- 可以说，人类在20世界下半叶开始，绝大部分的科技成果都建立在电子计算机之上，而半导体材料，就是各类现代信息技术的基石。自上世纪50年代，以硅和锗为代表的第一代半导体材料为人类信息技术的高速发展走出了第一步；时间来到20世纪90年代，第二代半导体横空出世，以砷化镓、磷化铟为代表的材料为人类在无线电通讯、微波雷达及红光 LED方面起到了举足轻重的作用；而近十年来，也被称为宽禁带半导体材料的氮化镓和碳化硅、氧化锌等第三代半导体，直接推动了功率器件、短波长光电器件、光显示、光存储、 光探测、透明导电等领域的高速发
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氧化镓 半导体 新材料
- 一般来说，半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。迄今为止，半导体材料主要分为：基于Ⅳ族硅Si、锗Ge元素的第一代半导体；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化镓、磷化铟的第二代半导体以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化镓、Ⅳ族碳化硅的第三代半导体等。过去一年里，我们看到随着市场对半导体性能的要求不断提高，及各种利好政策相继出台，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势崭露头角，迎来了产业爆发风口。在第三代半导体万众瞩目的时刻， 第四代半导体也正逐渐进入我们的视线 。半导体材料的发展之路· 第
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第四代半导体材料 氧化镓
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
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功率半导体 氧化镓
- 与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
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