- 据JEDEC（固态技术协会）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明确会以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM内存标准。DDR6内存最低频率8800MHz，可提高至17.6GHz，理论最高可以推进至21GHz，远超DDR4和DDR5内存。CAMM2是一种全新内存标准，同样支持DDR6标准内存，也就是适用于台式PC等大型PC设备。JEDEC预计，将在今年内完成DDR6内存标准的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具体产品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。从LPDDR6来看，该内存产
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DDR6 内存 存储
- 近日，三星电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于面向嵌入式领域的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM相比，eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像DRAM一样刷新数据，同时写入速度是NAND的1000倍数。基于上述特性，业界看好eMRAM未来前景，尤其是在对性能、能效以及耐用性较高的场景中，eMRAM被寄予厚望。三星电子是eMRAM主要生产商之一，致力于推动eMRAM在汽车领域的应用。三
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存储 工艺 三星
- 在AI加持下，存储市场今年起势明显，存储芯片价格上升、技术迭代步伐加速。近期，科创板再添一家存储企业过会，近半年以来，我国已有三家存储相关厂商成功上会，另有一家武汉新芯正启动上市辅导，四家厂商科创板IPO中止。从终端市场看，面对未来，AI技术对手机及PC应用市场提出了新的存储要求，以下将关注到AI给手机、PC端的最新变化。新“国九条”后联芸科技科创板IPO成功过会5月31日，上交所发布公告称，通过了科创板拟IPO企业联芸科技（杭州）股份有限公司（以下简称“联芸科技”）的发行上市申请。公开资料显示，联芸科技
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AI PC 存储
- IT之家 5 月 31 日消息，存储模组企业宇瞻昨日宣布将在 6 月 4 日开幕的 2024 台北国际电脑展上以“智慧引领 前瞻未来”为主轴，带来系列存储新品。宇瞻将在展会上展出全球首款采用单芯片控制方案的 USB4 移动固态硬盘。根据IT之家以往报道，群联在 CES 2024 上就展示了符合宇瞻新闻稿中描述的单芯片主控 U21，该主控支持至大 8TB 容量，顺序读写均可达 USB4 满速。宇瞻还将带来原生 DDR5-6400 的 DDR5 U-DIMM / SO-DIMM
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存储 USB 4 宇瞻 台北国际电脑展
- DDR3L产品经过40多项生产测试，满足各种数据缓存需求。进行了包括老化和高低温压力测试在内的40多项生产测试，保证产品品质可靠；采用25nm工艺，符合JEDEC标准；满足网络通信、消费电子、智能终端各种数据缓存需求。该解决方案选型指南请下载：https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392549
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江波龙 存储 嵌入式
- 该产品采用江波龙自研固件，拥有自主开发固件的能力；获得多项核心技术专利；EPLUS系列与工规级microSD已通过树莓派AVL兼容性认证；广泛应用于安防监控、工控、汽车电子、医疗等领域。更多相关资讯，请下载该方案白皮书：https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392548
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江波龙 存储 SD卡
- 据外媒报道，三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）”作为下一代NAND闪存材料，希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND，并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测，到2030年左右，其3D NAND的堆叠层数将超过1000层。三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroel
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三星 NAND 存储
- 近期，日媒报道美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片，美光计划投入约51亿美元。上述新厂有望于2026年动工，并安装EUV设备，最快2027年投入运营。据悉，美光曾计划该工厂能在2024年投入使用，然而由于当前市场环境的挑战和不确定性，美光调整了原定的时间表。近年日本积极出台补贴政策吸引半导体大厂赴日建厂，美光同样可以获得补贴。2023年10月，日本经济产业省正式宣布，将为美光科技在广岛工厂的存储芯片项目提供高达1920亿日元的补贴，以支持在日研发下一代芯片。
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美光 存储 内存
- 5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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三星 存储 HBM 英伟达
- IT之家 5 月 20 日消息，各位网友，你有发现现在组装一台电脑越来越贵了吗？除了 CPU 和 GPU 两个大件之外，内存和固态硬盘的价格也水涨船高，基本上所有零件都处于涨价状态。固态硬盘的价格到去年第 4 季度一直处于历史最低点，甚至连 DDR5 内存的价格似乎也已触底。然而，这一切都将在 2024 年下半年发生改变。IT之家基于 XDA 媒体观点，简要介绍如下：固态硬盘科技媒体 xda-developers 追踪观测过去 6-7 个月亚马逊平台固态硬盘价格，从 2023 年 10 月左右开
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内存 固态硬盘 存储
- 在经历下行周期后，2023年第四季度开始，存储价格开始止跌回暖，且从各大厂商公布的最新营收来看，存储芯片市场回温信号正逐渐凸显。一）厂商业绩释放回温信号从国际大厂来看，此前铠侠、SK海力士、三星、美光、西部数据等公布的最新财报数据显示，在AI需求加持下，各大厂商营收和利润均表现亮眼。其中，铠侠、美光和西部数据均实现扭亏为盈，铠侠2023财年第四季度财报实现营业利润439亿日元、净利润103亿日元；美光2024财年二财季GAAP净利润为7.93亿美元；西数今年一季度在Non-GAAP会计准则下，净利润为2.
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存储 半导体 国产
- IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 内存 存储 三星
- 在数字化浪潮席卷全球的今天，数据存储与保护的重要性愈发凸显。尤其在物联网、智能家居、汽车电子等领域，对安全闪存产品的需求日益增长。华邦电子，作为业界知名的半导体存储解决方案提供商，近日在线上举办了W77Q产品更新媒体会，会上华邦电子产品总监朱迪和华邦电子技术经理李亚玲，展示了其在安全闪存领域的最新成果与战略布局。W77Q与W75F：安全存储的双子星华邦电子在安全闪存领域拥有两大核心产品：W77Q和W75F。这两款产品针对不同应用场景和安全需求，展现了华邦电子在安全闪存技术方面的深厚实力。据华邦电子技术经理
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华邦 安全闪存 存储
- 研调机构TrendForce集邦咨询17日举办AI服务器论坛，美光透露目前DDR5酝酿许久，而HBM产能在2025年前已满载，美光在各种存储器产品有多种布局，也为AI数据中心提供强大支持。美光在全球布局超过54,000项专利，存储器和存储技术领先业界，目前已经酝酿很久DDR5，下一代会做到1γ制程，采用EUV制程技术，计划2025年率先在中国台湾量产。美光表示，公司拥有广泛的产品群组、长周期生命产品，以及完整的系统规划。随着AI改变数据中心生态，读取方式已经不同，必须跟着AI神经网路模式运作，因此深度学习
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美光 存储
- 江波龙应用于AI领域的存储AQUILA系列企业级DDR4 RDIMM可靠性和稳定性达到数据中心级别产品的要求产品优势以JEDEC Raw Card为基础，经过精心优化和仿真测算，设计具有自主知识产权的电路板，硬件选用具有优异高频性能的材料，以及高耐温、高可靠性元器件，搭配原厂成熟制程的DDR4 颗粒，产品支持72bit位宽及 ECC 纠错，可靠性和稳定性达到数据中心级别产品的要求其产品具有以下特性：（1）自主研发PCB 线路板，提升信号质量，减小电源噪声（2）采用耐高温元器件，保证产品可靠性和稳定性（3）
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江波龙 AI 存储
存储介绍
存储
cún chǔ （存存储储） 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》：“户部奏部库空虚，应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》：“每年新漕进仓，仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储，将某仓存储某年米色数目，造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》：“《旧时代之死》之作者之家族，现颇窘，几个友人为之集款存储，作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等 [
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