ARM制成45nm SOI测试芯片 功耗降低40% 作者：时间：2009-10-12来源：电子产品世界收藏 据ARM的研究人员的报道，公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比，功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/98763.htm
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