.65亿美元，合摊薄股每股0.39美元的净收入，其净销售额达近20亿美元。相比之下，2010财年第一季度的净收入为2.04亿美元，合摊薄股每股0.23美元，净销售额为17.4亿美元，并且2009财年第二季度的净亏损为7.63亿美元，合摊薄股每股0.99美元，净销售额为10亿美元。2010财年之前各个时期的金额及
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- 由于目前存储器供应短缺、供不应求，全球第2大存储器厂商海力士(Hynix)预期2010年的营收可望达到10年来的最高点。
目前DRAM市场正处于供不应求的状态。自2009年全球经济逐渐回温后，企业放宽支出，对个人计算机(PC)的需求也回升，光是2010年PC销量就可能较2009年增加10%，带动了DRAM的需求量上升。
另外，智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)及其它行动设备的市场规模日增，也让NAND Flash的需求量不断攀升。但相对于存储器芯片需求量节
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- 据iSuppli公司，由于来自高密度应用的需求上升以及供应商的产量稳步增长，NAND闪存价格波动了两年之后，该市场已恢复稳定。
第一季度NAND平均价格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于这些相对温和的变化，2009年第一季度大涨34%。
NAND价格持续透明，导致2009年第四季度营业收入创出最高记录，使得多数NAND供应商对于2010年持有非常乐观的看法。在智能手机和microSD卡等高密度应用的推动下，市场对于NAND闪存的需求不断增长，也增强了厂商的信心。这种旺盛需
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- 三星电子(SamsungElectronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。MeritzSecurities分析师LeeSun- tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
YonhapNews于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在当地时间
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三星电子 DRAM NAND
- 三星电子(Samsung Electronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。 Meritz Securities分析师Lee Sun-tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
Yonhap News于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在
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- 韩国三星电子公司近日表示本月24日下午，其设在Kiheung地区的一个NAND闪存生产基地遭遇了断电事故，不过据三星公司的发言人表示这次为期一小 时的断电并没有对其32Gb以及其它大容量NAND闪存芯片的生产造成显著影响。
据三星的通路合作伙伴透露，在这次停电事故中受到影响的工厂主要包括三星旗下两间12英寸厂Fab13和Fab14.其中Fab13主要负责为三星生产内存芯片，而Fab14则主要生产NAND闪存芯片。Fab13和Fab14的月产能大约分别是12万/13万片晶圆。
无独有偶，20
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