EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠，为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。 宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告，展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果，以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得
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宜普电源 FET
近日，德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。bq76200高电压解决方案能有效地驱动能量存储系统，以及电机驱动型应用中常用电池里的高压侧N沟道充放电FET，包括无人机、电动工具、电动自行车等等。如需了解更多详情，敬请访问：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
电感性
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TI FET
当我们还是学生的时候，不论从做题还是原理分析上,通常会重点学习NPN和PNP三极管的特性：静态工作特性计算、动态信号分析等等。对于MOS管，老师一般都会草草带过，没有那么深入的分析和了解，一般都会说MOS管和三极管的不同就是一个是电压控制，一个是电流控制，一个Ri大，一个Ri小等等。除了这些明显的特性，下文就从工作实战的角度进行MOS场效应管的分析。 首先我们来看下经常使用的增强型mos场效应管：N沟道和P沟道mos场效应管。 在消费类电子设计中由于对功耗要求比较严格，通常使用N沟道和P沟道MOS
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MOS 场效应管
所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与
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MOS 集成电路
简介： 今天一个刚刚入行的朋友找到我说，他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后，他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数，就写个短短的文章说一下fmax到底是什么和哪些参数有关。
这两个频率都是晶体管的重要参数，无论BJT还是MOS，也决定了将来电路能工作到的最大频率(当然这个最大频率是绝对不可能到fmax和ft的)。这两个频率其实离得不远，那他们有什么差别呢：ft是用电流增益来定义的，fmax是用最大功率增益来定义的，千万别弄混了哦。下图是一
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MOS fmax
简介：注释：静电损坏器件是击穿，和烧毁是两个概念，不要混淆在一起。
前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。
虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电
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静电损坏 MOS
欧盟EUP环保指令你知道吗?你知道此指令对静态能耗有什么要求吗?我们产品上需要怎样应对呢?下面给你解决此问题的电源供电方案。
2009年1月6日，欧盟电子类产品待/关机模式之EuP能耗指令执行措施已正式生效，其生态化设计要求与去年7月经欧盟生态化设计管理委员会批准的工作草案相同。厂商需在2010年1月6日前达到第一阶段的要求，2013年1月6日达到第二阶段要求。
图1 Eup图标
我们来了解一下EuP能耗指令第二阶段的具体要求，
1、产品在关机或待机
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MOS AC-DC
无论LED是经由降压、升压、降压/升压或线性稳压器驱动，连接每一个驱动电路最常见的线程就是须要控制光的输出。现今仅有很少数的应用只需要开和关的简单功能，绝大多数都需要从0～100%去微调亮度。目前，针对亮度控制方面，主要的两种解决方案为线性调节LED的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下，让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(PWM)来设定循环和工作周期可能是实现数字调光的最简单的方法，原因是相同的技术可以用来控制大部分的开关转换器。
PWM调光能调配准确色光
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PWM FET
【前言】在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。
【问题分析】
上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电
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MOS SCR
一、场效应管的工作原理- -概念
场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件，场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。
二、
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场效应管 MOS JFET 场效应管工作原理
混频器是无线收发机中的核心模块， 对整个系统的性能具有很大影响。线性度、转换增益是衡量一个混频器性能的重要指标。
在接收机中， 混频器具有一定的转换增益可以降低混频器后面各级模块设计的难度， 有利于提高系统噪声性能和灵敏度。线性度决定了混频器能处理的最大信号强度。随着现代通讯系统对性能要求越来越高， 无论是应用于接收机系统的下变频器(本文指的混频器) ， 还是应用于发射机系统中的上变频器都要求具有较高的线性度。因此设计具有高增益和高线性度的混频器就成为业界一直研究的热点。
在CMOS电路设
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MOS 谐波混频器
MOSFET是一个时代产物,随着MOSFET技术的进展，特别是大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET出现，它的开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选。
在EEPW论坛呆久了，看了好多网友问起MOS管的事情，有很多童靴对MOS管的使用不是很熟悉，今天有空给大家说几个关于MOSFET的技巧的几个实用技巧的事情。
为了把问题说的明白些，还是有必要把MOS管的身世先介绍一下。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道
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MOSFET MOS
1 引 言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
2 ESD保护原理
ESD保护电路的设计目的就是要避免工作电路成为ESD的放电通路
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CMOS ESD MOS
1、芯片发热
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的
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LED MOS 变压器
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