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ddr2-sdram 文章

内存价格3天飙升100元 业内称炒房不如炒内存

  •   在2008年底,内存价格跌至谷底,2G的DDR2代内存售价不足百元,零售价仅为98元。 在此之后,内存价格一路飙升,到目前为止,市场主流2G的DDR2代内存售价已高达355元。业内人士惊呼“炒房不如炒内存。”近日,珠海钟先生在组装电脑的过程中发现,内存条的预算占去了装机价格的五分之一。“3条 2G内存 的价格就超过了2000元,大大超出了预算。”钟先生告诉记者,由于他选择的是国外发烧级产品,因此一条2G内存的售价就高达700多元。   “上
  • 关键字: 存储  内存  DDR2  

三星跳电 存储器产业链绷紧神经

  •   三星电子(Samsung Electronics)韩国器兴厂24日下午停电约1小时,虽然三星官方指出影响不大,但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张,甚至传出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影响,尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存储器零组件都供货吃紧,三星跳电事件恐让存储器供应链出现供货排挤效应。   三星器兴厂发生停电意外,在启动不断电系统 (UPS)后,1小时内便恢复运作,估计此事件对公司营运影响不大。   存储器业者指出,这次三星受影响厂区
  • 关键字: 三星电子  DRAM  SDRAM  存储器  

威刚董事长预计DRAM市场二季度起出现供应短缺

  •   据台湾媒体报道,威刚科技董事长陈立白(Simon Chen)今日表示,从第二季度开始,动态随机存储器(DRAM)市场可能会面临供应短缺问题,到今年下半年,供需缺口可能会达到10%。   据报道,很多DRAM生产商已将部分DDR-2芯片产能转为生产DDR-3,这推动DDR-2芯片价格在传统淡季第一季度出现上涨。   报道称,自春节假期结束以来,DDR2现货价格已上涨6.8%。   威刚科技主要生产USB闪盘驱动器。
  • 关键字: 威刚  DRAM  DDR2  

台湾DDR2内存现货价节后上涨7%

  •   据台湾经济日报报道,内存(DRAM)补货潮号角响起,DDR2现货价打破传统淡季束缚率先表态,农历年后上涨近7%,创近一个多月新高。相关大厂如力晶、茂德、威刚等可望受惠,但科技大厂可能得要担心,资讯产品供应链下半年会出现缺货潮。   威刚董事长陈立白指出,电子大厂都在谈缺工,其实缺工问题不大,缺货才是下半年大难题。主要是笔记型与桌上型电脑等产品会面临这个问题。   根据集邦科技(DRAMeXchange)26日的报价,1Gb DDR2有效测试颗粒(eTT)上涨逾2%,均价2.35美元,创近一个多月新
  • 关键字: 茂德  DDR2  DRAM  

DDR2芯片价格有望在下半年超过DDR3

  •   报道,威刚主席Simon Chen今天表示,随着DRAM制造商把重点放在DDR3芯片生产上,DDR2芯片的出货量将开始减少,其价格有望在今年下半年超过DDR3。   Simon Chen认为,DDR2在低端PC市场还是比较受欢迎。如果1Gb DDR2的价格低于2美元,那么它需求将会出现大幅度增长。   Simon Chen还表示,上游芯片供应商纷纷通过工艺升级的方式来加大DDR3芯片的产量,不过这种升级或许会因为其它设备的供应短缺而延缓。   根据DRAMeXchange的监测,1Gb DDR2
  • 关键字: DRAM  DDR3  DDR2  

DRAM迎来希望之光 年底将“春光灿烂”

  •   在DRAM市场的历史上,2009年初可能是最黑暗的时期之一,当时厂商能活下来就不错了。   但是,继春季温和复苏之后,DRAM供应商的黑暗日子结束,夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨,营业收入也水涨船高。三星走在前列,营业利润率为19%,营业收入达22亿美元,市场份额扩大到35.5%的最高水平。   DDR3来临   第三季度,下一代DRAM技术——DDR3看到希望,而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli公司预测,DDR3出货量将在2010年第一季度超
  • 关键字: DRAM  DDR3  DDR2  

中芯国际全面停止DRAM芯片生产 台湾厂商受惠

  •   上海芯片代工厂中芯国际自新任CEO王宁国掌权后,包括中芯本身、武汉厂新芯、成都厂成芯等可掌控产能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生产业务。   由于中芯过去两年以SDRAM填补产能,成为国内消费性电子产品及家电市场SDRAM最大供应商,此次停产后导致市场供货短缺效应逐步发酵,128Mb及256Mb x32规格SDRAM现货价近日飙出新天价,台湾地区SDRAM供应商受惠最大。   中芯这两年因SDRAM月投片产能维持在2万片8吋芯片规模,在大陆消费性电子及家电市场,拥有超过30%的市场占有率,
  • 关键字: 中芯国际  芯片代工  SDRAM  

台湾DRAM厂商大举转产DDR3

  •   2010年PC主流内存标准从DDR2向DDR3的转换正在逐步成为现实。据台湾媒体报道,由于下游厂商的DDR2订单量近期出现急剧下滑,多家台系DRAM芯片制造商都在加快产能从DDR2向DDR3转换的步伐。根据稍早前的报道,台湾力晶(PSC)半导体以及他们和日本尔必达合资的瑞晶电子(Rexchip)预计,今年第一季度DDR3晶圆在其总产能中所占比例 将超过70%。而去年第三季度,DDR3颗粒占其产量的比例还不足5%。从去年第四季度开始,力晶和瑞晶已经明显加快了增产DDR3的步伐。   另一家DRAM大厂
  • 关键字: DRAM  DDR2  DDR3  

DDR2乏人问津 DRAM厂抢转产能

  •   DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异,DDR2合约价大跌,DDR3却大涨,凸显世代交替已提前来临,将加速DDR2需求急速降温,快速转移到DDR3身上,近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3,尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶,预计第1季底DDR3比重将达70%,速度超乎预期。不过,亦有业者认为,若大家都抢著把DDR2产能转走,说不定会意外让DDR2跌势止稳,反而有利于DDR2价格走势。   台 DRAM厂表示,原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会,因为DDR2若
  • 关键字: DRAM  DDR2  DDR3  存储器  

Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2内存芯片产品开发完成

  •   韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发,这款产品将主要面向移动设备,可在智能手机,平板电脑等移动设备上使用,Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。     这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps,并将以小型封装(如MCP/POP封装形式)的形式进行供货。   Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作,工作电压仅1.2V,位宽为32位的配置条件下,使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外,这
  • 关键字: Hynix  44nm  DDR2  内存芯片  

DDR2仍未过时,但DDR3 将是2010 年的摇钱大树

  •   2009 年即将结束,DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世,iSuppli 公司认为,它即将成为世界上最流行的内存技术。   DDR2 还不算过时,而且未来一段时间之内也不会过时,它的价格在过去数月大幅上涨。然而,DDR3 将是2010 年的摇钱大树。   主要有两个原因在推动产业向DDR3 过渡:英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。   新款英特尔处理器   促进产业向DDR3 过渡的一个事实是,新款英特尔微处理器将需要DDR3 内
  • 关键字: DRAM  DDR2  DDR3   

DDR2仍未过时,但DDR3 将是2010 年的摇钱大树

  •   2009 年即将结束,DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世,iSuppli 公司认为,它即将成为世界上最流行的内存技术。   DDR2 还不算过时,而且未来一段时间之内也不会过时,它的价格在过去数月大幅上涨。然而,DDR3 将是2010 年的摇钱大树。   主要有两个原因在推动产业向DDR3 过渡:英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。   新款英特尔处理器   促进产业向DDR3 过渡的一个事实是,新款英特尔微处理器将需要DDR3 内
  • 关键字: DRAM  存储  DDR3  DDR2  

基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器设计

  •  1 引言  DDR3 SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)制定的全新下一代内存技术标准,具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信号质量更好等优点,对于解决高速系统(例如某些高速图 像处理系统)设计中由于存储
  • 关键字: 控制器  设计  SDRAM  DDR3  Stratix  III  基于  控制器  

多路读写SDRAM接口设计

  • 存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展,对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、读写速度快
  • 关键字: SDRAM  多路  读写  接口设计    

Hynix40nm 2Gb DDR3内存芯片通过Intel验证

  •   韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证,Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品,另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。   这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片,4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条),验证时的运行频率为1333MHz,芯片电压为1.5V。   Hynix宣称
  • 关键字: Hynix  40nm  SDRAM  50nm  
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ddr2-sdram介绍

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