- 自今年初芯片价格达到数年来的最低点后开始上扬，8月份继续上扬，终于达到盈利水平。
Gartner报告指出，8月1Gb DDR3芯片合同价格上涨了18.9%，为每个1.58美元;老款芯片DDR2合同价格上涨了13.7%，为每个1.45美元。
内存芯片价格上涨正值PC厂商生产并向全球市场发送PC之际。对许多国家而言，返校季节即将来临，许多学生会携新笔记本返校或其父母购买台式机。因返校季节成为销售旺季，会使内存市场价格上扬，有时价格会一直上扬至12月底，年底将是圣诞销售旺季。
今年微软Wi
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奇梦达 内存 DDR3 DDR2
- 自今年初芯片价格达到数年来的最低点后开始上扬，8月份继续上扬，终于达到盈利水平。
Gartner报告指出，8月1Gb DDR3芯片合同价格上涨了18.9%，为每个1.58美元;老款芯片DDR2合同价格上涨了13.7%，为每个1.45美元。
内存芯片价格上涨正值PC厂商生产并向全球市场发送PC之际。对许多国家而言，返校季节即将来临，许多学生会携新笔记本返校或其父母购买台式机。因返校季节成为销售旺季，会使内存市场价格上扬，有时价格会一直上扬至12月底，年底将是圣诞销售旺季。
今年微软Wi
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奇梦达 内存芯片 DDR3 DDR2
- 市场调研公司VLSI Research指出，6月全球半导体设备订单出货比11个月来首次超过1。
VLSI Research的数据显示，6月全球芯片设备订单出货比升至1.01，是去年7月来首次突破1。6月全球设备订单额达25亿美元，较5月增长40%，但较去年6月减少41%。6月出货额较5月增长31%，达24亿美元，但较去年6月减少57%。
VLSI Research指出目前订单出货额仍低于正常水平，但已出现了一些积极的趋势。后端设备供应商预计将获得一次强劲增长，后端工厂产能利用率正在快速增长
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半导体设备 SDRAM 存储器 芯片设备
- 根据集邦科技调查统计，2009年第二季，DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR2 1Gb 667MHz 现货价格在五月一度站上1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，传出某DRAM厂商释出低价颗粒到现货市场，而使六月现货价格维持在1.05至1.19间盘整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 现货季均价上涨27%，约1.12美元。
第二季
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Elpida DRAM DDR2
- 市场调研公司VLSI Research指出，6月全球半导体设备订单出货比11个月来首次超过1。
VLSI Research的数据显示，6月全球芯片设备订单出货比升至1.01，是去年7月来首次突破1。
6月全球设备订单额达25亿美元，较5月增长40%，但较去年6月减少41%。6月出货额较5月增长31%，达24亿美元，但较去年6月减少57%。
VLSI Research指出目前订单出货额仍低于正常水平，但已出现了一些积极的趋势。
后端设备供应商预计将获得一次强劲增长，后端工厂产能利
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芯片设备 半导体设备 SDRAM 存储器
- 嵌入式实时图像处理系统中SDRAM控制器的实现,介绍一种用于嵌入式实时图像处理系统的SDRAM控制器的实现方案。根据实时系统对数据传输速率及连续性的要求，将SDRAM配置为全页突发操作模式，并采用异步FIFO作为FPGA与SDRAM间的数据缓冲器。为配合SDRAM的全页操作模式，并充分利用其高速读写性能，将FIFO设计为基于乒乓操作的流水线结构，实现了数据的无缝缓存。将该方案用于实时红外热成像系统，经实验结果表明，该SDRAM控制器执行效率高，占用资源少，可移植性强。
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SDRAM 控制器 实现 理系 处理 实时 图像 嵌入式
- 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统*、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用软硬件兼容标准，将有效简化设计流程并缩短产品开发时间，使制造商能在短时间内采用这两家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存储产品。
相较于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 过去一向扮演DRAM市场领头羊的三星电子(Samsung Electronics)，在近期这波合约价上涨过程中，却表现异常的沈默，存储器业者表示，三星不仅不愿意跟进调涨，甚至业界不断传出三星有意不让1Gb容量DDR2价格上涨超过1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想让原本奄奄一息的台厂，再度有喘息机会，加上DRAM产业前景仍不明确，终端需求回笼迹象还不明显，但却已传出多家DRAM厂开始低调增加投片量，希望能赶上2009年下半PC市场传统旺季，这不仅让整体DRAM市场弥漫著相当诡异气氛，亦让台DRAM厂对
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三星 DRAM 晶圆 DDR2
- 大容量SDRAM在windows CE系统中的应用设计,摘 要：扩大同步动态随机存储器(SDRAM)的容量是提升嵌入式产品性能的关键问题。这里基于Intel公司的PXA255处理器提出一种大容量sDRAM的硬件设计方法，并在微软提供的板级支撑包(BSF’)的基础上编写了一套在win―dows
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应用 设计 系统 CE SDRAM windows 大容量
- DDR2(Double Data Rate 2，两倍数据速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC标准组织开发的基于DDR SDRAM的升级存储技术。 相对于DDR SDRAM，虽然其仍然保持了一个时钟周期完成两次数据传输的特性，但DDR2 SDRAM在数据传输率、延时、功耗等方面都有了显著提高，而这些性能的提高，主要来源于以下技术的提升：ODT，Post CAS，4n数据预取，封装等。
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思科 DDR2 SDRAM
- 极高性能的浮点DSP，比以往的 SHARC处理器性能提高一倍，具有硬件加速器与音频应用提升特性: 片上存储器增加60%以上，提供DDR2 SDRAM外部存储器接口及连接端口
中国 北京——Analog Devices, Inc.（纽约证券交易所代码: ADI），全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出SHARC® ADSP-21469，以帮助开发人员重新定义专业系统中的逼真音响。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采样速率：专业数字音频应用正在不断逼
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DSP SHARC处理器 DDR2 SDRAM ADI
- 引言
DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC开发的新生代内存技术标准,与上一代DDR内存技术标准相比，虽然采用时钟的上升／下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有2倍于上一代DDR内存预读取能力(即：4 bit数据读预取)。即就是，DDR2内存每时钟能以4倍的外部总线速度读／写数据,并且能以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装,而不是目前DDR广泛应用的TSOP/TSOP-II封装,FB
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嵌入式 内存 DDR2 存储器
- 内存是PC机重要的部件之一，一般而言，每代内存规格的生命周期为3-5年，如今DDR2规格在经历了4年左右的发展后，已经进入了其生命的最后历程。
随着电脑技术以及应用软件的不断进步，在各种应用当中， DDR2内存无论在性能还是功耗上对现今以及未来的需求都显的有些捉襟见肘。作为IT行业的领跑者，在Intel现阶段以及今后的发展蓝图中，我们可以看见DDR3内存正逐渐取代DDR2。
作为即将取代DDR2规格内存的DDR3，相比DDR2频率上限更高且电压更低，这些改进能为我们带来什么好处呢？
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DDR3 Windows Vista 功耗 内存 DDR2
- 继力晶在本周一宣布减产10-15%后，日本内存芯片厂商尔必达在昨天正式对外宣布，自9月中旬起将正式减产总产能10%，全球每月内存芯片(DRAM)总供给量可望因此减少约1.5%。
力晶前天对外正式宣布将减少10-15%的标准型DRAM产量，即相当于每个月将近1.5万片的12吋晶圆，同时推迟新厂建设日程，希望以此舒缓全球严重供过于求的形势。
作为力晶的重要策略合作伙伴，尔必达昨天的声明对于即将进入第四季传统淡季的内存芯片行业来说，可能是个好消息，尤其尔必达是国际大厂之一。虽然两家公司的
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尔必达 力晶 内存芯片 DDR2
- 任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用,但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下,波形的存储深度很难做得很大,从而不能精确地表达复杂信号。本文介绍的基于动态存储器(SDRAM)的设计能有效解决这一问题,并详细讨论了一种简化SDRAM控制器的设计方法。
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SDRAM 任意波形发生器 中的应用
ddr2-sdram介绍
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