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HBM2E开启超高速存储器半导体新时代

  • TSV技术:解锁HBM无可比拟的“容量和速度”
  • 关键字: HBM2E  存储器  TSV  

满足穿戴式产品对于超小型环境光传感器的需求

  • 本文介绍了适合穿戴式产品的超小型环境光传感器及ams公司采用TSV制造技术的TSL2584TSV,其精度与灵敏度更高。
  • 关键字: 穿戴式  环境光传感器  TSV  201607  

新兴封装技术:小型化趋势永无止境

  • 新兴封装技术的出现,主要的驱动力量就来自于永无止境地追求更轻薄短小的智慧型手机。
  • 关键字: 封装  TSV  

Alchimer与CEA-Leti签署协作合约

  • 日前,Alchimer, SA 宣布与法国研究机构CEA-Leti 达成协作合约,以评估和实施Alchimer为300mm 大批量生产的湿式沉积工艺。该专案将为隔离层、阻挡层和晶种层评估Alchimer 的Electrografting (eG™) 和Chemicalgrafting (cG™) 制程。
  • 关键字: Alchimer  3D  TSV  

Yole:2017年3D TSV将占总半导体市场9%

  •   市调机构Yole Developpement稍早前发布了一份针对3DIC与矽穿孔 ( TSV )的调查报告,指出过去一年来,所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等产品产值约为27亿美元,而到了2017年,该数字还可望成长到400亿美元,占总半导体市场的9%。   Yole Developpement的先进封装部市场暨技术分析师Lionel Cadix 指出,3DIC通常使用TSV 技术来堆叠记忆体和逻辑IC,预
  • 关键字: 半导体  3D TSV  

单片型3D芯片集成技术与TSV的研究

  • 单片型3D芯片集成技术与TSV的研究,尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短,但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而言,90nm制程晶体管的延迟时间大约在 1.6ps左右,而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路,其延迟时间会
  • 关键字: TSV  研究  技术  集成  3D  芯片  单片  

电接枝技术助力高深宽比TSV

  • 3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。以干法和湿
  • 关键字: TSV  电接枝  助力    

TSV技术代工厂商购买厂房扩充产能

  •   通孔硅技术(TSV)代工厂商Allvia购买了位于Hillsboro Ore的一处制造工厂。   该工厂将用于基于TSV技术产品的量产。该厂房拥有178000平方英尺的大楼,60000平方英尺的净化间,并将扩展至80000片平方英尺。   该公司预计该工厂于2010年投入运营。
  • 关键字: Allvia  TSV  

集成电路封装技术国家工程实验室启动

  •   经国家发改委批准,以国内集成电路封测领军企业江苏长电科技股份公司为依托,联合中科院微电子研究所、清华大学微电子所、深圳微电子所、深南电路有限公司等五家机构,共同组建的中国首家“高密度集成电路封装技术国家工程实验室”日前在位于无锡江阴的长电科技挂牌,标志着国家重点扶持的集成电路封装技术产学研相结合的工程实验平台正式启动。   近年来,国内外集成电路( IC)市场的需求不断上升,产业规模发展迅速, IC产业已成为国民经济发展的关键。旺盛的封测市场需求给国内的封测企业带来了良好的发
  • 关键字: 集成电路  WLCSP  SiP  封测  IC封装  FCBGA  TSV  MIS  

MEMS市场继续增长机会多

  •   按Yole Developpement报道,全球MEMS工业正面临之前从未有过的停滞,2008年的销售额下降2%,达68亿美元,其2009年非常可能增长率小于1%。然而当汽车电子,工业压力传感器及打印头市场随着全球经济下滑时,许多新的MEMS应用却得到切实的增长。   MEMS在消费类电子产品中,如加速度计,陀螺仪的市场继续看好,推动供应商如STMicron(日内瓦),Invensense(加州桑尼威尔),其销售额有10-30%增长。随着MEMS在医疗电子和诊断设备的应用扩大,其市场继续增大。今年新
  • 关键字: MEMS  传感器  CMOS  芯片堆叠封装  TSV  纳米印刷  

超高去除速率铜CMP研磨剂的开发

2009年晶圆级封装趋势

  •   专家认为,受持续增长的移动设备和汽车应用需求的驱动,晶圆级封装(WLP)将向I/O数更高和引脚节距更小的方向发展。2009年其他需要关注的WLP趋势还包括大功率和高精度精密器件、穿透硅通孔(TSV)、扇出和嵌入式闪存。
  • 关键字: ASE  晶圆级封装  TSV  
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tsv介绍

TSV  TSV的英文全拼是“Through Silicon Vias”,中文意思为“通过硅片通道”。   英特尔公司首席技术官贾斯廷·拉特纳表示,TSV技术是英特尔公司的工程师首先为未来的80核处理器产品开发的。这项技术的实质,是每一个处理内核通过一个TSV通道直接连接一颗256KB的内存芯片(充当了缓存),随着缓存数量的增加,这些缓存将可以替代另外的内存芯片。   拉特纳指出,虽然TSV技 [ 查看详细 ]

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