- 11月4日，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动，此举旨在攻关半导体材料端关键核心技术，最终实现国产替代。据悉，此次签约项目总投资达21.2亿元。据晶盛机电介绍，公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。碳化硅作为第三代半导体代表
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6英寸 8英寸 碳化硅衬底
- 本文介绍已获专利的适用于机电接触应用的1-Wire®接触封装解决方案，并对比传统的封装解决方案以展示1-Wire接触封装解决方案的优越性。本文还就如何将该解决方案安装到配件或耗材提供了建议，并作了机械规格和可靠性分析。
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机电 1-Wire接触封装
- 据中国台湾经济日报报道，台积电高雄厂正式编定为台积22厂（Fab 22），并且完成该厂2nm营运团队建设。台积电供应链认为，台积电或许可能将高达逾7000亿新台币的1.4nm投资计划转向高雄，但仍视其他县市争取台积电进驻态度及台积电全盘规划而定。报道指出，台积电打破在不同产区同时生产最先进制程的惯例，将高雄厂原计划切入28纳米及7纳米的规划，改为直接切入2纳米。同时在新竹宝山兴建2纳米第一期工厂之际，也立刻于高雄第一期工厂作为生产2纳米制程。此前据TechNews消息，台积电在北部（新竹宝山）、中部（台中
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台积电 2nm 1.4nm
- Silicon Labs（亦称“芯科科技”）接续着连接标准联盟（CSA，Connectivity Standards Alliance）宣布其全面支持最新发布的Matter 1.2标准。Matter 1.2版本是该协议自2022年秋季发布以来的第二次更新。基于一年进行两次更新的步调，可以帮助开发者引入新的设备类型，将Matter扩展到新的市场，同时可带来互操作性和用户体验提升方面的其他改进。Matter协议旨在利用Wi-Fi和Thread等现有的IP网络技术来实现智能家居设备的互联互通，以建立一种新的开放
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芯科 Matter 1.2
- ● 介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差，并实现具有挑战性的制造工艺，需要进行工艺调整。为应对这些挑战，我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产了一组新的后段器件集成掩膜版，以对单大马士革和双大马士革进行电性评估。新掩膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前两类是1.5nm节点后段的最小目标金属间距
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半大马士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
- 10 月 18 日消息，苹果公司今天发布了 iOS 17.1 RC 版本更新，特别针对苹果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列机型，修复了“可能导致图像残留”的问题。苹果自推出 iPhone 15 手机以来，陆续有用户反馈称新款机型出现严重烧屏问题。有人猜测这可能是 OLED 显示屏的硬件问题，现在苹果通过软件方式修复了烧屏问题。虽然大多数显示问题的报告来自“iPhone 15”用户，但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 设备的用户看到了类似的问题，
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苹果 iPhone 15 iOS 17.1 烧屏
- 碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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202310 碳化硅 SiC 衬底 8英寸 扩产
- 致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1电源适配器方案。图示1-大联大友尚基于onsemi产品的PD3.1电源适配器方案的展示板图随着USB PD3.1协议的颁布，快充技术也迎来了新的时代。相比于之前主流的PD3.0标准，PD3.1标准不仅新增28V、36V、48V三种拓展输出电压，还将最大输出功率由100W提升至240W，这突破了现有的大功率使用场景，
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大联大友尚 onsemi PD3.1 电源适配器
- 9 月 20 日消息，在今天举办的英特尔 ON 技术创新峰会上，英特尔介绍了酷睿 Ultra 第 1 代（代号：Meteor Lake）的核显升级。据介绍，英特尔全新的核显从 Xe LP 升级到 Xe LPG，相较于上一代的 Iris Xe 核显每瓦性能翻倍。此外，新一代核显有更高的频率，同等电压下的频率直接可以冲击到 2GHz 以上。新核显还针对 DX12U 进行了优化，支持倍帧功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特尔还推出了全新的 Xe 媒体引擎，支持最
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英特尔 酷睿 Ultra 第 1 代核显
- 近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC
MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安
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8英寸 碳化硅
- 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供货Digi XBee® 3全球GNSS LTE CAT 1开发套件。该套件预装了三个月的蜂窝数据服务，已提前激活并可随时使用。利用Digi XBee® 3全球LTE Cat 1嵌入式调制解调器，设计师可以省去耗时、昂贵的FCC和运营商终端设备认证过程，将先进的LTE蜂窝连接快速集成到其设备和应用中。通过贸泽供应的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1开发套件，用户
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贸泽 LTE IoT GNSS LTE CAT 1
- 2023年8月14日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，正式推出其新一代气体放电管 (GDT) 产品线的最新成员，引入了高电压双极过压保护器家族。Bourns® GDT28H 系列产品旨在满足当今通用工业用电力设备的保护需求，同时也应对不断增长的能源需求电气化解决方案的迫切需求，完全满足消费者和商业用途。随着市面上众多的电气和电子设备均要求符合 IEC 62368-1 等电气安全标准，GDT28H 系列的显著优势之一在于其适用于交流电隔离解决方案。这需要通
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Bourns 气体放电管 GDT IEC 62368-1 电力线保护
- 摘要具有许多1-Wire节点的1-Wire®网络可能需要专用1-Wire通道。本文讨论了一种在网络中只使用一个1-Wire主机而拥有多个1-Wire通道的方法。 简介1-Wire网络最初设计用于与单条1-Wire总线上的单个1-Wire主机和多个1-Wire节点进行通信。对于1-Wire网络，理想的拓扑是包含不重要分支线的线性拓扑。然而，包含长分支线的星形拓扑常常是不可避免的，导致确定有效限制的难度加大。解决这些难题的一种方法是利用模拟多路复用器(mux)将星形拓扑分解成许多通道。使用多个通道的
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1-Wire主机 ADI
- 设计了一款8k分屏器，主控采用FPGA芯片，支持一路HDMI2.1、8k、60 Hz信号输入；支持4路HDMI2.0、4k、60 Hz信号输出；分屏器支持将输入的8k信号进行“田”字型切片处理，输出4路4k信号，这4路4K信号的画面拼接起来就是1幅完整的8k画面。
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202307 8K分屏器 1进4出 HDMI2.1
- 今日，三星电子宣布，已开始量产为车载信息娱乐系统（IVI）优化的全新车载UFS 3.1存储器解决方案。该解决方案拥有三星车载存储器最低的功耗，可助力汽车制造商为消费者打造优秀的出行体验。为满足客户的不同需求，三星的UFS
3.1（通用闪存）将推出128、256和512千兆字节（GB）三种容量。在未来的汽车（电动汽车或自动驾驶汽车）应用中，增强的产品阵容能够更有效地管理电池寿命。其中，256GB容量的产品，功耗较上一代产品降低了约33%，还提供了每秒700兆字节(MB/s)的顺序写入速度和2000MB/
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三星 车载UFS 3.1 存储器
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