在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。 我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中，进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是，话题始终围绕着热量，当然不是要生热取暖，而是如何减少功率转换器产生的热量。我们已经将MOSFET和IGBT分别做到了极致，但是我们中没有人对此感到满意。在这个探讨过程中，我们盘点了一系列在高压环境中失败的设备。 在那个雪花漫天飞舞的日子里，我们聚焦于选择新方法和拓扑，以寻求获得更高的效率和密度，当然也要找到改进健全性的途径。一位高级研究员帮助总
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德州仪器 GaN
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。 硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸规格下，硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络，以及未来的机器人、可再生能源直至数据中心技术，功率都是一个至关重要的因素。 “工程师现在处于一个非常尴尬的境地，一方面他们无法在现有空间内继续提高功率，但同时又不希望增大设备所需的空间，”德州仪器产品经理Masoud Behe
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GaN，机器人
当今的半导体行业正在经历翻天覆地的变化，这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前，业内有许多家射频公司，它们多半活跃于相同的市场，如今这种局面已被全新的市场格局所取代 - 有多个新兴市场出现，多家硅谷公司与传统芯片制造商进行重大兼并和收购。究竟有哪些因素推动着市场格局不断变化? 哪些因素在推动变革? 半导体行业格局的变化从根本上由两个要求驱动：对无所不在的传感和连接的需求。无论人们身处世界的哪个位置，无论在家中还是在工作场所，都希望能够安全、有效地与他人沟通交流。市场不再仅仅满足蜂窝手
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射频半导体 GaN
德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN)，50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。 德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性，来实现简化设计，达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能，为传统级联和独立的GaN FET提供了智能替代解决方案。通过集成的<100ns电
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德州仪器 GaN
SiC和GaN MOSFET技术的出现，正推动着功率电子行业发生颠覆式变革。这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点，而这在几年前是不可想象的。 在现实世界中，没有理想的开关特性。但基于新材料、拥有超低开关损耗的多种宽禁带器件正在出现，既能实现低开关损耗，又能处理超高速率dv/dt转换，并支持超快速开关频率，使得这些新技术既成就了DC/DC转换器设计工程师的美梦，但同时也变成了他们的恶梦。 比如一名设计工程师正在开发功率转换应用，如逆变器或马达驱动控制器，或者正在设
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SiC GaN
纳微(Navitas)半导体公司宣布成为2018年11月4日至7日在中国深圳举办的第二届国际电力电子技术及应用会议(IEEEPEAC'2018)的钻石赞助商。在此次大会上，纳微将发布并展示GaNFast功率IC的重大发展成果，这些进展推动业界实现的新一代电源系统，将会打造能效、功率密度和快速充电的全新基准。 这些技术发展成果从27W到300W，包括用于智能手机、笔记本电脑、一体式电脑、电视/显示器以及GPU的充电器和适配器应用。纳微将展示客户
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GaN 电源 IC
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。 本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。研究公司IHS认为，该市场将在2019年至2024[1]年有超过2
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意法半导体 GaN
生成对抗网络(GAN)是当今最流行的图像生成方法之一，但评估和比较 GAN 产生的图像却极具挑战性。之前许多针对 GAN 合成图像的研究都只用了主观视觉评估，一些定量标准直到最近才开始出现。本文认为现有指标不足以评估 GAN 模型，因此引入了两个基于图像分类的指标——GAN-train 和 GAN-test，分别对应 GAN 的召回率(多样性)和精确率(图像质量)。研究者还基于这两个指标评估了最近的 GAN 方法并证明了这些方法性能的显著差异。上述评估指标表明，数据集复杂程度(从 CIFAR10 到
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GAN
目前用于电子产品和自动化电子控制设备及功率半导体器件的保护方法有如下几种：一、保险丝法这是一种传统的保护方法。保险丝常串接在电路的电源输入端
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功率器件 保护方法 检测 并联
TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓(GaN)的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全
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GaN 可靠性 综合方法
作为电源工程师，我们能够回忆起第一次接触到理想化的降压和升压功率级的场景。还记得电压和电流波形是多么的漂亮和简单(图1)，以及平均电流的计算是
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GaN 升降压 电源
行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如，数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应(400千瓦时)的3%，占温室气体排放总量的2%。航空业的碳排放量也一样。随着对能源的巨大需求，各国政府正在采取更严格的标准和新的监管措施，以确保所有依赖能源的产品都需具有最高能效。 同时，我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目
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SiC GaN
随着全球能源结构向低碳能源和节能运输转移，节能汽车产业面临着挑战。如今，整个电动汽车(EV)市场的增长率已经超过传统内燃机(ICE)汽车市场增长率的10倍。预计到2040年，电动汽车市场将拥有35%的新车销量份额，对于一个开始批量生产不到10年的市场而言，这样的新车销售份额是引人注目的。
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EV GaN IC 201807
GaN(氮化镓)功率器件的全球领军企业GaN Systems Inc.(以下简称“GaN Systems公司”)和功率半导体的领军企业ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。 此次合作将充分发挥GaN Systems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富的电子元器件设计/制造综合实力。双方将利用GaN Systems公司的GaNPXTM封装技术和罗姆的功率元器件传统封装技术，联合开发最适合GaN
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GaN 罗姆
在国家大力支持半导体产业发展的政策下，在全球特别是中国强大的半导体市场需求下，一家投资江苏盱眙8英寸功率器件为主的柔性生产线的黑马进入了业内的视线，这就是江苏中璟航天半导体实业发展有限公司。 不久前的 “2018中国半导体市场年会暨第七届集成电路产业创新大会(南京)”上，中璟荣获了赛迪顾问的 “最具成长力企业奖”和“投资新锐奖”2个奖项。会议期间，电子产品世界记者访问了江苏中璟航天半导体实业发展有限公司副总经理麦桓彰先生。江苏中璟航天半导体实业发展有限公司副总经理麦桓彰先生 中璟航天半导体应运而生
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中璟 功率器件
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