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ddr2-sdram 文章 进入ddr2-sdram技术社区

基于USB2_0和DDR2的数据采集系统设计与FPGA实现

  • 摘要: 采用DDR2 SDRAM作为被采集数据的缓存技术, 给出了USB2.0与DDR2相结合的实时、高速数据采集系统的解决方案, 同时提出了对数据采集系统的改进思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的实现方法。

    0 引
  • 关键字: DDR2  FPGA  USB  数据采集    

基于FPGA与SDRAM的数字电视信号采集系统的设计与实

  • 要FPGA与的数字信号采集系统。可以提供大容量的存储空间。提供优秀的系统适应能力。该方案通过计算机并口实现与计算机的通信 ,但是高性能的逻辑分析仪价格昂贵,而且存取深度不足限制了对于海量数字电视信号的分析能力
  • 关键字: SDRAM  FPGA  数字电视信号  采集系统    

一种基于FPGA的立体视频转换系统研究设计

  • 自由立体显示器是一种无需佩戴辅助装置就能观看三维立体效果的显示器。由于立体显示器能够真实还原三维...
  • 关键字: FPGA  立体视频转换  SDRAM  DVI  

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真

  • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真, 摘 要: 介绍了DDR2嵌入式系统的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具,并基于Hyperlyxn仿真工具对IBIS模型进行仿真分析,给出了一个具体的DDR2嵌入式系统的设计过程和方法。  现代电子设计和芯片制造技术正在飞速发展
  • 关键字: 设计  仿真  系统  嵌入式  Hyperlynx  DDR2  基于  

如何实现FPGA到DDR3 SDRAM存储器的连接

  • 采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽,工作电压低至1.5V,因此功耗小,存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快,容量更大,单位比特的功耗更低,但问
  • 关键字: SDRAM  FPGA  DDR3  存储器    

基于FPGA的LED大屏幕控制系统的设计实现

  • 相比于液晶显示、投影显示等其他大屏幕显示技术,LED显示技术有其独特的优越性:高亮度、宽可视角度、丰富...
  • 关键字: LED大屏幕  FPGA  反γ校正  SDRAM  

基于SDRAM文件结构存储方式的数据缓存系统

  • 基于SDRAM文件结构存储方式的数据缓存系统,O 引言  面对不同的应用场景,原始采样数据可能包含多种不同样式的信号,这给传统基于连续存储方式的数据缓存系统带来了挑战。除此之外,由于对不同信号的处理往往需要不同的数据帧结构,缓存系统的设计需要保存原
  • 关键字: 方式  数据  系统  存储  结构  SDRAM  文件  基于  

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计

  • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计,  本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案,同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样
  • 关键字: 接口  控制器  设计  存储器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  基于  

美光推出内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本

  •   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存,支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。   美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点, 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提
  • 关键字: 美光  50纳米  DDR2  

镁光开始出货50nm 2Gb DDR2 内存芯片

  •   镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片,主要面向平板电脑市场。   该芯片采用低电压DDR2标准制造,可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作,容量方面,该芯片从512Mb到2Gb不等,可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条,实现8亿MT/s传输能力。   得益于较小的制程,这款芯片可以工作在1.55V的低压下,以降低系统的电源需求。   镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样,年末之前量产出货。
  • 关键字: 镁光  50纳米  DDR2  

茂德、钰创携手进军SDRAM

  •   台系DRAM厂陆续启动多角化产品线策略,近期茂德悄悄与钰创进行结盟,将在中科12寸晶圆厂为钰创代工高容量256Mb DDR2产品,采用72纳米制程,目前已进入试产,这是茂德跨入消费性电子市场重要里程碑,对钰创而言,亦在SDRAM产能吃紧情况下获得及时雨。   2008~2009 年DRAM产业低潮虽然仅淘汰欧系奇梦达(Qimonda),但各家DRAM业者都意识到太过执著于标准型DRAM产品,终究是一条不归路,因此自 2010年开始,陆续传出DRAM厂开始布局非标准型DRAM产品领域,包括SDRAM、
  • 关键字: Qimonda  DRAM  SDRAM  

Cyclone II如何实现的DDR SDRAM接口

  • Cyclone II如何实现的DDR SDRAM接口,在不增加电路板复杂度的情况下要想增强系统性能,改善数据位宽是一个有效的手段。通常来说,可以把系统频率扩大一倍或者把数据I/O管脚增加一倍来实现双倍的数据位宽。这两种方法都是我们不希望用到的,因为它们会增加
  • 关键字: SDRAM  接口  DDR  实现  II  如何  Cyclone  

力晶王其国:DRAM制程难度提升 摩尔定律放缓

  •   力晶总经理王其国表示,目前12寸晶圆厂不论在标准型DRAM或是代工业务如LCD驱动IC芯片、SDRAM产品上,产能都相当吃紧,未来DRAM业者在转制程和盖新厂上,会因为财务问题而放缓脚步,因此短期内不担心供过于求的问题,尤其是相当看好智能型手机(Smart Phone)对于DRAM产能的消耗量,算是杀手级的应用,对于未来DRAM产业看法相当正面。   王其国表示,过去摩尔定律认为每隔18个月晶圆产出数量可多出1倍,但未来随著DRAM产业制程技术难度增加,制程微缩的脚步放缓,可能较难达成,加上现在转进
  • 关键字: 力晶  SDRAM  DRAM  

inSpectrum:内存/闪存芯片现货价格本周出现下降

  •   据inSpectrum市调机构的报告显示,由于本周内存/闪存芯片的现货市场需求量有所下滑,因此各大存储芯片厂商均对这些产品的现货价格进行了调整。 其中1Gb密度DDR2内存芯片产品的现货价格下调了5-6%,均价于4月30日下午达到2.62美元价位;而1Gb DDR3内存芯片的价格则下跌了3%,均价2.85美元。   近期内存芯片的市场需求表现较为弱势,加上又没有其它可以驱动芯片价格上涨的因素存在,而早先人们预计五一节假日期间大陆市场可能会发生的内存/闪存芯片价格回弹现象也由于实际的购买量并没有实
  • 关键字: 存储芯片  闪存芯片  DDR2  
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