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镁光 文章

高性能存储的未来

  •   过去十二个月里,有关存储技术最新进展的宣传报道一直甚嚣尘上,其中包括新型非易失性存储器(如:三星[Samsung]的Z-NAND以及英特尔[Intel]和镁光科技[Micron]的3D Xpoint)。非易失性存储器标准(NVMe)等新型接口和更现代化的软件也正日益普及,力图减少因过去30年内CPU发展所导致的数据中心IT基础架构不平衡。这些接口可以实现应用程序的低延迟和高性能数据存取,尤其是对于SQL/ NoSQL数据、高性能计算工作负载和大数据应用。  这些创新有望弥合数据中心
  • 关键字: 存储  镁光  

DDR5内存详细规格公布:2020年普及

  •   今天,镁光正式公布了DDR5内存的详细规格。作为DDR4内存的继任者,DDR5内存在性能上自然要高出DDR4一大截。从镁光公布的文件来看,DDR5内存将从8GB容量起步,最高可达单条32GB,I/O带宽能达到3.2-6.4Gbps,同时电压1.1V,内存带宽将为DDR4内存的两倍。   此外,镁光还在芯片论坛上表示DDR5内存将从3200Mhz起步,主流内存频率可达6400Mhz。   同时,镁光还表示他们将在2018年成功流片DDR5内存样品,并将在2019年实现正式量产。   据业内人士估计
  • 关键字: 镁光  DDR5  

镁光:3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量

  •   近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上,镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据 PCWorld 报道,镁光这款 3D 闪存芯片的容量为 32GB,其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的 UFS 2.1 标准,市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。        镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高,虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示,在几年
  • 关键字: 镁光  3D闪存  

镁光:3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量

  •   近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上,镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据 PCWorld 报道,镁光这款 3D 闪存芯片的容量为 32GB,其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的 UFS 2.1 标准,市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。        镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高,虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示,在几年
  • 关键字: 镁光  NAND   

Intel暂停大连工厂扩建计划,或转头吃下镁光

  •   瑞士信贷所近日发布研究报告称,Intel将暂定对中国大连记忆体生产线的扩建计划,转而寻求直接收购镁光科技,以迅速扩大在该领域的实力。   半导体市场的并购风潮仍在持续演进中,日前有消息称,镁光也正在考虑引进战略投资者,甚至不排除选择被直接并购。   目前以清华紫光集团为代表的中国企业也在对镁光虎视眈眈,在去年时,紫光就曾计划出资200多亿美元收购镁光科技,不过,由于半导体高科技领域的敏感性,该交易最终被美国政府监管机构所拒绝。不过,中国公司仍然在试图以入股方式与镁光达成合作。   瑞士信贷所在报
  • 关键字: Intel  镁光  

闪存容量突破性进展!

  •   英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。   这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成,垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度。基于该技术,可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。        当前,平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
  • 关键字: 英特尔  镁光  3D NAND  

镁光发布尺寸小25%的128Gb NAND闪存

  •   闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片,采用20纳米制程,TLC闪存技术,裸片面积只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。   TLC闪存每单元存储3bit数据,它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力,目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。   不过镁光也并没有将其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场,例如SD和USB闪存驱动
  • 关键字: 镁光  NAND  

NAND闪存高级制程技术量产后才有意义

  •   尽管NAND闪存厂商都在积极向亚30nm制程转移,但按闪存业者的看法,只有将这些高级制程投入量产使用才较有实际意义。NAND闪存产品向更高级制程节点转移时,所需的产品验证时间越来越长,便是这一看法的明证之一。   
  • 关键字: 镁光  NAND闪存  

技术落后导致台湾内存芯片厂商陷入被动局面

  •   据美台商会(US-Taiwan Business Council)的一份报告称,镁光公司可能会收购其参与合资的台湾内存公司华亚的剩余股份,使之成为自己的全资控股子公司。报告称:“美国内存芯片厂商 镁光与南亚和华亚两家内存芯片公司的关系一直非常密切。而且镁光有可能会采取措施加强其与台湾内存厂商的联盟关系,因为近期有传言称台湾第二大内存芯片厂 商南亚很可能会将其所持有的华亚公司股份出售给镁光公司。”   
  • 关键字: 镁光  内存芯片  

镁光开始出货50nm 2Gb DDR2 内存芯片

  •   镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片,主要面向平板电脑市场。   该芯片采用低电压DDR2标准制造,可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作,容量方面,该芯片从512Mb到2Gb不等,可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条,实现8亿MT/s传输能力。   得益于较小的制程,这款芯片可以工作在1.55V的低压下,以降低系统的电源需求。   镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样,年末之前量产出货。
  • 关键字: 镁光  50纳米  DDR2  

"垄断案"尘埃落定:镁光从宽发落 尔必达南亚认罚

  •   日本尔必达公司和台湾南亚内存公司最近发表声明称公司愿意接受欧委会有关涉嫌恶意操纵内存芯片价格的处罚决定,不过同遭此指控的其它几家内存厂商则尚未就 此事发表类似的声明。   本月18日,欧委会宣布完成了内存芯片价格垄断案的审理,据欧委会表示,此案涉及10家生产个人电脑/服务器产品用内存芯片品牌,开出的反垄断罚金总额高达4.09亿美元。除了尔必达和南亚之外,此案还涉及三星,Hynix以及镁光等。不过由于镁光在欧盟开始调查此案时主动采取坦白从宽的态度,承认自己涉嫌操纵内存芯片价格,因此欧委会决定网开一面赦
  • 关键字: 镁光  内存  

镁光表示年内没有提升内存芯片产能的计划 将专注于制程提升

  •   继三星,力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后,镁光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划,镁光表示他们将专注与缩 减内存芯片的制程尺寸,以便提升自己的产品竞争力。不久前,三星公司芯片部门的首脑人物Oh-Hyun Kwon同样曾公开表态称内存芯片业者不应盲目表态将增加内存芯片的产量,而是应当把注意力放在提升产品制程工艺方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁内存业者提升芯片产能时要非常谨慎,以避免犯下和过去一样的错误。   2005年,全球多家内存芯片厂为了扩增
  • 关键字: 镁光  内存芯片  

镁光年中量产25nm NAND闪存 明年将转向更高级别制程

  •   镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别,他表示镁光今年年中将开始批量生产25nm制程NAND闪存芯片,并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型(charge trap flash (CTF))闪存技术,以取代现有的浮栅型( floating-gate)NAND闪存技术。   Killbuck还向Digitimes网站表示,镁光的新款NAND闪存芯片将遵循新的EZ-NAND规范。目
  • 关键字: 镁光  NAND  25nm  

镁光南亚合作开发出42nm制程2Gb DDR3内存芯片

  •   镁光公司与其合作伙伴南亚公司最近公开展示了其合作开发的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产品,双方并宣称下一代30nm制程级别的同类产品已经在镁光设在Boise的研发中心开始研制。       两家厂商预计将于今年第二季度开始42nm 2Gb DDR3内存芯片的试样生产,并将于今年下半年开始量产这种产品。   两家厂商宣称其42nm制程DDR3内存芯片产品的工作电压仅1.35V左右,比前代产品的1.5V工作电压低了不少,可节省30%电能。   这款42nm 2Gb
  • 关键字: 镁光  内存芯片  DDR3  

飚速度355MB/s 镁光将发布6Gbps SSD

  •   镁光刚刚宣布了其34纳米NAND SSD产品线,一个原生6Gbps的SATA设备引起了广泛注意,镁光透露它将被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下发布。   这款SSD具体型号RealSSD C300,2.5寸外形设计,包含128和256GB两种型号,读取速度高达355MB/s,写入速度达215MB/s,向下兼容3Gbps SATA。预计将面向北美、英国和欧洲大陆发布,128GB版售价大约450美元。   
  • 关键字: 镁光  34纳米  NAND  SSD  
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