瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 GaN 技术的持续投资。与之前的 35 毫欧姆器件相比，Gen 4+ 平台的 RDS（on） 和芯片尺寸减小了 14%，直接降低了成本。开关品质因数提高了 50%，而输出品质因数提高了 20% 以上。在比较测试中，瑞萨电子在 4 kW 电源应用中的损耗比领先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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650V GaN 器件 高功率应用 SiC
国际功率半导体厂纳微半导体于提交美国证券交易委员会（SEC）消息指出，台积电将于2027年7月31日结束氮化镓（GaN）晶圆代工业务，拟向力积电寻求产能支持。 对此，台积电回应表示，经过完整评估后，决定在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）业务。台积电透露，该决定是基于市场与台积电公司的长期业务策略; 公司正与客户紧密合作确保在过渡期间保持顺利衔接，并致力在此期间继续满足客户需求。同时，台积电也指出，仍将着重为合作伙伴及市场持续创造价值; 而该项决定将不会影响之前公布的财务目标。业界认为，台积电此举凸显中国
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台积电 纳微半导体 GaN
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
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瑞萨 GaN FET SuperGaN
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63
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GaN FET 卫星电源
法国电力初创公司 Wise Integration 正计划推出一种带有氮化镓 （GaN） 晶体管的联合封装数字控制器，以简化工业和数据中心 AI 电源系统的设计。与此同时，该公司推出了用于基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 （PFC） 的数字控制器。零电压开关 （ZVS） 开关算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中实现，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高达 2MHz 的开关，适用于更小的设计，效率高达 98%。“对于公司来说，将这款数字控制器推向市场是一个重要
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Wise GaN 数字控制器
来自印度的深科技初创公司Reflex Drive选择英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的半导体功率器件，用于其下一代无人机（UAV）电机控制解决方案。通过集成英飞凌OptiMOS™ 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的电子调速器（ESC）实现了更好的热管理和更高的效率，从而在紧凑的设计中实现了高功率密度。此外，通过采用将XMC1404微控制器与MOTIXTM 6EDL7141 三相栅极驱动器IC结合的英飞凌MOTIX™ IMD7
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英飞凌 功率器件 Reflex Drive 无人机 电机控制
其他栅极驱动器转换器考虑因素栅极驱动器 DC-DC 转换器还有其他独特的问题。其中包括：1） 调节：当器件不切换时，DC-DC 转换器上的负载接近于零。然而，大多数传统转换器始终要求最小负载;否则，它们的输出电压会急剧增加，可能达到栅极击穿水平。发生的情况是，这个高电压存储在大容量电容器上，因此当器件开始切换时，它可能会出现栅极过压，直到转换器电平下降到正常负载下。因此，应使用具有箝位输出电压或极低最小负载要求的 DC-DC 转换器。2） 启动和关断：重要的是，在驱动电路电压轨达到指定值之前，I
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栅极驱动器 功率器件
麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上，以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外，通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管，新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
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3D芯片 电子设备 GaN
据路透社援引彭博社报道，在关于即将破产的传闻出现近一个月后，Wolfspeed 现在正面临一次重大动荡。由 Apollo 全球管理公司领导的债权人正准备根据破产计划接管公司。报道称，这家陷入困境的碳化硅巨头预计将在几天内公布一项预包装破产计划——旨在迅速削减数十亿美元的债务。在锁定重组协议后，Wolfspeed 将要求债权人就计划进行投票，然后正式申请第 11 章保护，报道补充道。由意法半导体领导的对头将受益根据 TrendForce 的观察，由于破产程序的不确定性，Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半导体 功率器件
有效的 MOSFET/IGBT 器件开关取决于栅极驱动器及其电源。从电源和电机驱动器到充电站和无数其他应用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） MOSFET等开关功率半导体以及绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 是高效电源系统设计的关键。但是，为了实现功率器件的最大性能，需要合适的栅极驱动器。顾名思义，该元件的作用是驱动功率器件栅极，快速、清晰地将其置于导通模式或将其拉出导通模式。这样做要求驱动器能够拉出或吸收足够的电流，尽管负载（栅极）存在内部器件和杂散（寄生）电容、电感和其他
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栅极驱动器 功率器件
类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约40个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源要求取决
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TI GaN FET 类人机器人
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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开关电源 SMPS 氮化镓 GaN ADI
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多
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纳芯微 高压半桥驱动 E-mode GaN
新的基于 GaN 的架构将使海量数据的通信和传输变得更加容易。
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GaN
_____随着技术的不断进步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因其优异的性能被广泛应用于各种电子设备中。然而，这些器件在长期连续使用后会出现老化现象，导致性能退化。如何在短时间内准确评估这些器件的老化特性，成为行业关注的焦点。目前，针对功率器件的老化测试主要包括多种不同的测试方式。其中，JEDEC制定的老化测试标准（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循环测试）主要针对传统的硅基功率器件。对于新型的SiC等功率器件，AQG-324标准进一步要求增加动态老化测试，如动态栅偏和动态反偏测试。
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功率器件 老化特性 HTOL 高温工况 老化测试
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