600v氮化镓（gan）功率器件 文章
南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室，围绕中国半导体产业链，培养工程专业人才，搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台，建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制，致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然，在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
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集成电路 微电子 氮化镓器件 宽禁带 IC GaN
GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
John Grabowski：安森美半导体电源方案部门的首席应用和市场工程师，部门位于美国密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半导体，此前他曾在福特汽车公司研究实验室工作30年。他一直从事电路和软件设计，应用于电气、混合动力汽车和汽车动力总成系统。最近，他的团队积极推动将高功率半导体应用于汽车电子化。引言为应对气候变化，汽车减排降油耗势在必行。如今，许多国家/地区的法律强制要求汽车制造商做出这些改变。为实现这一目标，其中一种方式就是采用混合动力，即在汽油或柴油车辆的传动链中
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GaN 48V
延续9月4日以来的火热行情，9月17日，A股第三代半导体概念股持续强劲，双良节能、易事特涨停，多只概念股个股涨超7%。证券时报·e公司记者梳理发现，截至9月17日，已通过深交所互动易或公告形式披露公司确有第三代半导体产业链业务，或已积累相关技术专利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半导体方面有实际业务，或已出货相关产品，但多数为小批量出货，销售收入占上市公司比例较小。三代半导体概念持续火热近段时间以来，以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体产业概念股异军突起，成为低迷震荡行情下一道亮
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第三代芯片 三代半导体 GaN
( BUSINESS WIRE )-- 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的知名公司Power Integrations 近日推出 LYTSwitch™-6 系列安全隔离型LED驱动器IC的最新成员 —— 适合智能照明应用的新器件LYT6078C。这款新的LYTSwitch-6 IC采用了Power Integrations的PowiGaN™氮化镓(GaN)技术，在该公司今天同时发布的新设计范例报告 ( DER-920 ) 中，展现了
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GaN IC PWM
新基建涵盖了广泛的领域，并对半导体电源设计提出了各种挑战。其中最大的挑战之一是要找到一种以更小尺寸和更低成本提供更多电力的方法。第二个挑战是如何帮助设计师在这些竞争激烈的市场中脱颖而出。为应对这些挑战，TI提供了多种解决方案。以下我将分享有关TI GaN解决方案的更多详细信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工业和汽车市场的各类应用。TI GaN在一个封装中集成高速栅极驱动器和保护功能，可提供优异的开关速度和低损耗。如今，我们的GaN应用于交流/直流电源和电机驱动器、电网基础设施和汽车
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OBC GaN 202009
5 推动电源管理变革的5大趋势电源管理的前沿趋势我们矢志不渝地致力于突破电源限制：开发新的工艺、封装和电路设计技术，从而为您的应用提供性能出色的器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是维持在高电压下的安全性，我们都致力于帮您解决电源管理方面的挑战。德州仪器 (TI)：与您携手推动电源进一步发展的合作伙伴 。1 功率密度提高功率密度以在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能2 低 IQ在不影响
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QFN EMI GaN MCM
全球电子元器件与开发服务分销商 e络盟 新近发布名为《AIoT时代——AIoT发展背景、功能与未来》的电子书，旨在为专业工程师、创客和电子爱好者提供人工智能相关专业知识，助力他们更加顺利地进行人工智能应用开发并开拓出更多新型市场应用。本册电子书汇集了人工智能详细路线图和类别，阐释了人工智能、机器学习（ML）和深度学习（DL）之间的关系，并详细介绍了神经网络相关技术。书中还向读者推荐了数款适用于首次进行人工智能物联网方案开发的优质平台。人工智能和物联网将彻底改变人类的工作方式。目前，人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
德州仪器(TI)是推动GaN开发和支持系统设计师采用这项新技术的领军企业。TI基于GaN的电源解决方案和参考设计，致力于帮助系统设计师节省空间、取得更高电源效率及简化设计流程。TI新颖的解决方案不仅可以优化性能，而且攻克了具有挑战性的实施问题，使客户得以设计高能效系统，建设更绿色环保的世界。
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MOSEFT GaN UPS
宽禁带半导体特别是GaN和SiC这两年成为整个功率器件材料关注的焦点，由于GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于......
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安世 GaN MOSFET
我国正在大力进行新基建，工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时，SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起，奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件？近日，ST（意法半导体）亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访，分享了对工业市场的预测，并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
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电源 SiC IGBT GaN
近日，安世半导体宣布推出新一代H2技术的全新650V GaN（氮化镓） FET。重点应用场合包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 1.5~5kW钛金级工业电源，用于机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。 日前，安世半导体MOS业务集团大中华区总监李东岳详细解析了安世半导体的GaN FET蓝图以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN产品升级 2019年，安世半导体正式推出650V GaN MOSFET，采用级联技术，利用高压GaN配合低压
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安世半导体 GaN
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化镓 GaN
随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
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宽禁带 半导体 SiC GaN
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