彭博信息(Bloomberg)报导指出，全球第3大DRAM业者尔必达(Elpida)计划来台发行台湾存托凭证(TDR)，募资约123亿日圆(约新台币43.2亿元)，作为次世代DRAM制程所需的研发资金之用，而尔必达亦将成为首家来台发行TDR的日本业者。
据悉，尔必达拟发行2亿单位的TDR;2月18日将敲定确切的发行价格。
另据路透(Reuters)报导，在发行TDR的同时，尔必达亦计划增发1,000万股新股，新股发行后，尔必达的股数将增为2.16亿股左右。
报导提到，尔必达透过发行T
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Elpida DRAM
存储器大厂尔必达(Elpida)公布2010会计年度第3季财报(2010年10~12月)，受存储器价格大跌拖累，尔必达第3季大亏296亿日圆(约3.6亿美元)。
2010 会计年度第3季尔必达营收为970.7亿日圆，较前1年同期的1,510.1亿日圆大幅萎缩36%，第3季净损为296亿日圆，较前1年同期净赚 210.5亿日圆大幅恶化。此外，尔必达第3季的亏损较路透(Reuters)调查、分析师预估的净损161.7亿日圆还大。
尔必达亏损庞大的主因为DRAM价格崩盘，受个人计算机(PC)需求
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Elpida DRAM
报道称Elpida计划投资30亿新台币(约合9550万美元)在台湾设立研发中心。
报道引述政府官员的话称Elpida已经向台湾“经济部”申请了财政补助来建立该中心。
Elpida已向Powerchip、ProMOS和Winbond许可了其DRAM工艺技术，已换取台湾合作伙伴的产能。
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Elpida DRAM
Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存，为1.8V SLC(单层单元)4Gb NAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。
按公司的说法，与通常的浮栅NAND闪存相比，电荷俘获型NAND在更简单的单元结构下可以作到尺寸更小，同时功能更强，读出速度更快及可编程速度更快。
Elpida计划把NAND闪存与移动RAM结合一起销售移动消费类产品。除此之外，Spansion正开发用于嵌入式及选择无线市场的NAND，以及继
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Elpida NAND闪存
日系存储器大厂尔必达 (Elpida)29日公布2010年第1季(会计年度4-6月)财报，单季营收为1,763亿日圆(约20.28亿美元)，较上一季增加28%，较 2009年同期增加103%，单季毛利率为35%，净利为307亿日圆(约3.52亿美元)，较上一季小幅下跌，但较2009年同期大幅增加75%。
尔必达第1季位元成长率(Bit Growth)为8%，预计第2季目标可达5~10%，全年的位元成长率维持45%目标不变，2010年资本支出为1,150亿日圆。
尔必达2010年积极抢占Mo
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Elpida 存储器
全球半导体产业走入50奈米制程后，浸润式曝光机台(Immersion Scanner)出现大缺货，尤其是最新款的NXT:1950i机种上，交期几乎拉到快12个月，使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时;存储器业者透露，尔必达(Elpida)阵营开始转向采购旧机种XT:1950i应急。然美光(Micron)阵营则认为，旧机种顶多用到40奈米制程就是极限，不像新机种NXT:1950i可以一路做到30奈米。
半导体产业在进入50奈米以下制程，都必须开始用Immersion Scanner，此机
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Elpida DRAM 50奈米
近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传，新产能是否能如期出笼仍存变量，因此，第3季DRAM价格还有多少修正空间，目前仍处于混沌状态。
DRAM业者表示，自从PC大厂祭出降低DRAM搭载率策略后，原本供给吃紧的DRAM市场顿时松动，原本搭配4GB模块被砍到仅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM产能消耗量，加上欧洲债信问题
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Elpida DRAM 45纳米
逻辑和DRAM技术跨产业合作大戏正式登场，联电、尔必达(Elpida)携手开发TSV技术的签约仪式将于21日召开记者会对外宣布;值得注意的是，业界透露，双方技术合作仅是第1阶段，未来第2阶段考虑以交叉持股的方式，让双方的合作关系更为紧密，因此联电为引进策略联盟伙伴而办理的私募案，尔必达将是口袋人选之一。
联电、尔必达和力成将于今日针对TSV技术举行签约仪式，这是近年来逻辑和存储器技术领域罕见的跨产业大合作，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄过去是联日半导体(UMCj)的总经理，因此尔必达与联电双
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Elpida DRAM 逻辑
随著半导体微缩制程演进，3D IC成为备受关注的新一波技术，在3D IC时代来临下，半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日，一起召开记者会对外宣布共同开发矽穿孔(TSV) 3D IC制程。据了解，由联电以逻辑IC堆叠的前段晶圆制程为主，尔必达则仍专注于存储器领域，而力成则提供上述2家公司所需的封测服务，成为前后段厂商在 TSV 3D IC联手合作的首宗案例。
尔必达、力成和联电将于21日在联电联合大楼举行技术合作协议签订记者会。据了解，3家公司的董事长、执行长和技术长
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Elpida 3D IC
继三星电子(Samsung Electronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂德的重庆渝德厂旁空地，其二是2008年尔必达与苏州创投原本要合建12寸晶圆厂和发用地，坂本幸雄所指合作的台系DRAM厂，茂德雀屏中选机率相当高。不过，茂德对此表示不方便评论。
DRAM产业好不容易走出崩盘的跌价阴霾，但各厂才开始赚钱，再度展现积极投入扩产的豪情壮
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Elpida DRAM 晶圆
SEMI于6月1日公布全球半导体投资的报告，之前曾预测2010年增长60%，而如今已修正为增长117%，从2009年的163亿美元，到2010年的355亿美元(把分立器件的投资计在内)，如扣除分立器件为335亿美元，增长115.7%。
谁在积极扩充产能
去年全球半导体业处于减投资时期，今年产业受需求增长及价格上升的双重夹攻的影响，许多公司宣布积极的扩张策略，所以在2010年投资中有部分仍是为技术升级，但也有许多为了扩充产能。
如果依类别看，全球代工与2009年相比，其2010年安装产
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Elpida 存储器
日系存储器大厂尔必达(Elpida)和子公司瑞晶12日同步公布2010年1~3月财报，尔必达单季营收为1,475亿日圆，毛利率36.8%，营运获利持续成长，达337亿日圆;尔必达表示，2010年资本支出将达1,150亿日圆，较2009年增加163%，2010年位元成长率将达45%;瑞晶首季营收则是新台币121.58亿元，税后获利40.81亿元，换算每股税后1.39元。
尔必达受惠DRAM价格上扬，12日公布2009年财报(会计年度为2009年4月1日~2010年3月31日)的获利持续成长，而20
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Elpida 45纳米 晶圆
茂德以新台币85亿元价格将茂德位于竹科12寸晶圆厂Fab-2(未来将成为旺宏的Fab-3)出售予旺宏电子。茂德售厂所获得新台币85亿元资金中，估计约有25亿~30亿元将用于偿还银行债务，减轻偿债压力。由于茂德另一12寸厂位于中科的Fab-3制程仅为75nm，欠缺竞争力，因此茂德售厂后获得资金将可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加产出。
因茂德替尔必达(Elpida)代工，故在 DRAM市场争夺战中，尔比达将是主要受益者;另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash产品市场近一年来，因NOR
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Elpida DRAM
尔必达(Elpida Memory Inc.)总裁兼首席执行长阪本幸雄(Yukio Sakamoto)上周五表示，目前个人电脑市场的内存芯片需求十分强劲，而今年的全球供应有可能低于需求。
阪本幸雄在台湾举行的新闻发布会上对记者表示，今年动态随机存储器(DRAM)芯片的全球产能可能增长30%-40%，但需求增幅有可能高达50%-60%。
尔必达与台湾茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)上周五还共同宣布，双方将扩大合作，生产用于数字消费电子产品和移动设备的DRAM芯片。
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Elpida DRAM
尽管尔必达(Elpida)与力晶之间买回瑞晶股权争议还未达成协议，但在DRAM产能分配上已先获得共识，力晶已超过1年未向瑞晶拿货，近期与尔必达协商成功，4月起重获瑞晶产能分配权，未来每月将多出2.4万片产能挹注，尔必达则要求力晶12寸厂代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配货权，多数要再回销给尔必达来供应PC客户，未来该阵营释放至现货市场DRAM货源，恐将进一步短缺。
尔必达与力晶分别对瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圆厂产能8万片，2大股东可按照持股比例，获得同等的瑞晶产能分配，
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