产品特性：
耐压650V
STY112N65M5:最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）
STW77N65M5:最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）
采用了改进Super Junction结构
应用范围：
太阳能电池功率调节器
关键字：
意法 MOSFET IGBT
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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MDmeshV MOSFET RDS
自从美国TI公司推出通用可编程DSP芯片以来，DSP技术得到了突飞猛进的发展。DSP电源设计是DSP应用系统设计的一...
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DSP CPU 电源芯片 MOSFET
NCP370保护便携设备免受浪涌损伤，并控制反向电流来保护便携设备附件，不需使用外部元件。
2009年2月3日 - 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出业界首款集成型双向器件，为手机、MP3/4、个人数字助理(PDA)和GPS系统提
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安森美 OVP OCP MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
关键字：
MOSFET
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。
虽然SOT23F的扁平封装体积小巧，但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻仅为500mΩ，能够使功耗保持在绝对极小值。
ZXMS
关键字：
Diodes MOSFET ZXMS6004FF
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。
关键字：
MOSFET 漏极 导通 开关过程
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实――硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
关键字：
MOSFET 表面贴装 封装
有些设计者为了追求较高的转换效率, 选择了升压方式，产生一组高于输入的稳定输出, 如图三的升压架构。由于功率开关MOSFET是外置的, 可提供较大的输出功率。在输出功率许可的条件下，也可以选择内置MOSFET功率开关的升压转换器，如MAX1722, 可有效节省空间、降低成本。
手机Vdd解决方案
对于手机Vdd，可以选择Buck电路提供所需要的电压。图四便是一个内置MOSFET功率开关的同步降压结构，可提供400mA的输出电流。工作频率高达1.2MHz, 允许设计者选用小尺寸的电感和输出电容,
关键字：
MOSFET 电源 OLED
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近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流容量，从而具备了较低的开关损耗及较快的开关速度，被广泛地应用在低压功率领域。
低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成，为了降低导通电阻，同时不降低器件其他性能，如漏源击穿电压，最直接的办法是减少相邻元胞的间距，在相同的面积下，增加元胞的集成度。基于此，本文借助了沟槽
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MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench® MOSFET，FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench® MOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低5
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飞兆半导 FDMA1027 MOSFET
2008年11月13日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。
这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOS
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安森美半导体 MOSFET
Diodes Incorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MOSFET。
这些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封装，引脚和占位面积与现有器件兼容，性价比具有竞争优势，不仅能减少物料清单，还能在无需额外成本的情况下提升性能。新器件可用于DC/DC转
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Diodes MOSFET
二零零八年十月二十一日--中国讯 -- 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代号：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降压控制器。与此同时，该公司还推出了业界首套端到端MOSFET的筛选工具，可有效的协助工程师精简开关控制器的设计。
该系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降压控制器共有 4 个不同型号，全部都
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半导体 控制器 MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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