氧化镓 文章
- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。 然而,SiC和GaN并不是终点,最近,氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野,凭借其比SiC和GaN更宽的禁带,该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此,近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上,氧化镓并不是很新的技术,多年前就
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功率半导体 氧化镓
- 与SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员,以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 与SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员,以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
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