华润上华科技有限公司(“华润上华”)主办、北京集成电路设计园协办的“2010 CSMC 工艺培训(北京)”在北京举行，有百余位主要来自北京的IC设计公司、大学、研究所的IC 设计人员和业务主管绕有兴趣地参加了培训和讨论。此次培训是继去年华润上华在京举办“共赢中国半导体应用市场研讨会”后，应听众的反响和要求而开办的。
根据听众欲更多了解华润上华的工艺及特点，为其产品寻找低成本、高效率的工艺解决方案的需求，华润上华精心准备了针对
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华润上华 IC设计 BCD
近年来，节能环保理念的深入人心，对半导体IC设计和应用也提出了更高的要求。2008年11月，五大手机制造商诺基亚、三星、索尼爱立信、摩托罗拉和LG电子联合发布了手机充电器的五星级标准。新的分级制度将以零到五颗星的标志图案来区分待机能耗。例如，待机功耗小于或等于30mW的手机充电器属于最高星级，在其标签上印有五颗星。相反，如果待机功耗≤500mW，则充电器标签上将无任何星级标记。为适应手机充电器的技术革新和发展，新进半导体制造有限公司(简称BCD半导体)于近期推出一种新的电源控制芯片AP3768，
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BCD 手机充电器 AP3768
随着像手机，PDA、DSC、GPS等数码及便携式产品的迅猛发展，以及液晶显示器的制造技术的日臻完善。彩色的LCD显示屏越来越成为数码及便携式产品的重要部件。彩屏的手机，PDA等也越来越受人们的喜欢和青睐。彩色LCD显示
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驱动器 解决方案 LED 白光 利用 BCD 基于
随着像手机，PDA、DSC、GPS等数码及便携式产品的迅猛发展，以及液晶显示器的制造技术的日臻完善。彩色的LCD显示屏越来越成为数码及便携式产品的重要部件。彩屏的手机，PDA等也越来越受人们的喜欢和青睐。彩色LCD显示
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随着像手机，PDA、DSC、GPS等数码及便携式产品的迅猛发展，以及液晶显示器的制造技术的日臻完善。彩色的LCD显示屏越来越成为数码及便携式产品的重要部件。彩屏的手机，PDA等也越来越受人们的喜欢和青睐。彩色LCD显示
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解决方案 驱动器 LED 白光 BCD
领先业界的高整合创新电源管理半导体解决方案提供业者－德商Dialog半导体公司与TSMC 23日共同宣布，双方正密切合作，为移动产品的高效能电源管理芯片量身打造BCD（Bipolar–CMOS -DMOS）工艺技术。
此0.25微米高压工艺技术世代能将各种高电压功能有效整合在单一电源管理芯片中，因而增加成本效益，同时扩大Dialog公司解决方案的潜在市场。
Dialog公司下一世代电源管理芯片的重要特点之一，就是将更高电压与更有效的元件予以整合，因此得以开发出更小尺寸、更节能的芯片；这些芯
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台积电 电源管理 BCD
TSMC昨日推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。
此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数字核心模组可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。
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TSMC BCD LED驱动
针对DC－DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能，提出一种改进的欠压锁存电路。所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下，实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定。整个电路采用CSMC0．5 μm BCD工艺设计，使用HSpice软件仿真，结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点。
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电路设计 工艺 BCD 基于
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator，SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺(bulk process)进行芯片制造，该测试芯片显示出最高可达40%的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176™ 处理器，能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时，SOI是一项取代传统体效应工艺的可行技术。
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ARM 45纳米 SOI
据ARM的研究人员的报道，公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比，功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。
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ARM 45nm SOI 测试芯片
在最近召开的GSA会议(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣称其使用32nm SOI制程工艺制作的24Mbit SRAM芯片的良率已经达到两位数水平，预计年底良率有望达到50%左右。GlobalFoundries同时会在这个会议上展示其最新的制造设备。
据称目前Intel 32nm Bulk制程技术的良率应已达到70-80%左右的水平，而且已经进入正式量产阶段，在32nm制程方面他们显然又领先了一大步。不过按AMD原来的计划，32nm SOI制程将在2
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GlobalFoundries 32nm SOI
法国SOI技术公司Soitec公布2009-2010财年第一季度销售额为4390万欧元(约合6190万美元)，环比增长22.3%，同比减少27.2%。
6月，Soitec在收到了主要客户的急单之后，大幅上调了第一财季的预期，预测第一季度销售额环比增长20%。
第一季度，Soitec称晶圆销售收入为4110万欧元(约合5790万美元)，环比增长30.8%。其中300mm晶圆占了84%的份额，环比增长35%。
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SOI 晶圆
Global Foundries再度展开挖角，继建置布局营销业务、设计服务团队之后，这次延揽建厂、厂务人才并将目标锁定半导体设备商，Global Foundries预计2009年7月破土的Fab 2正在紧锣密鼓策画中，这次延揽的Norm Armour原属设备龙头应用材料(Applied Materials)服务事业群高层，而Eric Choh则是原超微(AMD)晶圆厂营运干部，两人都熟稔晶圆厂设备系统与IBM技术平台。
Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是为了积极筹备位于纽
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GlobalFoundries 晶圆 半导体设备 SOI
Global Foundries制造系统与技术副总裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于纽约Fab 2将于7月破土，专攻28纳米制程已以下制程技术，未来将持续延揽来自各界半导体好手加入壮大军容，同时他也指出，目前45/40纳米良率水平成熟并获利可期，2009年底前Fab 1将全数转进40/45纳米制程。Global Foundries表示，在晶圆代工领域台积电虽是对手之一，但真正的目标(Bench Mark)其实对准英特尔(Intel)。
竞争对手台积电45/40
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GlobalFoundries 40纳米 晶圆代工 SOI
新闻事件：
韩国LS与英飞凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影响：
将使英飞凌和LSI得以加速进入高效能家电、低功率消费与标准工业应用等前景好的市场
LS预计于2010年1月在天安市的生产基地开始量产CIPOS模块
韩国LS Industrial Systems与英飞凌科技(Infineon)共同成立了一家合资公司──LS Power Semitech Co., Ltd，将聚焦于白色家电压模电源模块的研发、生产与行销。
合
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英飞凌 IGBT CIPOS 射极控制二极管技术 SOI
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