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600v氮化镓(gan)功率器件 文章 进入600v氮化镓(gan)功率器件技术社区

基于安森美半导体高频率准谐振NCP1342搭配GaN的65W PD电源适配器

  • 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质,在电子迁移率远远高于硅,输出电容也大大小于硅,致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►产品实体图►方案方块图►核心技术优
  • 关键字: 安森美  NCP1342  PD  QR  高频率  GaN  

基于安森美半导体有源钳位的NCP1568搭配GaN的65W PD电源适配器

  • 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质,在电子迁移率远远高于硅,输出电容也大大小于硅,致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►展示板照片►方案方块图►核心技术优
  • 关键字: 安森美  有源钳位  NCP1568  GaN  PD电源  适配器  

世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案

  • 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来,硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓(GaAs)和砷化镓、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体,它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
  • 关键字: NCP51820  安森美  半导体  电源供应器  GaN MOS Driver  

提高功率器件动态参数测试效率的7个方法

  • 对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环,测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。如何能够高效地完成测试是工程师一直关注的,也是在选择功率器件动态参数测试系统时需要着重关注的,一个高效的测试系统能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。接下来我们将为大家介绍提高功率器件动态参数测试效率的7个方法,希望能对大家的工作有所帮助。方法1:测试单元模块化功率器件动态参数测试系统往往需要具备多种测试功能、覆盖多种电压等级的被测器件,此时就需要对测试
  • 关键字: 功率器件  动态参数测试  

英飞凌推出业界首款PFC和混合反激式组合IC,提高基于GaN的USB-C EPR适配器与充电器的性能

  • 【2022年11月24日,德国慕尼黑讯】USB供电(USB-PD)已成为快速充电以及使用统一Type-C连接器为各种移动和电池供电设备供电的主流标准。在最新发布的USB-PD rev 3.1标准中,扩展功率范围(EPR)规格可支持宽输出电压范围和高功率传输。统一化和大功率容量再加上低系统成本的小外型尺寸已成为推动适配器和充电器市场发展的主要驱动力。为了加速这一趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新XDP™数字电源XDPS2221。这款用于USB-PD的高度集
  • 关键字: 英飞凌  PFC和混合反激式组合IC  GaN  USB-C EPR适配器  

基于安森美半导体NCP1342驱动GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充电源方案

  • 此电源设计最大输出功率为65W,配备1A1C双口输出,单USB-C口输出65W(20V/3.25A),单USB-A口输出;双口同时输出时,C+A同降为5V方案全系列采用双面板、最简化设计理念,尺寸才51X51X31mm!上下两片1.0mm左右厚铜散热既满足EMI又导热好!通标变压器设计,21V效率最高达到93%,驱动与MOS均采用美国安森美半导体技术!►场景应用图►展示板照片►方案方块图►C口支持协议►核心技术优势1.51.5*51.5*31 超小体积 功率密度:1.26cm³/W2. QR架构,COST
  • 关键字: 安森美  NCP1342  65W  PD  GAN  1A1C  超小尺寸PD  

英飞凌为布鲁姆能源公司的电解系统和燃料电池提供CoolSiC™功率器件

  • 【2022年10月26日,德国慕尼黑讯】当前的能源危机充分表明,全球迫切需要寻找替代能源来构建气候友好型的能源供应能力。近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司(Bloom Energy)选中,用于其燃料电池产品布鲁姆能源服务器(Bloom’s Energy Server)以及布鲁姆电解系统(Bloom Electrolyzer)中的功率变换。  布鲁姆能源
  • 关键字: 英飞凌  布鲁姆能源公司  电解系统  燃料电池  CoolSiC  功率器件  

士兰明镓SiC功率器件生产线初步通线,首个SiC器件芯片投片成功

  • 10月24日,士兰微发布公告称,近期,士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。士兰微表示,公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,参数指标较好,继续完成评测,即将向客户送样。据了解,2017年12月1
  • 关键字: 士兰微  士兰明镓  SiC  功率器件  

格芯获得3000万美元政府基金研发GaN芯片

  • 据外媒《NBC》报道,近日,晶圆代工厂商格芯(GlobalFoundries)获得3000万美元政府基金,在其佛蒙特州EssexJunction工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称,电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield表示,GaN芯片将比前几代芯片能更好地处理高热量和电力需求。Caulfield在一份声
  • 关键字: 格芯获  GaN  

GaN IC缩小电机驱动器并加快eMobility、电动工具、 机器人和无人机的上市时间

  • EPC9176是一款基于氮化镓器件的逆变器参考设计,增强了电机驱动系统的性能、续航能力、精度和扭矩,同时简化设计。该逆变器尺寸极小,可集成到电机外壳中,从而实现最低的EMI、最高的功率密度和最轻盈。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9176。这是一款三相BLDC电机驱动逆变器,采用EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC,内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之间的输入电源电压下工作,可提供高达28 Apk(2
  • 关键字: GaN IC  电机驱动器  

世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

  • 现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的特性,使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
  • 关键字: GaN  氮化镓  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

庖丁解牛看功率器件双脉冲测试平台

  • _____双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段,适用于各类功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时,这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节,测试结果有力地保证了器件的特性和质量、功率变换器的指标和安全,可以说是伴随了功率器件生命的关键时刻。随着先进功率器件的问世以及功率变换器设计愈发精细,器件研发工程师和电源工程师都越来越关注双脉冲测试。工欲善其事,必先利其器,拥有一套双脉冲测试平台是获得正确评估结果的第一步。本文将破解双脉
  • 关键字: 泰克  功率器件  双脉冲测试  

这些功率器件撑起3,000亿特高压建设

  • 新能源是支撑国家可持续发展的关键,随着“碳达峰”和“碳中和”目标的提出,中国新能源产业发展将再次提速。但新能源产业发展面临的一个关键问题是发电与用电区域不均衡,风电、太阳能和水电等可再生能源主要集中在西部和西北部,用电则主要集中在中东部。并且风电和太阳能(光伏)等发电方式波动性较大,在新能源布局较多的西北部地区,由于用电负荷低于发电量,造成了较高比例的“弃风”、“弃光”现象。将大规模波动性新能源发电接入电网,一方面要提高储能技术,另一方面也要改善输配电状况,“西电东送”是解决能源分布不均的重要途径,而“西
  • 关键字: 贸泽电子,功率器件  

功率GaN RF放大器的热考虑因素

  • 氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比,GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙,达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿,达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率,这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比,GaN RF 高电子迁移率晶体管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴,在所有 RF 细分市场中获得应用。其中许多应用需要很长的使用寿
  • 关键字: Wolfspeed  放大器  GaN  

使用集成 GaN 解决方案提高功率密度

  • 氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能,使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (ca
  • 关键字: TI  GaN  
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600v氮化镓(gan)功率器件介绍

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