在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很...
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MOSFET 结构 开关 驱动电路
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际...
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MOSFET 结构 开关 马达 驱动电路
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出针对每通道25W以上D类音频放大器的IRAUDAMP7参考设计，适用于包括家庭影院设备、乐器和汽车娱乐系统等应用。IRAUDAMP7的功率范围为25W至500W，为单层PCB提供了高度的扩展性。
IRAUDAMP7S 120W双通道、半桥式设计可以实现120W 8欧姆D类音频放大器91%的效率，在频率1 kHz的60W 8欧姆时的THD+N为0.005% （均为典型） .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
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IR D类音频放大器 参考设计 MOSFET
在中国中，电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置，（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT（绝缘栅双极晶体管）销售额虽然不大，但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多，其市场销售额保持着较快的增长，是中国功率器件市场中的新兴产品。
从应用领域上看，消费电子领域销售额位列第一位，工业控制居于第二，计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%，是功率器件的重要应用市场。同时，凭借笔记本电脑
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MOSFET 功率晶体管 消费电子 IC LDO 液晶电视
麦克雷尔公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，为其 HyperLight Load（TM） 同步降压调节器家族增添了两名新成员。这项在 MIC23030/1 中实施的专利架构能为便携式产品提供一流的瞬态性能和刚好3毫伏的输出电压纹波。该调节器内置 MOSFET，可在一个1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封装中提供高达4亿安的输出电流，而损耗量仅为21微安的静态电流。这些 HyperLight Load（TM） 降压调节器能够实现高达93
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麦克雷尔 Micrel 降压调节器 MOSFET
高能效电源解决方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor）日前宣布，佛山市中格威电子有限公司（广东志高集团）选用其NCP1027为广东志高空调有限公司节能空调新产品电控系统供电，实现更高的工作效率和更低的待机能耗。
安森美半导体的NCP1027为志高空调在10瓦（W）输出功率电平提供新的解决方案。安森美半导体专有的跳周期工作技术使空调在低峰值电流下工作；公司的高压技术体现在带有启动电流源的内置700 V MOSFET，而这MOSFET和启动电流源都直接连接至大电容。为了防止低输出电
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安森美 电源 能耗 MOSFET
MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 电视和液晶显示器背照灯元件的新型节能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列。
这款 N-P 多芯片 MOSFET 系列拥有专为液晶电视和液晶显示器逆变器设计的 N 通道功率和 P 通道功率互补 MOSFET 系列。该系列产品为半桥或全桥逆变器设计提供了一个最优化的解决方案，有 DPAK（分立元件封装）和 SOIC-8（小型集成电路封装），在单一设备中综合了 N 通道和 P 通道，从而节省了电路板空间和成本。此外，该 N-P 多芯片 MOS
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液晶 MagnaChip MOSFET 显示器
1 引言
长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的发展，以及脉宽调制(PWM)直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是，专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求
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直流电机 驱动 PWM MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率 MOSFET 系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的业界首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括业界首款采用 PowerPAK SC-75 封装的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 单 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 为首款 -8V 的此类器件，目前此类器件又
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Vishay MOSFET p 通道 功率
PAM(Power Analog Microelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺制成。具有从5.5V 到40V很宽的输入电压范围，它是一个非常灵活的LED驱动器,可以工作于升压、降压、升降压（SEPIC）三种工作方式。它可以利用内置的MOSFET来驱动10个3瓦的LED，或者30个1瓦的LED。由于它在很宽的电压范围内的恒流特性和95%以上的效率，使它不论是在输入电压跌落或很高的环境温度时，都能正常工作。因为利用了台积
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驱动器 PAM MOSFET LED 台积电
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器 LTC3851，该器件驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级并具有一致或比例跟踪功能。4V 至 38V 的输入范围促成种类繁多的应用，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器允许使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的输出电压范围内产生高达 20A 的输出电流，从而使 LTC3851 非常适合于负载点需求。应用包括汽车、工业、
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凌力尔特 稳压器 控制器 MOSFET
Maxim Integrated Products推出能够提供2A和1A输出电流的双路输出、高开关频率DC-DC转换器MAX5098A/MAX5099.转换器直接采用汽车电池供电，集成了能承受高达80V瞬态电压的抛负载保护电路，器件的工作电压可低至4.5V，以适应冷启动情况。另外，器件具有可编程的200kHz至2.2MHz宽开关频率范围，从而可以工作于AM频段以外的频率。可靠的保护特性和较宽开关频率范围使MAX5098A/MAX5099成为高端设备、仪表盘显示器和汽车广播等汽车应用的理想选择。
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Maxim DC-DC 转换器 MOSFET
据iSuppli公司，预计2008年中国市场电动自行车出货量将低于2007年，与2005年大增80%以及过去10年94%的复合年增长率形成鲜明对比。2008年中国电动自行车产量将达到2110万辆，营业收入为29亿美元。比2007年2130万的出货量下降不到1%。这意味着今年中国的多数电动自行车厂商可能遭遇亏损。
图 2004-2012年中国电动自行车产量与预测
来源：iSuppli，2008年6月
中国电动自行车厂商目前面临更加不确定的消费者以及更加严格的政府法规。经过10年
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半导体 电动自行车 MOSFET 电池 200808
MOSFET 理想二极管控制器在低压应用中，为坚固的电源“或”提供快速接通和关断
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二极管控制器 LTC4352，该器件使多个电源能够进行低损耗“或”连接而对电源电压有最小干扰。LTC4352 调节外部 N 沟道 MOSFET 上的正向压降，以确保在二极管“或”应用中电源之间平滑传送电流。在低压系统中，控制器之间的慢切换导
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凌力尔特 MOSFET 理想二极管 控制器
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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