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mos—fet 文章

5A、3.3V和5V电源符合严格的EMI辐射标准

  • 严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器,与传统控制器IC和外部MOSFET相比,这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率(远高于AM频段的2 MHz范围内)下工作的单片式稳压器也有助于减小外部元件的尺寸。此外,如果稳压器的最小导通时间(TON)较低,则无需中间稳压,可直接在较高的电压轨上工作,从而节约空间并降低复杂性。减少最小导通时间需要快速开关边沿和最小死区时间控制,以有效减少开关损耗并支持高开关频率操作
  • 关键字: EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

宽禁带生态系统:快速开关和颠覆性的仿真环境

  • 宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外,我们还提供spice物理模型,帮助设计人员在仿真中实现其应用性能,缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
  • 关键字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

电源管理设计小贴士#94:倒置降压器如何提供非隔离反激器的拓扑选择

  • 离线电源是最常见的电源之一,也称为交流电源。随着旨在集成典型家用功能的产品数量的增加,对所需输出能力小于1瓦的低功率离线转换器的需求也越来越大。对于这些应用程序,最重要的设计方面是效率、集成和低成本。在决定拓扑结构时,反激通常是任何低功耗离线转换器的首选。但是,如果不需要隔离,这可能不是最好的方法。假设终端设备是一个智能灯开关,用户可以通过智能手机的应用程序进行控制。在这种情况下,用户在操作过程中不会接触到暴露的电压,因此不需要隔离。对于离线电源来说,反激拓扑是一个合理的解决方案,因为它的物料清单(BOM
  • 关键字: BOM  FET  VDD  

超低静态功耗、内置高压MOS电流型副边反馈控制芯片 — SCM1733ASA

  • 继分别推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC电源控制芯片后,为满足客户更广的应用范围及更低的价格需求,金升阳推出超低静态功耗、内置高压MOS且性价比更高的新产品—SCM1733ASA。一、芯片介绍SCM1733ASA 是应用于中小功率AC/DC反激式开关电源的高性能电流模式PWM控制器,内置高压功率MOS,最大输出功率达20W,待机功耗<75mW,具有极低的启动电流和工作电流,可在实现低的损耗的同时保证可靠启动。芯片满载工作时,PWM开关频率固定;降低负载后,进入绿色模式,开关频率降低;在空载和轻载时,
  • 关键字: EMI  PWM  MOS  

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

  • 电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流(BLDC)解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。另一方面,三相BLDC配置需要三个半桥或至少六个场效应管(FET),因此从有刷电流转向无刷电流意味着全球电动工具FET总区域市场增长了3到6倍(见图1)。图1:从有刷拓扑转换到无刷拓扑意味着FET数量出现了6倍倍增但BLDC设计在这些FET上提出了新的技术要求。例如,若电路板上FET的数量6倍倍增
  • 关键字: FET  BLDC  

工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

  • 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间,有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
  • 关键字: MOS  MOSFET  

看看国外厂商正在发力研究的这些新技术

  •   每年十二月,在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛,在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,缩写:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
  • 关键字: DRAM  GAA-FET  

发光二极管与MOS中为何要添加多余的电流?

  • 发光二极管就是俗称的LED,由于较容易入门且普及率高,很多新手在进行入门学习时经常会选择发光二极管来入手。本文将对发光二极管与MOS之间的特定关系
  • 关键字: 发光二极管  MOS  电流  

同步整流器与开关MOS在功率电源的耗散

  • 在大功率电源当中,MOS器件的消耗至关重要。其很有可能关系到电源的整体效率。在之前的文章中,小编为大家介绍了一些功率耗散的方法,在本文中,小编将
  • 关键字: 同步整流器  MOS  功率  

集成智能——第1部分:EMI管理

  •   智能集成电机驱动器和无刷直流(BLDC)电机可以帮助电动汽车和新一代汽车变得更具吸引力、更可行及更可靠。  图1所示为集成电机驱动器结合驱动电机所需的一切要素,如场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和状态机。集成避免了电线从电子控制单元(ECU)到电机的布线距离过长,并还具有更小印刷电路板(PCB)尺寸和更低整体系统成本的优点。  BLDC电机在汽车应用中提供的优势包括效率、紧凑的尺寸、更长的电机寿命和电池寿命、更安静的车内体验以及更好的EMI性能。  图1:智能集成BLDC电机驱动器  集成智能系列博
  • 关键字: BLDC  FET  

使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路

  • 使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路-下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。
  • 关键字: FET  双极性晶体管  缓冲电路  宽带  

如何保护你的系统不受反向电流的影响

  • 如何保护你的系统不受反向电流的影响- 在使用电子元器件时,你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压,系统中的电流以相反的方向运行;从输出到输入。幸运的是,有很多方法可以保护你的系统不受反向电流的影响。这是反向电流保护系列博文的第一篇文章,在这篇文章中,你将能够对现有解决方案有高层次的总体认识和了解。
  • 关键字: FET  TPS22963  德州仪器  反向电流  

揭开电池管理系统的神秘面纱

  • 揭开电池管理系统的神秘面纱-现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色,电池技术进步推动了这一进展,并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年来,电池效率(输出功率/尺寸比)和重量均出现大幅改善。试想一下汽车电池得多庞大和笨重,其主要用途是启动汽车。随着技术的最新进展,你可以改用锂离子电池来迅速启动汽车,其重量只有几磅,尺寸也就人手那么大。
  • 关键字: 电池管理系统  FET  FET驱动器  
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