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3d 文章

2017年中国将推自主生产32层堆栈3D NAND闪存

  •   由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,之前是新芯科技主导,现在已经变成了紫光公司主导,预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存,而且是32层堆栈的,起点不算低。        2015年中,国家级存储芯片基地确定落户武汉市,由武汉新芯科技公司负责建设,今年3月份12寸晶圆
  • 关键字: 3D NAND  

DIY 3D全息投影仪

  • YouTube上的科技频道总不乏各种技术宅的奇思妙想,日前,一位名为“Mrwhosetheboss”发布了一则有趣的视频,记录了他将一台智能手机打造成一台3D全息投影仪的全过程。 下面就让我们一起来见证一下奇迹发
  • 关键字: 3D  全息投影仪  DIY  

美光3D NAND创新低成本制程分析

  •   美光公司日前开始量产其32层(32L) 3D NAND快闪记忆体,包含该元件的首批商用下游产品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1所示,这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)改善了90倍,据称也更加耐用。   Crucial SSD的售价为200美元,这使其成为笔记型电脑应用最具吸引力的选项,而且我们发现有越来越多的电脑设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰,不过必须承认的
  • 关键字: 美光  3D NAND  

三星3D V-NAND固态盘加速企业闪存进化

  • 三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需
  • 关键字: 三星  V-NAND  3D  固态盘   

武汉新芯“3D NAND”项目获业内权威专家一致认可

  • 武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会,业内专家对
  • 关键字: 3D  NAND   

SSD容量突破关键:3D存储芯片大揭秘

  • 现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展,我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop,I
  • 关键字: 3D NAND  SSD  存储技术  

3D NAND竞争火热 三星成市场最大赢家

  • 最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高,许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中,又以三星电子率先在这场竞争中获益最多,取得领先地位。
  • 关键字: 3D NAND  三星  

3D NAND Flash成产业发展突破口

  •   存储器作为四大通用芯片之一,发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言,存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生,哪里有数据,哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展,存储产业与信息安全等亦息息相关。   当前,我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起,以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发,使得国产厂商对存储需求量巨大。   相关数据显示,2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
  • 关键字: 3D NAND  DRAM  

美光移动装置3D NAND解决方案 瞄准中高阶手机市场

  •   美光(Micron)3D NAND固态硬碟(SSD)产品方才正式面市,紧接又宣布将推出首款针对移动装置最佳化的3D NAND产品,这也是美光首款支援通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)标准之产品。   美光移动事业行销副总Gino Skulick在接受EE Times专访表示,美光为移动装置所推出的首款3D NAND为32GB产品,锁定中、高阶智能型手机市场,此区块市场占全球智能型手机总数的50%。   而这也是业界首款采用浮动闸极(Floating Gate)技
  • 关键字: 美光  3D NAND  

3D NAND风暴来袭,中国存储器厂商如何接招?

  • 中国正在下大力度推进存储产业的发展,3D NAND被认为是一个有利的突破口。
  • 关键字: 3D NAND  存储器  

美光3D NAND将杀到!打破三星独霸、大战一触即发

  • 目前3D NAND由三星电子独家量产,但是先有东芝杀入敌营,如今美光也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点,3D NAND flash大战即将开打!
  • 关键字: 美光  3D NAND  

面对大陆攻势 三星海力士强化3D NAND投资

  •   据韩国经济报导,大陆半导体产业在政府的强力支援下,清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略,迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。   市调业者DRAM eXchange表示,全球半导体市场中,NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购,成立长江存储科技有限责任公司,未来可能引发NAND Flash市场版图变化。   清华紫光拥有清华大学的人脉,在社会上拥有一定的影响力,武汉新芯拥有技术方面
  • 关键字: 三星  3D NAND  

东芝冲NAND Flash产量 2018年3D NAND占其九成

  •   东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示,将冲刺NAND Flash产量,目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。   关于已在2016年度开始量产的3D结构NAND Flash,成毛康雄指出,将强化3D Flash的生产,目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。   东芝为全球第2大NAND Flash厂商,市占率仅次于三星电子。   日经、韩国先驱报(
  • 关键字: 东芝  3D NAND  

Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力

  •   Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发,采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式,以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察,三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案,将有利整合元件厂(Integrated Device Ma
  • 关键字: 3D NAND  美光  

2016年下半3D NAND供应商上看4家 三星仍将具产能技术优势

  •   DIGITIMES Research观察,2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者,然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash,三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变,不过,三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进,短期内仍将掌握产能与技术优势。   三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层
  • 关键字: 三星  3D NAND  
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3d介绍

3D——三维图形    3D是three-dimensional的缩写,就是三维图形。在计算机里显示3d图形,就是说在平面里显示三维图形。不像现实世界里,真实的三维空间,有真实的距离空间。计算机里只是看起来很像真实世界,因此在计算机显示的3d图形,就是让人眼看上就像真的一样。人眼有一个特性就是近大远小,就会形成立体感。计算机屏幕是平面二维的,我们之所以能欣赏到真如实物般的三维图像,是因为显示在计 [ 查看详细 ]

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