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格科微发布系列5000万像素图像传感器

  • 12月22日,科创板上市公司格科微(688728.sh)成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式,及2023年产品推介会暨CEO交流会。图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式.JPG以让世界看见中国的创新为使命,格科微经过二十年的发展,成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型,迎来了历史最佳的经营局面。值此良机,格科微高端产品再传佳讯,公司推出三款全新单芯片高阶产品,为未来加速核心技术产品化,迈向崭新的发展阶段奠定了基础。整个活动,政府领
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总投资573亿元!中芯国际12英寸晶圆代工生产线新进展

  • 据临港新片区管委会官网披露文件显示,日前,中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目城镇污水排入排水管网许可顺利获批。据悉,中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目由中芯国际和中国(上海)自由贸易试验区临港新片区管理委员会合作规划建设。根据协议,双方共同成立合资公司,规划建设产能为10万片/月的12英寸晶圆代工生产线项目,聚焦于提供28纳米及以上技术节点的集成电路晶圆代工与技术服务。据中芯国际发布的公告显示,该项目计划投资约88.7亿美元(折合人民币约573亿元),这也是中芯国际在上海的第一个按照Twin Fa
  • 关键字: 中芯国际  12英寸晶圆  代工厂  Twin Fab  

X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管(SPAD)器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步,新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程,在保持同样低的本底噪声水平的同时,显著增强信号,而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。X-FAB通过推出这一最新版本的产品,成功丰富了其SPAD产品的选择范围,提升了解决众多视近红外
  • 关键字: X-FAB  近红外  SPAD  

艾迈斯欧司朗携手立功科技与Enabot,推出智能机器人EBO X

  • ●   TMF8821可输出多个点距离值,具有避障、防跌落和辅助建图功能;●   TMF8821卓越的测距性能与出色的抗阳光干扰能力,能够在各种光照环境下实现可靠检测;●   TMF8821产线校准方式简单,只需一次底噪校准就可完成;●   立功科技提供算法技术支持,优化功能效果。EBO X智能机器人全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗近日宣布,通过与立功科技合作,携手家庭机器人供应商Enabot成功推出AI智能陪伴机器人
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X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后,现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。这是X-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活,从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。XA035基于350纳米工艺节点,非常适合制造车用传感器和高压工
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高通骁龙 X Elite 处理器发布:支持 Win12,可本地运行 130 亿参数 AI 大模型

  • IT之家 10 月 25 日消息,2023 的高通峰会现在正式开始,高通推出的第一款产品就是为 PC 产品设计的全新骁龙 X 平台,其旗舰产品命名为“骁龙 X Elite”。骁龙 X Elite 采用定制 Oryon CPU,基于 4nm 工艺打造,采用 12 颗 3.8GHz 大核,支持双核睿频至 4.3GHz,内存带宽 136GB/s,缓存总数 42MB。IT之家汇总骁龙 X Elite 规格如下:规格CPUQualcomm Oryon CPU,64 位架构,12 核,最高 3.8 GHz,
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DDR5时代来临,新挑战不可忽视

  • 在人工智能(AI)、机器学习(ML)和数据挖掘的狂潮中,我们对数据处理的渴求呈现出前所未有的指数级增长。面对这种前景,内存带宽成了数字时代的关键“动脉”。其中,以双倍数据传输速率和更高的带宽而闻名的 DDR(Double Data Rate)技术作为动态随机存取存储器(DRAM)的重要演进,极大地推动了计算机性能的提升。从 2000 年第一代 DDR 技术诞生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技术在带宽、性能和功耗等各个方面都实现了显著的进步。如今,无论是 PC、笔电还是人工智能,各行业正在加
  • 关键字: DDR5  Cadence  Sigrity X  

全球首个,华为重磅发布!事关5G

  • 据华为官方微信号10月11日消息,2023全球移动宽带论坛(Global MBB Forum 2022)期间,华为董事、ICT产品与解决方案总裁杨超斌重磅发布了全新一代5G室内数字化产品解决方案LampSite X系列,助力运营商打开商业新空间,加快迈向数智化新时代。杨超斌表示:“LampSite X将5G-A极致能力首次带入室内场景,实现室内数字化全面升级:以最小体积、最轻重量、最简部署、最低能耗实现万兆体验和多维能力升级,满足消费者更极致的室内体验需求,释放千行百业更强大的数字生产力。”华为无线网络产
  • 关键字: 华为  5G  LampSite X  

X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成无源器件(IPD)制造能力,进一步增强其在射频(RF)领域的广泛实力。公司在欧洲微波展(9月17至22日,柏林)举办前夕推出XIPD工艺;参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员(位于438C展位)就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层,让客户能够在其器
  • 关键字: X-FAB  无源器件  晶圆代工厂  

特斯拉季末冲击销量!Model S/X美国市场降价8000美元,外加3年免费充电

  • 6月19日消息,作为季度末促销活动的一部分,特斯拉再次对某些库存车型提供折扣,以寻求在第二季度结束前提振销量。随着季度末的临近,特斯拉希望通过减少库存来实现更好的财务业绩。为了实现这一目标,特斯拉会定期实施特殊折扣或激励措施,以便在季度末之前清空库存车辆。据外媒报道,特斯拉近日将Model X和Model S的售价都下调了8000美元,并为6月30日之前购车的客户提供三年免费超级充电服务。特斯拉官网显示,这些举措意味着,客户现在可以8.3万美元左右的价格买到2023年款特斯拉Model S,折扣金额为75
  • 关键字: 特斯拉  Model S/X  充电  

X-FAB领导欧资联盟助力欧洲硅光电子价值链产业化

  • 中国北京,2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能,使其能够轻松获得具有磷化铟(InP)和铌酸锂(LNO)异质集成能力的低损耗氮化硅(SiN)与绝缘体上硅(SOI)光电子平台。在此过程中,模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)牵头发起一项战略倡议,旨在推
  • 关键字: X-FAB  硅光电子  PhotonixFab  光电子  

X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

  • 中国北京,2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂,由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起,因此与传统Bulk BCD工艺相比,高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
  • 关键字: X-FAB  110纳米  BCD-on-SOI  

积极塑造工业4.0数据空间:倍加福推出“Manufacturing-X”计划

  • 工业4.0的下一阶段将是什么?通过“Manufacturing-X”计划,工业4.0平台正在创建一个跨越多个行业和公司的主权数据空间,旨在实现供应链上的多边合作,并将数字价值的创造过程提升到新的水平。 倍加福(Pepperl+Fuchs)通过参与工业4.0参考架构模型(RAMI)的讨论,为明确对工业4.0的理解做出了贡献。如今,倍加福及其子公司Neoception将于2023年4月17日至21日在德国汉诺威工业博览会(HANNOVER MESSE)上,展示“Manufacturing-X”的下一
  • 关键字: 工业4.0数据空间  倍加福  Manufacturing-X  

碳化硅扩产、量产消息不断,瑞萨、X-FAB跟进

  • 近期,一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合;安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片;SK集团宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行,将正式量产碳化硅,产能将扩大近3倍。除此之外,据外媒报道,日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。其中,瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出,按照计划,瑞萨电子拟在目
  • 关键字: 碳化硅  瑞萨  X-FAB  

DRAM迎来3D时代?

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