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FinFET之父胡正明谈人才培育

  •   潘文渊文教基金会日前举行“潘文渊奖”颁奖典礼,2016年的得奖人是加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明,他曾回台担任台积电首任技术长,也是工研院院士,他所研发的3D鳍式晶体管(FinFET)突破物理极限,堪称半导体工业40多年来的最大变革。   胡正明目前仍深耕学术教育,为产学研界培育众多优秀人才。 在颁奖典礼中,胡正明与清华大学前校长刘炯朗以“创新人才培育─迈向科技新世代”为题进行高峰论坛,两人提出许多深具启发性的见解。   肯定自己 解决问题就是创新
  • 关键字: FinFET  

胡正明续写摩尔传奇 FinFET/FD-SOI厂商如何押宝?

  •   近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注,为何?因为FD-SOI技术。   众所周知,当栅极长度逼近20nm大关时,对电流控制能力急剧下降,漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。   尽管FinFET与FD-SOI师出同门,但是,两者却被“阵营化”,FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。   今天我们就来谈谈Fi
  • 关键字: FinFET  FD-SOI  

SOI与finFET工艺对比 中国需要发展谁才正确

  • 中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后,如何踏实去干,去解决一个一个难题。任何进步没有捷径,其中骨干企业的责任尤为重要。
  • 关键字: SOI  finFET  

高通总裁谈服务器芯片:更低功耗实现相同性能

  •   2016年12月7日,高通宣布在服务器领域的最新进展:其首款10nm服务器芯片Qualcomm Centriq 2400开始商用送样,预计在2017年下半年实现商用。作为Qualcomm Centriq系列的首款产品,Centriq 2400采用最先进的10nm FinFET制程技术,这也是全球首款10nm处理器芯片,最高可配置48个核心。   高通官方介绍,Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制内核——Qualcomm® Fa
  • 关键字: 高通  FinFET  

中国微电子所在FinFET工艺上的突破有何意义?

  •   最近,中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组,利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏(MSD),能显著降低源漏寄生电阻,从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍,使得驱动性能达到了国际先进水平。   基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会(IEDM)接收,并在IEDM的关键分会场之一——硅基先导CMOS 工艺和制造技术(PMT)上,由张青竹
  • 关键字: FinFET  摩尔定律  

中国突破半导体新工艺 先要从这位美籍华人讲起

  • 由于技术和商业上的原因,摩尔定律也失去了效力,而且受制于光刻技术、硅材料的极限等因素,芯片制程提升很可能会遭遇瓶颈,这种情况下胡正明教授的FinFET研究就尤为重要。
  • 关键字: 半导体  FinFET  

格罗方德展示基于先进14nm FinFET工艺技术的业界领先56Gbps长距离SerDes

  •   格罗方德公司今天宣布,已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56Gbps SerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分,FX-14™ 具有56Gbps SerDes,致力于为提高功率和性能的客户需求而生,亦为应对最严苛的长距离高性能应用需求而准备。  格罗方德56Gbps SerDes 内核同时支持 PAM4 和 NRZ 信号传导,可补偿超过35dB的插入损耗,因而无须在目前极
  • 关键字: 格罗方德  FinFET  

控告三星/高通/苹果FinFET技术侵权 这家公司有多牛?

  •   尽管距离国际标准化组织确定的2020年5G商用仍有3年时间之久,现在的4G网络还有潜力挖掘和价值提升的空间,然而全球“大T”们(运营商)的发展焦点已经向5G转移,纷纷从技术研发、标准制定、产业储备等方面入手,对5G进行全面布局。   “预计2022年全球将有5.5亿5G用户,其中北美和亚太将成为发展最快的两大地区。”鉴于全球运营商的积极行动,业界纷纷调高了对5G发展速度的预期,爱立信在近期发布的《移动市场报告》中就给出了2020年5.5亿用户的预期。
  • 关键字: 三星  FinFET  

FinFET技术发明人胡正明:网速有千百倍成长空间

  •   半导体领域FinFET技术发明人胡正明说,由于半导体技术的突破,网际网路的速度和普及度还有千百倍的成长空间。   在中国大陆乌镇举行的第3届世界互联网大会,今年首次举办“世界互联网领先科技成果发布活动”,由海内外网路专家组成的专家征集并评选出15项最尖端的技术成果和最具创新性的商业模式。胡正明及其率领的研究团队,在半导体微型化的突破成就是其中之一。   胡正明率领的美国加州大学柏克莱分校团队,将平面二维晶体管创新制作成垂直三维的“鳍式电晶体”,让半导
  • 关键字: FinFET  

SoC系统开发人员:FinFET在系统级意味着什么?

  • 大家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20 nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但
  • 关键字: SoC  FinFET  MOSFET  

FinFET 技术中的电路设计:演进还是革命?

  • 所有大型晶圆代工厂都已宣布 FinFET 技术为其最先进的工艺。Intel 在 22 nm 节点上采用该晶体管,TSMC 在其 16 nm 工艺上使用,而 Samsung 和 GlobalFoundries 则将其用于 14 nm 工艺中。
  • 关键字: FinFET  电路设计  

半导体制程技术竞争升温

  •   要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…   尽管产量仍然非常少,全空乏绝缘上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)制程有可能继Globalfoundries宣布12奈米计画(参考阅读)之后快速成长;而市 场研究机构International Business Strategies (IBS)资深分析师Handel Jones表示,三星(Samsung)或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用FD
  • 关键字: 制程  FinFET  

Synopsys占九成FinFET投片,Cadence趋于弱势

  • 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout),目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台
  • 关键字: Synopsys  FinFET   

移动处理器工艺制程挑战技术极限 FinFET成主流

  •   随着半导体工艺技术的进步与智能手机对极致效能的需求加剧,移动处理器的工艺制程正在迈向新的高度。目前,全球领先的晶圆代工厂商已经将工艺制程迈向10纳米FinFET工艺,16/14纳米节点的SoC也已实现量产,那么半导体技术节点以摩尔定律的速度高速发展至今,移动处理器的工艺制程向前演进又存在哪些挑战?同时,进入20纳米技术节点之后传统的CMOS工艺式微,这将给FinFET与FD-SOI工艺在技术与应用上带来怎样的发展变革?     5纳米节点是目前技术极限 摩尔定律被修正意义仍在
  • 关键字: 处理器  FinFET  

全球首家:台积电公布5纳米FinFET技术蓝图

  •   台积电7月14日首度揭露最先进的5纳米FinFET(鳍式场效电晶体)技术蓝图。台积电规划,5纳米FinFET于2020年到位,开始对外提供代工服务,是全球首家揭露5纳米代工时程的晶圆代工厂。   台积电透露,配合客户明年导入10纳米制程量产,台积电明年也将推出第二代后段整合型扇形封装(InFO)服务。台积电强化InFO布局,是否会威胁日月光、矽品等专业封测厂,业界关注。   台积电在晶圆代工领域技术领先,是公司维持高获利的最大动能,昨天的新闻发布会上,先进制程布局,成为法人另一个关注焦点。   
  • 关键字: 台积电  FinFET  
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finfet介绍

FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,闸长已可小于25奈米,未来预期可以进一步缩小至9奈米,约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [ 查看详细 ]

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