- 受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
- 德州仪器(TI)是推动GaN开发和支持系统设计师采用这项新技术的领军企业。TI基于GaN的电源解决方案和参考设计，致力于帮助系统设计师节省空间、取得更高电源效率及简化设计流程。TI新颖的解决方案不仅可以优化性能，而且攻克了具有挑战性的实施问题，使客户得以设计高能效系统，建设更绿色环保的世界。
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MOSEFT GaN UPS
- 宽禁带半导体特别是GaN和SiC这两年成为整个功率器件材料关注的焦点，由于GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于......
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安世 GaN MOSFET
- 我国正在大力进行新基建，工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时，SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起，奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件？近日，ST（意法半导体）亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访，分享了对工业市场的预测，并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
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电源 SiC IGBT GaN
- 近日，安世半导体宣布推出新一代H2技术的全新650V GaN（氮化镓） FET。重点应用场合包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 1.5~5kW钛金级工业电源，用于机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。 日前，安世半导体MOS业务集团大中华区总监李东岳详细解析了安世半导体的GaN FET蓝图以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN产品升级 2019年，安世半导体正式推出650V GaN MOSFET，采用级联技术，利用高压GaN配合低压
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安世半导体 GaN
- 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化镓 GaN
- 随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
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宽禁带 半导体 SiC GaN
- 按照业界通常的看法,未来5到10年内,SiC功率器件市场增长机会主要在汽车领域,特别是EV、混合动力车、燃料电池车等电动车应用市场。实际上,在光伏和储能、驱动、充电桩、UPS领域,SiC都将有高速成长的机会。而且,电源领域将是SiC最大的市场。综合起来,这几个市场将会有16%的年复合增长率。脱颖而出更高的工作电压、更高的效率、更好的散热性能,都是SiC在电力电子领域的优势。与传统的Si材料作对比,SiC的带隙(BandGap)是其三倍;击穿场强(MV/cm)上,SiC是2.2,Si为0.3,高出7倍左右;
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功率器件
- 作为 Qorvo 产品的全球授权分销商，贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 很高兴地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全线产品均可在贸泽官网上在线订购。Qorvo的Custom MMIC产品组合包括 高性能氮化镓 (GaN) 和砷化镓 (GaA) 单片微波集成电路 (MMIC) ，适用于各种航空航天、国防和商业应用。Qorvo是一家知名的射频和毫米波创新解决方案制造商，致力于实现一个万物互联的世界。Qorvo最近
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MMIC GaN
- EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列，上载了六个视频，针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用，包括面向人工智能的高功率密度运算应用，面向机械人、无人机及车载应用的激光雷达系统，以及Ｄ类放音频放大器。宜普电源转换公司 （EPC）更新了其广受欢迎的 “ 如何使用氮化镓器件 ” 的视频播客系列。刚刚上载的六个视频主要分享实用范例，目的是帮助设计师利用氮化镓技术设计面向人工智能服务器及超薄笔记本电脑的先进 DC/DC转换器 、
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GaN 音频放大器
- 日前，宜普电源转换公司（EPC）依据《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》第三版教科书的增订内容，更新了首7个、合共14个教程的视频播客，与工程师分享采用氮化镓场效应晶体管及集成电路的理论、设计基础及应用，例如激光雷达、DC/DC转换及无线电源等应用。宜普电源转换公司（EPC）更新了其广受欢迎的 “ 如何使用氮化镓器件 ” 的视频播客系列。该视频系列的内容是依据最新出版的 《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》 第三版教科书的内容制作。合共14个教程的视频播客系列旨在为功率
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GaN 播客
- 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能，可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率，适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。贸泽电子备货的TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种
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GaN UVLO
- 在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。GaN有许多性能优势，包括远高于硅的电子迁移率（3.4eV对比1.1eV），这使其具有比硅高1000倍的电子传导效率的潜力。值得注
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LDN GaN
- 领先的汽车供应商MARELLI近日宣布与美国一家专注于重新定义功率转换的半导体公司Transphorm达成战略合作。通过此协议，MARELLI将获得电动和混合动力车辆领域OBC车载充电器、DC-DC 转换器和动力总成逆变器开发的尖端技术，进一步完善MARELLI在整体新能源汽车技术领域的布局。Transphorm被公认为是氮化镓(GaN)技术的领导者，提供高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体，并拥有和汽车行业（尤其是日本）直接合作的成功经验。获得这一技术对正在探索电力传动系统业务
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OBC GaN
- 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.近日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计，拥有多项性能突破：它能够在 2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信号增益和 20-35% 的功率附加效率。这种组合为系统设计人员带来提高系统性能和可靠性所需的灵活性，同时减少了元件数量、占用空间和成本。Qorvo 高性能解决方案业务
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GaN 功率放大器
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