- 隔离型砖式转换器被广泛应用于电信系统，为网络设备供电，这些转换器可以提供各种标准尺寸及输入/输出电压范围...
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eGaN FET 硅功率器 转换器
- 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶...
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同步降压 FET 时序设计
- 引言：为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为...
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SJ-MOS VDMOS
- 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶段：低...
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电源设计 同步降压 FET 时序
- X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018，世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引脚封装中集成功率 PFET 与控制 NFET 的高侧负载开关。该 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的业界最宽泛电源电压支持，是分立式 FET 开关的最灵活替代产品。
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TI TPS27081A FET
- 光电FET可以用作一只可变电阻，或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的隔离电压，因此能够安全地控制高压电路参数。但这些器件的非线性传输特性可能成为问题(图1)。为了校正这种非线性，可以采用一
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FET 光电 电位器 光耦
- 在计算和消费电子产品中，效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。 AC/DC平均系统
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改善 能量 效率 开关 FET 优化 变换器 基于
- 图1为一具有“二极管或”功能的电路，用于主电源和备用电源之间必须自动切换的场合，包括电池供电存储器电...
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主电源 备用电源 FET-OR
- 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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介绍 改装 MOS 功放 舞台
- 英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
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英飞凌 MOS
- 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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电路图 方法 改装 MOS 功放 舞台
- 图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因此
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缓冲 方法 进行 电压 FET 关断 转换器
- 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代，因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当，容易停振或
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
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