- 这一年来半导体最热门的新闻，大概就属FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?为什么让这么多国际大厂趋之若骛呢?
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FinFET ARM
- 鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本，满足车载装置、物联网和穿戴式装置发展需求，因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力，已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出，随着先进制程发展，该公司产品开发有两大重点方向，一是电晶体与导线技术，另一个是图形制作与检测技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示，从28奈米到20奈米，甚至发展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 这么多年，新工艺一直是AMD的痛点。早年自己生产进展跟不上，现在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，台积电都跑去抱苹果的大腿了，导致其CPU还是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。
不过在昨日的财务会议上，AMDCEOLisaSu兴奋地透露，其首批两款基于FinFET新工艺的芯片已经完成了流片，进展顺利，接下来就可以去投产了。
她并没有说具体是哪两款产品(估计会是新架构ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是谁，台积电16nm、GF14nm都有
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AMD FinFET
- 自去年国家集成电路产业投资基金(以下简称大基金)成立，至今已募集资金1300多亿元，提前并超额完成了基金的募集任务。正是因为“手握重金”，坊间对于大基金的传言不绝于耳。更有业者担心大基金的投资会不会遍地开花，甚至会毁了中国整个集成电路产业。据最接近大基金的业内资深人士透露，这个担心是多余的，大基金的“国家战略+市场化运营”的机制以及股权投资基金业的游戏规则决定了它不会这么干!
市场上的私募股权投资基金不胜枚举，大基金之所以吸引眼球，无非是它有了
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集成电路 FinFET
- 美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
- 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。
例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，该公司正在14至16奈米节点采用
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FinFET FD-SOI
- GLOBALFOUNDRIES，世界先进半导体制造技术的领导者，今天宣布了其为14 nm FinFET工艺技术而开发的强化过的设计架构，在帮助那些采用先进工艺技术设计的客户的进程上达到了一个关键里程碑。
GLOBALFOUNDRIES与重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作开发出的新型设计流程，实现了从RTL到GDS的转换。该流程包括了基于工艺技术的PDK和早期试用标准单元库，形成一个数字设计“入门套件”，为设计人员进行物理实
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GLOBALFOUNDRIES FinFET
- 虽然台积电仍是全球晶圆代工市场的龙头大厂，但为牵就苹果(Apple)这个大客户，内部压宝16纳米、20纳米设备可以大部互通的产能扩充弹性优势，硬是将16纳米FinFET制程技术订为20纳米下一棒的规划蓝图。
反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特尔(Intel)及三星电子(Samsung Electronics)14纳米FinFET制程技术的怀抱后，即便苹果仍可喂饱台积电先进制程产能，但台积电客户结构从以IC设计公司为主，变成以系统厂独霸半遍天，加上主要竞争对手也开始争取到重要
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FinFET 晶圆
- Exynos 7420已经将与英特尔在2014年10月发表第一款14奈米Broadwell 处理器5Y70的差距缩小。
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三星 FinFET
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Galaxy Design Platform设计平台被用于90%的FinFET设计量产
强劲的平台采用率彰显了Synopsys在FinFET数字和定制设计实现工具领域内的领先性
所有的FinFET晶圆代工厂都已经使用并认证了Galaxy Design Platform
新思科技公司(Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 设计平台支撑了90%基于FinFET设计的量产流
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Synopsys Galaxy FinFET
- 新思科技(Synopsys)宣布，Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片设计量产投片，目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台，成功完成超过100件FinFET投片。
格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIE)、英特尔晶圆代工(Intel Custom Foundry)、三星电子等晶圆厂已经利用Galaxy Design Platform为彼此之共同客户如Achronix、创意电子(Global Unichip Corporation)、海思半导体(H
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新思科技 FinFET
- 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout)，目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台，成功完成超过100件FinFET投片。
包括格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIE)、英特尔晶圆代工(Intel Custom Foundry)、三星电子(Samsung)等晶圆厂已经利用Galaxy Design Platform为彼此之共同客户如Achronix、创意电
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Synopsys FinFET
- 联电积极扩充28奈米产能，预计今年中月产能可达2万片，28奈米毛利率将达平均水准。此外，联电已建置月产能约3,000片的14奈米生产线，预计第2季进行第2代14奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程试产，若下半年客户产品陆续完成设计定案(tape out)，明年将开始拉升产能进入量产阶段。
联电去年第4季28奈米投片大增，包括高通、联发科等5家客户晶片进入量产，并有逾10家客户完成设计定案并展开试产，也让28奈米占去年第4季营收比重正式突破5%。联电已积极进行扩产，预估今年中可将28奈米月产能扩
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台积电 三星 FinFET
- 益华电脑(Cadence Design Systems)宣布，已与通讯网路与数位媒体晶片组供应商海思半导体(HiSilicon Technologies)已经签署合作协议，将于16奈米 FinFET 设计领域大幅扩增采用Cadence 数位与客制/类比流程，并于10奈米和7奈米制程的设计流程上密切合作。
海思半导体也广泛使用Cadence数位和客制/类比验证解决方案，并且已经取得Cadence DDR IP与Cadence 3D-IC 解决方案授权，将于矽中介层基底(silicon interp
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Cadence 海思 FinFET
- 三星电子(Samsung Electronics)在稍早传出开始量产采用14纳米FinFET制程技术的A9芯片，这对于三星来说，在抢佔先进微细制程市场以及与苹果(Apple)合作关系上，可以说是一箭双雕。
据ET News报导，三星美国奥斯汀厂传出已经开始量产采用14纳米FinFET技术的苹果A9。虽然美国奥斯汀厂以及韩国器兴厂均拥有FinFET制程的产线，但由于为量产的第一阶段，因此先由奥斯汀厂打头阵。
此外分析指出，由于顾及次世代芯片性能资安以及供应等问题，奥斯汀厂是在苹果的要求下首先
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三星 FinFET 14纳米
finfet介绍
FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，闸长已可小于25奈米，未来预期可以进一步缩小至9奈米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [
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